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山东MEMS真空镀膜

来源: 发布时间:2025年09月05日

PECVD(等离子增强化学气相沉积或等离子体辅助化学气相沉积),是一种利用等离子体在较低温度下进行沉积的一种薄膜生长技术。等离子体中大部分原子或分子被电离,通常使用射频(RF)产生,但也可以通过交流电(AC)或直流电(DC)在两个平行电极之间放电产生。PECVD是一种基于真空的工艺,通常在<0.1Torr的压力下进行,允许相对较低的基板温度,从室温到300°C。通过利用等离子体为这些沉积反应的发生提供能量,而不是将基板加热到很高的的温度来驱动这些沉积反应。由于PECVD沉积温度较低,沉积的薄膜应力较小,结合力更强。真空镀膜技术能提升产品的市场竞争力。山东MEMS真空镀膜

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磁控溅射可以使用各种类型的气体进行,例如氩气、氮气和氧气等。气体的选择取决于薄膜的所需特性和应用。例如,氩气通常用作沉积金属的溅射气体,而氮气则用于沉积氮化物。磁控溅射可以以各种配置进行,例如直流(DC)、射频(RF)和脉冲DC模式。每种配置都有其优点和缺点,配置的选择取决于薄膜的所需特性和应用。磁控溅射是利用磁场束缚电子的运动,提高电子的离化率。与传统溅射相比具有“低温(碰撞次数的增加,电子的能量逐渐降低,在能量耗尽以后才落在阳极)”、“高速(增长电子运动路径,提高离化率,电离出更多的轰击靶材的离子)”两大特点。驻马店来料真空镀膜镀膜层能有效隔绝空气中的氧气和水分。

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PVD镀膜(离子镀膜)技术,其具体原理是在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。特点,采用PVD镀膜技术镀出的膜层,具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系数)、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点,膜层的寿命更长;同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。PVD镀膜能够镀出的膜层种类,PVD镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表面处理方法,它能够制备各种单一金属膜(如铝、钛、锆、铬等),氮化物膜(TiN、ZrN、CrN、TiAlN)和碳化物膜(TiC、TiCN),以及氧化物膜(如TiO等)。PVD镀膜膜层的厚度—PVD镀膜膜层的厚度为微米级,厚度较薄,一般为0.3μm~5μm,其中装饰镀膜膜层的厚度一般为0.3μm~1μm,因此可以在几乎不影响工件原来尺寸的情况下提高工件表面的各种物理性能和化学性能,镀后不须再加工。

电子束蒸发是目前真空镀膜技术中一种成熟且主要的镀膜方法,它解决了电阻加热方式中钨舟材料与蒸镀源材料直接接触容易互混的问题。同时在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚,实现同时或分别蒸发,沉积多种不同的物质。通过电子束蒸发,任何材料都可以被蒸发,不同材料需要采用不同类型的坩埚以获得所要达到的蒸发速率。电子束蒸发可以蒸发高熔点材料,比一般电阻加热蒸发热效率高、束流密度大、蒸发速度快,制成的薄膜纯度高、质量好,通过晶振控制,厚度可以较准确地控制,可以广泛应用于制备高纯薄膜和各种光学材料薄膜。电子束蒸发的金属粒子只能考自身能量附着在衬底表面,台阶覆盖性比较差,如果需要追求台阶覆盖性和薄膜粘附力,建议使用磁控溅射。PECVD的优势在于衬底能保持低温、良好的覆盖率、高度均匀的薄膜。

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反应溅射是在溅射镀膜中,引入某些活性反应气体与溅射成不同于靶材的化合物薄膜。反应气体有O2、N2、CH4等。反应溅射的靶材可以是纯金属,也可以是化合物,反应溅射也可采用磁控溅射。如氮化铝薄膜可以采用磁控溅射铝靶材,气体通入一比一的氩气和氮气,反应溅射的优点是比直接溅射氮化铝靶材时间更快。磁控溅射可改变工作气体与氩气比例从而进行反应溅射,例如使用Si靶材,通入一定比例的N2,氩气作为工作气体,而氮气作为反应气体,能得到SiNx薄膜。通入氧气与氮气从而获得各种材料的氧化物与氮化物薄膜,通过改变反应气体与工作气体的比例也能对溅射速率进行调整,薄膜内组分也能相应调整。但反应气体过量时可能会造成靶中毒。衡量沉积质量的主要指标有均匀度、台阶覆盖率、沟槽填充程度。淮安PVD真空镀膜

PECVD法具有灵活性高、沉积温度低、重复性好等特点,广泛应用在集成电路制造领域中介质材料的沉积。山东MEMS真空镀膜

使用PECVD,高能电子可以将气体分子激发到足够活跃的状态,使得在相对低温下就能发生化学反应。这对于敏感于高温或者不能承受高温处理的材料(如塑料)来说是一个重要的优势。等离子体中的反应物质具有很高的动能,可以使得它们在各种表面,包括垂直和倾斜的表面上发生化学反应。这就使得PECVD可以在基板的全范围内,包括难以接触的区域,形成高质量的薄膜。在PECVD过程中,射频能量引发原料气体形成等离子体。这个等离子体由高能电子和离子组成,它们能够在各种表面进行化学反应。这就使得反应物质能够均匀地分布在整个基板上,从而形成均匀的薄膜。且PECVD可以在相对低温下进行,因此基板上的热效应对薄膜的形成影响较小。这进一步有助于保持薄膜的均匀性。山东MEMS真空镀膜