广西500V至900V SJ超结MOSFETMOSFET选型参数

碳化硅材料特性

高击穿电场:碳化硅的禁带宽度约为硅基材料的3倍，临界击穿场强约为硅基材料的10倍，这意味着碳化硅器件能够在更高电压下稳定工作，可承受更高电压，这使得碳化硅MOSFET模块在高压应用中具有更好的耐压性能和可靠性，如在智能电网、电动汽车等领域。

高热导率:碳化硅的热导率约是硅基材料的3倍，能快速散热，确保器件工作时不会因过热而性能下降。这一特性对于高功率密度的碳化硅MOSFET模块尤为重要，能够有效提高其在高功率工作状态下的稳定性和寿命。

高频特性:碳化硅的电子饱和漂移速率约是硅基材料的2倍，大幅提升了器件的开关速度，显著提高电力转换系统的效率和功率密度。这使得碳化硅MOSFET模块在高频应用中表现出色，如在通信电源、数据中心等领域。 商甲半导体治理成为功率半导体解决方案领航者，聚焦功率芯片（如DrMOS、SiC、GaN）的自主研发与国产替代。广西500V至900V SJ超结MOSFETMOSFET选型参数

无锡商甲半导体提供专业mosfet产品,多年行业经验,提供技术支持,销向全国!发货快捷,质量保证.

什么是MOSFET?它有什么作用?

MOSFET是一种可以使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。同时也是利用率**频率比较高的器件之一，那么了解MOSFET的关键指标是非常有必要的。

第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。

第二步：确定额定电流第二步是选择MOSFET的额定电流。

第三步：确定热要求选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求。

第四步：决影响开关性能的参数有很多，但**重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOSFET的开关速度因此被降低，器件效率也下降。 广西500V至900V SJ超结MOSFETMOSFET选型参数商甲半导体为您提供半导体功率器件服务，助您应对研发挑战,实现技术突破。

电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上），无锡商甲半导体提供Trench/SGT/SJ MOS 等产品，产品型号全，可供客户挑选送样测试。

功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备;消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品;工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。

除了保证这些设备的正常运行以外，功率器件还能起到有效的节能作用。由于电子产品的需求以及能效要求的不断提高，中国功率器件市场一直保持较快的发展速度。

无锡商甲半导体

封装选用主要结合系统的结构设计，热设计，单板加工工艺及可靠性考虑，选择具有合适封装形式及热阻的封装。常见功率MOSFET封装为DPAK、D2PAK、PowerPAK 5X6、PowerPAK 3X3、DirectFET、TO220、TO247，小信号MOSFET对应的SOT23，SOT323等，后继引进中主要考虑PowerPAK 8X8，PowerPAK SO8 5X6 Dual，PowerPAK 5X6 dual cool，SO8封装器件在行业属退出期器件，选型时禁选，DPAK封装器件在行业属饱和期器件，选型时限选；插件封装在能源场景应用中推荐，比如TO220，TO247。 商甲半导体成立于2023年8月，总部位于江苏无锡，是一家功率芯片fabless设计公司。

商家半导体有各类封装的MOSFET产品。

功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下：

1. 驱动方式：场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小；功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件选择困难，驱动条件会影响开关速度。

2. 开关速度：场效应管无少数载流子存储效应，温度影响小，开关工作频率可达150KHz以上；功率晶体管有少数载流子存储时间限制其开关速度，工作频率一般不超过50KHz。

3. 安全工作区：功率场效应管无二次击穿，安全工作区宽；功率晶体管存在二次击穿现象，限制了安全工作区。

4. 导体电压：功率场效应管属于高电压型，导通电压较高，有正温度系数；功率晶体管无论耐电压的高低，导体电压均较低，具有负温度系数。

5. 峰值电流：功率场效应管在开关电源中用做开关时，在启动和稳态工作时，峰值电流较低；而功率晶体管在启动和稳态工作时，峰值电流较高。

6. 产品成本：功率场效应管的成本略高；功率晶体管的成本稍低。

7. 热击穿效应：功率场效应管无热击穿效应；功率晶体管有热击穿效应。8. 开关损耗：场效应管的开关损耗很小；功率晶体管的开关损耗比较大。 商家半导体保障您的功率器件 器件性能稳定。广西500V至900V SJ超结MOSFETMOSFET选型参数

商甲半导体提供便携式储能应用MOSFET选型。广西500V至900V SJ超结MOSFETMOSFET选型参数

  无锡商甲半导体有限公司有SGT MOSFET、Trench MOSFET等产品。

   SGT MOSFET：一种创新的沟槽式功率MOSFET，具备更低的导通电阻，性能更加稳定

  SGT-MOSFET（屏蔽栅沟槽MOSFET）是一种创新的沟槽式功率MOSFET，基于传统沟槽式MOSFET（U-MOSFET）的改进。通过运用电荷平衡技术理论，SGT-MOSFET在传统功率MOSFET中引入额外的多晶硅场板进行电场调制，从而提升了器件的耐压能力和降低了导通电阻。

  这种结构设计使得SGT-MOSFET具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性优越等***特点。屏蔽栅在漂移区中的作用相当于体内场板，使得SGT-MOSFET在导通电阻R_(ON(SP))和品质因数(FOM=Ron*Qg)等方面具有***优势，有效地提高了系统的能源利用效率。 广西500V至900V SJ超结MOSFETMOSFET选型参数

无锡商甲半导体有限公司成立于2023年8月3日，注册地位于无锡经济开发区太湖湾信息技术产业园1号楼908室。公司专注于功率半导体器件的研发设计与销售，采用Fabless模式开发Trench MOSFET、IGBT等产品，截至2023年12月，公司已设立深圳分公司拓展华南市场 ，并获评2024年度科技型中小企业。

无锡商甲半导体有限公司利用技术优势，以国内***技术代Trench/SGT产品作为***代产品；产品在FOM性能方面占据***优势，结合先进封装获得的更高电流密度；打造全系列N/P沟道车规级MOSFET，为日益增长的汽车需求助力；打造全系列CSPMOSFET，聚焦SmallDFN封装；未来两年内做全硅基产品线并拓展至宽禁带领域；