在真空状态下,加热蒸发容器中的靶材,使其原子或分子逸出,沉积在目标物体表面,形成固态薄膜。依蒸镀材料、基板的种类可分为:抵抗加热、电子束、高周波诱导、雷射等加热方式。蒸镀材料有铝、亚铅、金、银、白金、镍等金属材料与可产生光学特性薄膜的材料,主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2等氧化物与氟化物。电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子。氩离子在电场作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶原子,靶原子沉积在基片表面形成膜。二次电子受到磁场影响,被束缚在靶面的等离子体区域,二次电子在磁场作用下绕靶面做圆周运动,在运动过程中不断和氩原子发生撞击,电离出大量氩离子轰击靶材。镀膜层能有效隔绝空气中的氧气和水分。来料真空镀膜仪
磁控溅射方向性要优于电子束蒸发,但薄膜质量,表面粗糙度等方面不如电子束蒸发。但磁控溅射可用于多种材料,适用性广,电子束蒸发则只能用于金属材料蒸镀,且高熔点金属,如W,Mo等的蒸镀较为困难。所以磁控溅射常用于新型氧化物,陶瓷材料的镀膜,电子束则用于对薄膜质量较高的金属材料沉积源是真空镀膜技术中另一个必不可少的设备。衬底支架是用于在沉积过程中将衬底固定到位的装置。基板支架可以有不同的配置,例如行星式、旋转式或线性平移,具体取决于应用要求。沉积源的选择取决于涂层应用的具体要求,例如涂层材料、沉积速率和涂层质量。惠州真空镀膜工艺LPCVD设备可以沉积多种类型的薄膜材料,如多晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅等。
涂敷在透明光学元件表面、用来消除或减弱反射光以达增透目的的光学薄膜。又称增透膜。简单的减反射膜是单层介质膜,其折射率一般介于空气折射率和光学元件折射率之间,使用普遍的介质膜材料为氟化镁。减反射膜的工作原理是基于薄膜干涉原理。入射光在介质膜两表面反射后得两束相干光,选择折射率适当的介质膜材料,可使两束相干光的振幅接近相等,再控制薄膜厚度,使两相干光的光程差满足干涉极小条件,此时反射光能量将完全消除或减弱。反射能量的大小是由光波在介质膜表面的边界条件确定,适当条件下可完全没有反射光或只有很弱的反射光。
真空镀膜的优点:1、镀覆材料广,可作为真空镀蒸发材料有几十种,包括金属、合金和非金属。真空镀膜加工还可以像多层电镀一样,加工出多层结构的复合膜,满足对涂层各种不同性能的需求;2、真空镀膜技术可以实现不能通过电沉积方法形成镀层的涂覆:如铝、钛、锆等镀层,甚至陶瓷和金刚石涂层,这是十分难能可贵的;3、真空镀膜性能优良:真空镀膜厚度远小于电镀层,但涂层的耐摩擦和耐腐蚀性能良好,孔隙率低,而且无氢脆现象,相对电镀加工而言可以节约大量金属材料;4、环境效益优异:真空镀膜加工设备简单、占地面积小、生产环境优雅洁净,无污水排放,不会对环境和操作者造成危害。在注重环境保护和大力推行清洁生产的形势下,真空镀膜技术在许多方面可以取代电镀加工。热氧化是在一定的温度和气体条件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化。
LPCVD设备的发展历史可以追溯到20世纪50年代,当时美国贝尔实验室的科学家们使用LPCVD方法在硅片上沉积多晶硅薄膜,并用于制造双极型晶体管。随后,LPCVD方法被广泛应用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、动态随机存储器(DRAM)、太阳能电池等器件。20世纪70年代,LPCVD方法开始用于沉积氮化硅和氧化硅等绝缘薄膜,用于制造互连层、保护层、栅介质层等结构。20世纪80年代,LPCVD方法开始用于沉积碳化硅等宽禁带半导体薄膜,用于制造高温、高功率、高频率等特殊应用的器件使用CVD的方式进行沉积氧化氮化硅(SiOxNy)与氮化硅(SiNx)能有效提高钝化发射极和后极电池效率。西安光学真空镀膜
真空镀膜可明显提高产品的使用寿命。来料真空镀膜仪
高频淀积的薄膜,其均匀性明显好于低频,这时因为当射频电源频率较低时,靠近极板边缘的电场较弱,其淀积速度会低于极板中心区域,而频率高时则边缘和中心区域的差别会变小。4.射频功率,射频的功率越大离子的轰击能量就越大,有利于淀积膜质量的改善。因为功率的增加会增强气体中自由基的浓度,使淀积速率随功率直线上升,当功率增加到一定程度,反应气体完全电离,自由基达到饱和,淀积速率则趋于稳定。5.气压,形成等离子体时,气体压力过大,单位内的反应气体增加,因此速率增大,但同时气压过高,平均自由程减少,不利于淀积膜对台阶的覆盖。气压太低会影响薄膜的淀积机理,导致薄膜的致密度下降,容易形成针状态缺陷;气压过高时,等离子体的聚合反应明显增强,导致生长网络规则度下降,缺陷也会增加;6.衬底温度,衬底温度对薄膜质量的影响主要在于局域态密度、电子迁移率以及膜的光学性能,衬底温度的提高有利于薄膜表面悬挂键的补偿,使薄膜的缺陷密度下降。衬底温度对淀积速率的影响小,但对薄膜的质量影响很大。温度越高,淀积膜的致密性越大,高温增强了表面反应,改善了膜的成分来料真空镀膜仪