宿迁MOSFET选型参数产品介绍

TO-220与TO-220F

TO-220与TO-220F这两种封装的MOS管在外观上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配备了散热片，因此其散热效果相较于TO-220F更为出色。同时，由于成本因素，TO-220的价格也相对较高。这两种封装的产品都适用于中压大电流场合，其电流范围在120A以下，同时也可用于高压大电流场合，但电流需控制在20A以内。

TO-251封装

TO-251封装的产品旨在降低生产成本并减小产品尺寸，特别适用于中压大电流环境，电流范围控制在60A以下，同时也可用于高压环境，但需确保电流在7N以下。 无锡商甲半导体：产品矩阵完整，可为客户提供功率芯片全套解决方案及为前沿领域提供定制化服务.宿迁MOSFET选型参数产品介绍

  SGT MOS管是国产功率半导体在先进技术领域的突破。它将低导通电阻、极低栅极电荷、优异开关性能与高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的现代电力电子系统的理想选择。无论是应对严苛的能效挑战，还是实现高频小型化设计，亦或是构建更稳定可靠的系统，商甲半导体 SGT MOS管都展现出强大的“芯”实力，成为工程师设计下一代高效能产品的有力武器。选择商甲半导体的 SGT MOS管，就是选择高效、可靠、自主可控的功率解决方案。公司产品齐全，可广泛应用于工控、光伏、  储能、家电、照明、5G 通信、医疗、汽车等各行业多个领域。宿迁MOSFET选型参数产品介绍无锡商甲半导体有限公司的产品覆盖12V-1700V 功率芯片全系列，欢迎选购。

无锡商甲半导体提供专业mosfet产品,二十多年行业经验,提供技术支持,品质保证,**全国!发货快捷,质量保证.

MOSFET选型原则行业技术发展总趋势为：小型化、表贴化，高频化，高功率密度化，高效率化，高可靠性，集成化，绿色化。重点突出高频化，高功率密度化，高可靠性及集成化。

行业技术发展趋势主要体现在MOSFET芯片材料，晶圆技术，芯片技术及封装技术的演进及发展。

选型原则如下：禁止选用处于生命周期末期的插件封装器件（能源用TO220，TO247除外）及封装为SO8，DPAK的表贴器件。对于信号MOSFET推荐选用栅极集成TVS保护的小型化表贴器件。

无锡商甲半导体快速发展，**：包括但不限于博世、比亚迪、小米、美的、雅迪等。

（1）政策支持：国家出台了一系列政策，鼓励功率半导体产业的技术创新与国产替代，包括加大研发投入、支持企业技术改造等。

（2）技术突破：国内企业（如华微电子、士兰微）在SGT/SJ技术、SiCMOSFET等领域取得***进展，部分产品性能已接近国际先进水平。

（3）市场需求驱动：新能源汽车、AI服务器、光伏储能等新兴领域的快速发展，为国产功率半导体提供了广阔的市场空间。 预计到2025年，功率半导体在新能源汽车领域国产化率将达20%-25% 。

商甲半导体的MOS管产品线展现出的综合优势：

高效： 低Rds(on)与低Qg的完美结合，使得器件在导通损耗和开关损耗上都达到优异水平，***提升系统效率，满足日益严苛的能效标准。

运行能力： 优异的开关特性使其非常适合于LLC谐振转换器、同步整流、高频DC-DC变换器等需要数百kHz甚至MHz级开关频率的应用场景，助力实现电源小型化、轻量化。

热性能： 低损耗直接转化为更低的温升，结合优化的封装热阻 (Rthja)，提升了功率密度和长期运行可靠性。

强大的鲁棒性： 良好的雪崩耐量 (Eas) 和抗冲击能力，确保器件在浪涌、短路等异常情况下具有更高的生存概率。国产供应链保障： 公司运营为Fabless模式，芯片自主设计并交由芯片代工企业进行代工生产，其后委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试，自主销售。商甲半导体提供稳定可靠的供货保障，助力客户降低供应链风险，推动功率元器件国产化进程。 在手机、笔记本电脑、电动自行车、新能源汽车等设备的电池管理系统中，商甲半导体多款中低压产品广泛应用。宿迁MOSFET选型参数产品介绍

商甲半导体30V产品主要用于PC主板和显卡、马达驱动、BMS、电动工具、无线充；宿迁MOSFET选型参数产品介绍

Trench工艺

定义和原理

Trench工艺是一种三维结构的MOSFET加工技术，通过挖掘沟槽（Trench）的方式，在硅衬底内部形成沟槽结构，使得源、漏、栅三个区域更为独一立，并能有效降低器件的漏电流。

制造过程

蚀刻沟槽：在硅片表面进行刻蚀，形成Trench结构。

填充绝缘层：在沟槽内填充绝缘材料，防止漏电。

栅极沉积：在沟槽开口处沉积金属形成栅极。

特点

提高了器件的性能和稳定性，减小漏电流。

适用于高功率、高频应用。

制作工艺复杂，成本较高。 宿迁MOSFET选型参数产品介绍

公司介绍

无锡商甲半导体是一家功率芯片设计公司，团队具有18年以上研发、销售及运营经验，专业从事各类高性能MOSFET、IGBT、SIC、Gan产品的研发、生产与销售。专注提供高性价比的元器件供应与定制服务，满足企业研发需求。

产品供应品类：专业从事各类高性能MOSFET、IGBT、SIC、Gan产品的研发、生产与销售。

支持样品定制与小批量试产，让“品质优先”贯穿从研发到交付的每一环。

公司秉承:“致力于功率半导体的设计与营销,参与和传承功率半导体的发展”的愿景,坚持“质量至上、创新驱动”的发展策略,遵循“问题解决+产品交付+售后服务”的营销法则,努力将公司建设成一个具有国际竞争力的功率半导体器件供应商。