半导体微光显微镜

在致晟光电的微光显微镜系统中，光发射显微技术凭借优化设计的光学系统与制冷型 InGaAs 探测器，能够捕捉低至皮瓦（pW）级别的微弱光子信号。这一能力使其在检测栅极漏电、PN 结微短路等低强度发光失效问题时，展现出灵敏度与可靠性。同时，微光显微镜具备非破坏性的检测特性，确保器件在分析过程中不受损伤，既适用于研发阶段的失效分析，也满足量产阶段对质量管控的严苛要求。其亚微米级的空间分辨率，更让微小缺陷无所遁形，为高精度芯片分析提供了有力保障。
微光显微镜降低了分析周期成本，加速问题闭环解决。半导体微光显微镜

致晟光电热红外显微镜采用高性能 InSb（铟锑）探测器，用于中波红外波段（3–5 μm）热辐射信号的高精度捕捉。InSb 材料具备优异的光电转换效率和极低本征噪声，在制冷条件下可实现 nW 级热灵敏度与优于 20 mK 的温度分辨率，支持高精度、非接触式热成像分析。该探测器在热红外显微系统中的应用，不仅提升了空间分辨率（可达微米量级）与温度响应线性度，还能对半导体器件和微电子系统中的局部发热缺陷、热点迁移及瞬态热行为进行精细刻画。结合致晟光电自主研发的高数值孔径光学系统与稳态热控平台，InSb 探测器可在多物理场耦合环境下实现高时空分辨的热场成像，是先进电子器件失效分析、电热耦合机理研究以及材料热特性评估中的前沿技术。检测用微光显微镜联系人在电路调试中，微光显微镜能直观呈现电流异常区域。

EMMI 的技术基于半导体物理原理，当半导体器件内部存在缺陷导致异常电学行为时，会引发电子 - 空穴对的复合，进而产生光子发射。设备中的高灵敏度探测器如同敏锐的 “光子猎手”，能将这些微弱的光信号捕获。例如，在制造工艺中，因光刻偏差或蚀刻过度形成的微小短路，传统检测手段难以察觉，EMMI 却能凭借其对光子的探测，将这类潜在问题清晰暴露，助力工程师快速定位，及时调整工艺参数，避免大量不良品的产生，极大提升了半导体制造的良品率与生产效率。

在研发阶段，当原型芯片出现逻辑错误、漏电或功耗异常等问题时，工程师可以利用微光显微镜、探针台等高精度设备对失效点进行精确定位，并结合电路仿真、材料分析等方法，追溯至可能存在的设计缺陷，如布局不合理、时序偏差，或工艺参数异常，从而为芯片优化提供科学依据。

在量产环节，如果出现批量性失效，失效分析能够快速判断问题源自光刻、蚀刻等工艺环节的稳定性不足，还是原材料如晶圆或光刻胶的质量波动，并据此指导生产线参数调整，降低报废率，提高整体良率。在应用阶段，对于芯片在终端设备如手机、汽车电子中出现的可靠性问题，结合环境模拟测试与失效机理分析，可以指导封装设计优化、材料选择改进，提升芯片在高温或长期使用等复杂工况下的性能稳定性。通过研发、量产到应用的全链条分析，失效分析不仅能够发现潜在问题，还能够推动芯片设计改进、工艺优化和产品可靠性提升，为半导体企业在各个环节提供了***的技术支持和保障，确保产品在实际应用中表现可靠，降低风险并提升市场竞争力。 技术员依靠图像快速判断。

该设备搭载的 - 80℃深制冷型 InGaAs 探测器与高分辨率显微物镜形成黄金组合，从硬件层面确保了超高检测灵敏度的稳定输出。这种良好的性能使其能够突破微光信号检测的技术瓶颈，即便在微弱漏电流环境下，依然能捕捉到纳米级的极微弱发光信号，将传统设备难以识别的细微缺陷清晰呈现。作为半导体制造领域的关键检测工具，它为质量控制与失效分析提供了可靠的解决方案：在生产环节，可通过实时监测提前发现潜在的漏电隐患，帮助企业从源头把控产品质量；在失效分析阶段，借助高灵敏度成像技术，能快速锁定漏电缺陷的位置，并支持深度溯源分析，为工程师优化生产工艺提供精密的数据支撑。 国外微光显微镜价格常高达千万元，门槛极高。实时成像微光显微镜分析

微光显微镜支持背面与正面双向检测，提高分析效率。半导体微光显微镜

在半导体MEMS器件检测领域，微光显微镜凭借超灵敏的感知能力，展现出不可替代的技术价值。MEMS器件的中心结构多以微米级尺度存在，这些微小部件在运行过程中产生的红外辐射变化极其微弱——其信号强度往往低于常规检测设备的感知阈值，却能被微光显微镜捕捉。借助先进的光电转换与信号放大技术，微光显微镜可将捕捉到的微弱红外辐射信号转化为直观的动态图像；搭配专业图像分析工具，能进一步量化提取结构的位移幅度、振动频率等关键参数。这种非接触式检测方式，从根本上规避了传统接触式测量对微结构的物理干扰，确保检测数据真实反映器件运行状态，为MEMS器件的设计优化、性能评估及可靠性验证提供了关键技术支撑。半导体微光显微镜