红外光谱热红外显微镜分析

作为国内少数掌握 Thermal EMMI 技术并实现量产的企业之一，致晟光电在设备国产化和产业落地方面取得了双重突破。设备在光路设计、探测器匹配、样品平台稳定性等关键环节均采用自主方案，确保整机性能稳定且易于维护。更重要的是，致晟光电深度参与国内封测厂、晶圆厂及科研机构的失效分析项目，将 Thermal EMMI 不仅用于研发验证，还延伸至生产线质量监控和来料检测。这种从实验室走向产线的转变，意味着 Thermal EMMI 不再只是少数工程师的“显微镜”，而是成为支撑国产半导体产业质量提升的重要装备。通过持续优化算法、提升检测效率，致晟光电正推动 Thermal EMMI 技术在国内形成成熟的应用生态，为本土芯片制造保驾护航。热红外显微镜成像仪通过将热红外信号转化为可视化图像，直观呈现样品的温度分布差异。红外光谱热红外显微镜分析

此外，致晟光电自主研发的热红外显微镜thermal emmi还能对芯片内部关键半导体结点的温度进行监测，即结温。结温水平直接影响器件的稳定运行和使用寿命，过高的结温会加速性能衰减。依托其高空间分辨率的热成像能力，热红外显微镜不仅能够实现结温的精确测量，还能为研发人员提供详尽的热学数据，辅助制定合理的散热方案。借助这一技术，工程师能够在芯片研发、测试和应用各环节中掌握其热特性，有效提升芯片的可靠性和整体性能表现。 IC热红外显微镜功能热红外显微镜支持多种样品载物台适配，能满足固体、薄膜等不同形态微观样品的热观测需求。

致晟光电在推进产学研一体化进程中，积极开展多层次校企合作。公司依托南京理工大学光电技术学院，专注于微弱光电信号分析相关产品及应用的研发。双方联合攻克技术难题，不断优化实时瞬态锁相红外热分析系统（RTTLIT），使其温度灵敏度达到0.0001℃，功率检测限低至1μW，部分性能指标在特定功能上已超过进口设备。

除了与南京理工大学的紧密合作外，致晟光电还与多所高校建立了协作关系，搭建起学业与就业贯通的人才孵化平台。平台覆盖研发设计、生产实践、项目管理等全链条，为学生提供系统化的实践锻炼机会，培养出大量具备实际操作能力的专业人才，为企业创新发展注入源源动力。同时，公司通过建立科研成果产业孵化绿色通道，使高校前沿科研成果能够快速转化为实际生产力，实现科研资源与企业市场转化能力的有效结合，推动产学研协同创新迈上新台阶。

Thermal EMMI 在第三代半导体器件检测中发挥着关键作用。第三代半导体以氮化镓、碳化硅等材料，具有耐高温、耐高压、高频的特性，广泛应用于新能源汽车、5G 通信等领域。但这类器件在制造和工作过程中，容易因材料缺陷或工艺问题产生漏电和局部过热，影响器件可靠性。thermal emmi 凭借其高灵敏度的光信号和热信号检测能力，能定位这些缺陷。例如，在检测氮化镓功率器件时，可同时捕捉漏电产生的微光和局部过热信号，帮助工程师分析缺陷产生的原因，优化器件结构和制造工艺，提升第三代半导体器件的质量。通过接收样品自身发射的热红外辐射，经光学系统聚焦后转化为电信号，实现样品热分布分析。

在集成电路封装环节，热管理问题一直是影响器件性能与寿命的**因素。随着芯片集成度的不断提升，封装内部的发热现象越来越复杂，传统的热测试手段往往无法在微观尺度上准确呈现温度分布。热红外显微镜凭借非接触、高分辨率的成像特点，可以在器件工作状态下实时捕捉发热点的动态变化。这一优势使工程师能够清晰观察封装内部散热路径是否合理，是否存在热堆积或界面热阻过高的情况。通过对成像结果的分析，设计团队能够优化封装材料选择和散热结构布局，从而大幅提升芯片的稳定性与可靠性。热红外显微镜的引入，不仅加速了封装设计的验证流程，也为新型高性能封装技术的开发提供了有力的实验依据。存在缺陷或性能不佳的半导体器件通常会表现出异常的局部功耗分布，终会导致局部温度增高。红外光谱热红外显微镜分析

在半导体行业高度集成化趋势加速、制程工艺持续突破的当下，热红外显微镜是失效分析领域得力工具。红外光谱热红外显微镜分析

热红外显微镜是半导体失效分析与缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通过捕捉故障点产生的异常热辐射，实现精细定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表现为局部功耗异常，导致微区温度升高。显微热分布测试系统结合热点锁定技术，能够高效识别这些区域。热点定位是一种动态红外热成像方法，通过调节电压提升分辨率与灵敏度，并借助算法优化信噪比。在集成电路（IC）分析中，该技术广泛应用于定位短路、ESD损伤、缺陷晶体管、二极管失效及闩锁问题等关键故障。红外光谱热红外显微镜分析