重庆套刻电子束曝光实验室

科研团队在电子束曝光的抗蚀剂选择与处理工艺上进行了细致研究。不同抗蚀剂对电子束的灵敏度与分辨率存在差异，团队针对第三代半导体材料的刻蚀需求，测试了多种正性与负性抗蚀剂的性能，筛选出适合氮化物刻蚀的抗蚀剂类型。通过优化抗蚀剂的涂胶厚度与前烘温度，减少了曝光过程中的气泡缺陷，提升了图形的完整性。在中试规模的实验中，这些抗蚀剂处理工艺使 6 英寸晶圆的图形合格率得到一定提升，为电子束曝光技术的稳定应用奠定了基础。电子束刻合为虚拟现实系统提供高灵敏触觉传感器集成方案。重庆套刻电子束曝光实验室

电子束曝光开创液体活检新纪元，在硅基芯片构建纳米级细胞分选陷阱。仿血脑屏障多级过滤结构实现循环肿瘤细胞高纯度捕获，微流控电穿孔系统完成单细胞基因测序。早期检出灵敏度达0.001%，在肺病筛查中较CT检查发现病灶。手持式检测仪实现30分钟完成从抽血到报告全流程。电子束曝光重塑环境微能源采集技术，通过仿生涡旋叶片优化风能转换效率。压电复合材料的智能变形结构实现3-15m/s风速自适应，转换效率突破35%。自供电无线传感网络在青藏铁路冻土监测中连续运行5年，温度监测精度±0.1℃，预警地质灾害准确率98.7%。河北图形化电子束曝光技术电子束刻合提升微型燃料电池的界面质子传导效率。

围绕电子束曝光的套刻精度控制，科研团队开展了系统研究。在多层结构器件的制备中，各层图形的对准精度直接影响器件性能，团队通过改进晶圆定位系统与标记识别算法，将套刻误差控制在较小范围内。依托材料外延平台的表征设备，可精确测量不同层间图形的相对位移，为套刻参数的优化提供量化依据。在第三代半导体功率器件的研发中，该技术确保了源漏电极与沟道区域的精细对准，有效降低了器件的接触电阻，相关工艺参数已纳入中试生产规范。

在电子束曝光的三维结构制备研究中，科研团队探索了灰度曝光技术的应用。灰度曝光通过控制不同区域的电子束剂量，可在抗蚀剂中形成连续变化的高度分布，进而通过刻蚀得到三维微结构。团队利用该技术在氮化物半导体表面制备了具有渐变折射率的光波导结构，测试结果显示这种结构能有效降低光传输损耗。这项技术突破拓展了电子束曝光在复杂三维器件制备中的应用，为集成光学器件的研发提供了新的工艺选择。针对电子束曝光在第三代半导体中试中的成本控制问题，科研团队进行了有益探索。电子束曝光为人工光合系统提供光催化微腔一体化制造。

针对电子束曝光在异质结器件制备中的应用，科研团队研究了不同材料界面处的图形转移规律。异质结器件的多层材料可能具有不同的刻蚀选择性，团队通过电子束曝光在顶层材料上制备图形，再通过分步刻蚀工艺将图形转移到下层不同材料中，研究刻蚀时间与气体比例对跨材料图形一致性的影响。在氮化物 / 硅异质结器件的制备中，优化后的工艺使不同材料层的图形线宽偏差控制在较小范围内，保证了器件的电学性能。科研团队在电子束曝光设备的国产化适配方面进行了探索。为降低对进口设备的依赖，团队与国内设备厂商合作，测试国产电子束曝光系统的性能参数，针对第三代半导体材料的需求提出改进建议。通过调整设备的控制软件与硬件参数，使国产设备在 6 英寸晶圆上的曝光精度达到实用要求，与进口设备的差距缩小了一定比例。电子束曝光实现特定频段声波调控的低频降噪超材料设计制造。重庆纳米器件电子束曝光实验室

电子束曝光在MEMS器件加工中实现微谐振结构的亚纳米级精度控制。重庆套刻电子束曝光实验室

研究所将电子束曝光技术应用于 IGZO 薄膜晶体管的沟道图形制备中，探索其在新型显示器件领域的应用潜力。IGZO 材料对曝光过程中的电子束损伤较为敏感，科研团队通过控制曝光剂量与扫描方式，减少电子束与材料的相互作用对薄膜性能的影响。利用器件测试平台，对比不同曝光参数下晶体管的电学性能，发现优化后的曝光工艺能使器件的开关比提升一定幅度，阈值电压稳定性也有所改善。这项应用探索不仅拓展了电子束曝光的技术场景，也为新型显示器件的高精度制备提供了技术支持。重庆套刻电子束曝光实验室