等离子去胶机处理InGaAs探测器台面时如何避免漏电？

深圳市方瑞科技有限公司2026-06-04

InGaAs材料在等离子体中易产生钝化缺陷导致暗电流增大。方瑞科技开发了“低温+ 低功率+ 纯CH₄/H₂”去胶工艺，完全去除光刻胶而化合物半导体表面无损伤。处理后探测器暗电流密度＜1nA/cm²。方瑞科技可进行I-V曲线测试对比。

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简介：专注于等离子设备的研发、生产和销售，服务于半导体、汽车、电子等多个行业，产品远销全球。

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