不同半导体工艺中，卧式炉的操作流程有什么差异？​

赛瑞达智能电子装备（无锡）有限公司2025-04-19

扩散工艺时，先将硅片装载到石英舟上，放入卧式炉，关闭炉门。接着抽真空，再通入携带杂质原子的反应气体，按照设定的温度曲线升温，使杂质原子扩散进入硅片，扩散完成后降温，取出硅片。氧化工艺则是装载硅片、抽真空，通入氧气或水汽，按温度要求升温、保温，生长氧化层后降温取出。退火工艺是把硅片装入炉内，根据退火目的设置合适的温度和时间，升温到指定温度并保持一段时间，然后降温，消除硅片内部应力、改善晶体结构。可见，不同工艺在气体种类、温度控制、时间设置以及操作顺序上都有明显差异。

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