显微微光显微镜应用

对于半导体研发工程师而言，排查失效问题往往是一场步步受阻的过程。在逐一排除外围电路异常、生产工艺缺陷等潜在因素后，若仍无法定位问题根源，往往需要依赖芯片原厂介入，借助剖片分析手段深入探查芯片内核。然而现实中，由于缺乏专业的失效分析设备，再加之芯片内部设计牵涉大量专有与保密信息，工程师很难真正理解其底层构造。这种信息不对称，使得他们在面对原厂出具的分析报告时，往往陷入“被动接受”的困境——既难以验证报告中具体结论的准确性，也难以基于自身判断提出更具针对性的质疑或补充分析路径。致晟光电持续精进微光显微技术，通过算法优化提升微光显微的信号处理效率。显微微光显微镜应用

近年来，国产微光显微镜 EMMI 设备在探测灵敏度、成像速度和算法处理能力方面取得***进步。一些本土厂商针对国内芯片制造和封测企业的需求，优化了光路设计和信号处理算法，使得设备在弱信号条件下依然能够保持清晰成像。例如，通过深度去噪算法和 AI 辅助识别，系统可以自动区分真实缺陷信号与环境噪声，减少人工判断误差。这不仅提升了分析效率，也为大规模失效分析任务提供了可行的自动化解决方案。随着这些技术的成熟，微光显微镜 EMMI 有望从实验室**工具扩展到生产线质量监控环节，进一步推动国产芯片产业链的自主可控。制冷微光显微镜范围故障类型与位置被快速识别。

短路是芯片失效中常见且重要的诱发因素。当芯片内部电路发生短路时，受影响区域会形成异常电流通路，导致局部温度迅速升高，并伴随特定波长的光发射现象。

致晟光电微光显微镜（EMMI）凭借其高灵敏度，能够捕捉到这些由短路引发的微弱光信号，并通过对光强分布、空间位置等特征进行综合分析，实现对短路故障点的精确定位。以一款高性能微处理器芯片为例，其在测试过程中出现不明原因的功耗异常增加，工程师初步怀疑芯片内部存在短路隐患。

致晟光电的EMMI微光显微镜依托公司在微弱光信号处理领域技术，将半导体器件在通电状态下产生的极低强度光信号捕捉并成像。当器件内部存在PN结击穿、漏电通道、金属迁移等缺陷时，会释放特定波长的光子。致晟光电通过高灵敏度InGaAs探测器、低噪声光学系统与自研信号放大算法，实现了对纳瓦级光信号的高信噪比捕捉。该技术无需破坏样品，即可完成非接触式检测，尤其适合3D封装、先进制程芯片的缺陷定位。凭借南京理工大学科研力量支持，公司在探测灵敏度、数据处理速度、图像质量等方面，帮助客户更快完成失效分析与良率优化。面对高密度集成电路，Thermal EMMI 凭借高空间分辨率，定位微米级热异常区域。

致晟光电热红外显微镜采用高性能 InSb（铟锑）探测器，用于中波红外波段（3–5 μm）热辐射信号的高精度捕捉。InSb 材料具备优异的光电转换效率和极低本征噪声，在制冷条件下可实现 nW 级热灵敏度与优于 20 mK 的温度分辨率，支持高精度、非接触式热成像分析。该探测器在热红外显微系统中的应用，不仅提升了空间分辨率（可达微米量级）与温度响应线性度，还能对半导体器件和微电子系统中的局部发热缺陷、热点迁移及瞬态热行为进行精细刻画。结合致晟光电自主研发的高数值孔径光学系统与稳态热控平台，InSb 探测器可在多物理场耦合环境下实现高时空分辨的热场成像，是先进电子器件失效分析、电热耦合机理研究以及材料热特性评估中的前沿技术。在电路调试中，微光显微镜能直观呈现电流异常区域。高分辨率微光显微镜原理

微光显微镜通过图像处理叠加信号图与背景图，精确定位发光点位置。显微微光显微镜应用

半导体行业持续向更小尺寸、更高集成度方向迈进，这对检测技术提出了更高要求。EMMI 顺应这一趋势，不断创新发展。一方面，研发团队致力于进一步提升探测器灵敏度，使其能够探测到更微弱、更罕见的光信号，以应对未来半导体器件中可能出现的更细微缺陷；另一方面，通过优化光学系统与信号处理算法，提高 EMMI 对复杂芯片结构的穿透能力与检测精度，确保在先进制程工艺下，依然能够精细定位深埋于芯片内部的故障点，为半导体技术持续突破保驾护航。显微微光显微镜应用