在匀胶工艺中,转速的快慢和控制精度直接关系到旋涂层的厚度控制和膜层均匀性。匀胶机的转速精度是一项重要的指标。用来吸片的真空泵一般选择无油泵,上配有压力表,同时现在很多匀胶机有互锁,未检测的真空将不会启动。有时会出现胶液进入真空管道的现象,有的匀胶机厂商会在某一段管路加一段"U型"管路,降低异物进入真空管道的影响。光刻胶主要应用于半导体、显示面板与印制电路板等三大领域。其中,半导体光刻胶技术难度高,主要被美日企业垄断。据相关研究机构数据显示,全球光刻胶市场中,LCD光刻胶、PCB光刻胶、半导体光刻胶产品占比较为平均。相比之下,中国光刻胶生产能力主要集中PCB光刻胶,占比高达约94%;半导体光刻胶由于技术壁垒较高占约2%。此外,光刻胶是生产28nm、14nm乃至10nm以下制程的关键,被国外巨头垄断,国产化任重道远。湿法刻蚀是集成电路制造工艺采用的技术之一。贵州激光直写光刻
光源的稳定性对于光刻工艺的一致性和可靠性至关重要。在光刻过程中,光源的微小波动都可能导致曝光剂量的不一致,从而影响图形的对准精度和终端质量。为了确保光源的稳定性,光刻机通常采用先进的控制系统,实时监测和调整光源的强度和波长。这些系统能够自动补偿光源的波动,确保在整个光刻过程中保持稳定的输出功率和光谱特性。此外,对于长时间连续工作的光刻机,还需要对光源进行定期维护和校准,以确保其长期稳定性和可靠性!贵州激光直写光刻精确的化学机械抛光(CMP)是光刻后的必要步骤。
目前,国内光刻胶原材料市场基本被国外厂商垄断,尤其是树脂和感光剂高度依赖于进口,国产化率很低,由此增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险。国内企业基于危机意识在上游原材料领域已展开相关布局。从上市公司在光刻胶原材料的布局情况来看,溶剂方面有百川股份、怡达股份等,单体有华懋科技(投资徐州博康)、联瑞新材等,树脂有彤程新材、圣泉集团、强力新材等,光引发剂有强力新材等。在这之中,徐州博康作为光刻胶全产业链选手,在国内光刻胶这条赛道上,已经实现了从单体到树脂、光酸、配套溶剂到光刻胶产品的全产业链生产能力。
在光学光刻中,光致抗蚀剂通过光掩模用紫外光曝光。紫外接触式曝光机使用了较短波长的光(G线435nm,H线405nm,I线365nm)。接触光刻机属于这种光学光刻。掩膜版的制作则是通过无掩膜光刻技术得到。设计图案由于基本只用一次,一般使用激光直写技术或者电子束制作掩膜版,通过激光束在光刻胶上直接扫描曝光出需要的图形,在经过后续工艺,得到需要的掩膜版。激光直写系统包括光源,激光调制系统,变焦透镜,工件台控制系统,计算机控制系统等。光刻机利用精确的光线图案化硅片。
高精度的微细结构可以通过电子束直写或激光直写制作,这类光刻技术,像“写字”一样,通过控制聚焦电子束(光束)移动书写图案进行曝光,具有比较高的曝光精度,但这两种方法制作效率极低,尤其在大面积制作方面捉襟见肘,目前直写光刻技术适用于小面积的微纳结构制作。近年来,三维浮雕微纳结构的需求越来越大,如闪耀光栅、菲涅尔透镜、多台阶微光学元件等。据悉,某公司新上市的手机产品中人脸识别模块就采用了多台阶微光学元件,以及当下如火如荼的无人驾驶技术中激光雷达光学系统也用到了复杂的微光学元件。这类精密的微纳结构光学元件需采用灰度光刻技术进行制作。直写技术,通过在光束移动过程中进行相应的曝光能量调节,可以实现良好的灰度光刻能力。光刻技术的发展需跨领域合作,融合多学科知识。贵州激光直写光刻
泛曝光在图形反转胶中的应用。贵州激光直写光刻
光刻(Photolithography)是一种图形转移的方法,在微纳加工当中不可或缺的技术。光刻是一个比较大的概念,其实它是有多步工序所组成的。1.清洗:清洗衬底表面的有机物。2.旋涂:将光刻胶旋涂在衬底表面。3.曝光。将光刻版与衬底对准,在紫外光下曝光一定的时间。4.显影:将曝光后的衬底在显影液下显影一定的时间,受过紫外线曝光的地方会溶解在显影液当中。5.后烘。将显影后的衬底放置热板上后烘,以增强光刻胶与衬底之前的粘附力。贵州激光直写光刻