广东华升纳米科技股份有限公司2025-11-23
金属表面处理真空镀膜沉积速率过慢,常因靶功率不足、靶面污染、气压过高或基片距离偏大。①按比例提升射频/直流功率,但保持密度≤2 W cm⁻²,避免基底过热;②每10 μm膜厚后停炉,用1000目砂纸轻磨靶面黑化层,恢复溅射产额;③将总气压由1.0 Pa降至0.3 Pa,减少散射,提高原子到达率30%;④把靶基距缩至50 mm并加-100 V偏压,增强离子牵引;⑤改用高溅射产额合金靶或旋转圆柱靶,有效面积↑1.8倍。经此金属表面处理优化,沉积速率可由5 nm min⁻¹提至15 nm min⁻¹,膜层性能不变,缩短金属表面处理真空镀膜节拍,降低金属表面处理运营成本。
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