实时成像微光显微镜设备

例如，当某批芯片在测试中出现漏电失效时，微光显微镜能够准确定位具体的失效位置，为后续分析提供坚实基础。通过该定位信息，工程师可结合聚焦离子束（FIB）切割技术，对芯片截面进行精细观察，从而追溯至栅氧层缺陷或氧化工艺异常等具体问题环节。这一能力使得微光显微镜在半导体失效分析中成为定位故障点的重要工具，其高灵敏度的探测性能和高效的分析流程，为问题排查与解决提供了不可或缺的支撑。

在芯片研发阶段，该设备可以帮助研发团队快速锁定设计或工艺中的潜在隐患，避免资源浪费和试错成本的增加；在量产环节，微光显微镜能够及时发现批量性失效的源头，为生产线的调整和优化争取宝贵时间，降低经济损失；在产品应用阶段，它还能够为可靠性问题的排查提供参考，辅助企业提升产品质量和市场信誉。无论是面向先进制程的芯片研发，还是成熟工艺的量产检测，这套设备凭借其独特技术优势，在失效分析流程中发挥着不可替代的作用，为半导体企业实现高效运转和技术升级提供了有力支持。 Thermal EMMI 无需破坏封装，对芯片进行无损检测，有效定位 PN 结热漏电故障。实时成像微光显微镜设备

EMMI（Emission Microscopy，微光显微镜）是一种基于微弱光发射成像原理的“微光显微镜”，广泛应用于集成电路失效分析。其本质在于：通过高灵敏度的InGaAs探测器，捕捉芯片在加电或工作状态下因缺陷、漏电或击穿等现象而产生的极其微弱的自发光信号。这些光信号通常位于近红外波段，功率极低，肉眼无法察觉，必须借助专门设备放大成像。相比传统的结构检测方法，EMMI无需破坏样品，也无需额外激发源，具备非接触、无损伤、定位等优势。其空间分辨率可达微米级，可用于闩锁效应、栅氧击穿、短路、漏电等问题的初步诊断，是构建失效分析闭环的重要手段之一。
检测用微光显微镜探测器微光显微镜支持多光谱成像，拓宽了研究维度。

致晟光电的EMMI微光显微镜依托公司在微弱光信号处理领域技术，将半导体器件在通电状态下产生的极低强度光信号捕捉并成像。当器件内部存在PN结击穿、漏电通道、金属迁移等缺陷时，会释放特定波长的光子。致晟光电通过高灵敏度InGaAs探测器、低噪声光学系统与自研信号放大算法，实现了对纳瓦级光信号的高信噪比捕捉。该技术无需破坏样品，即可完成非接触式检测，尤其适合3D封装、先进制程芯片的缺陷定位。凭借南京理工大学科研力量支持，公司在探测灵敏度、数据处理速度、图像质量等方面，帮助客户更快完成失效分析与良率优化。

在实际开展失效分析工作前，通常需要准备好检测样品，并完成一系列前期验证，以便为后续分析提供明确方向。通过在早期阶段进行充分的背景调查与电性能验证，工程师能够快速厘清失效发生的环境条件和可能原因，从而提升分析的效率与准确性。

首先，失效背景调查是不可或缺的一步。它需要对芯片的型号、应用场景及典型失效模式进行收集和整理，例如短路、漏电、功能异常等。同时，还需掌握失效比例和使用条件，包括温度、湿度和电压等因素。

微光显微镜提升了芯片工艺优化中的热、电异常定位效率。

致晟光电微光显微镜emmi应用领域对于失效分析而言，微光显微镜是一种相当有用，且效率极高的分析工具，主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination会放出光子，例如：在PN Junction加偏压，此时N的电子很容易扩散到P， 而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴做EHP Recombination。 侦测到亮点之情况    会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应；5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。故障类型与位置被快速识别。制冷微光显微镜24小时服务

Thermal EMMI 通过检测半导体缺陷处的热致光子发射，定位芯片内部隐性电失效点。实时成像微光显微镜设备

致晟光电的EMMI微光显微镜已广泛应用于集成电路制造、封测、芯片设计验证等环节。在失效分析中，它可以快速锁定ESD损伤点、漏电通道、局部短路以及工艺缺陷，从而帮助客户在短时间内完成问题定位并制定改进方案。在先进封装领域，如3D-IC、Fan-out封装，EMMI的非破坏检测能力尤为重要，可在不影响器件结构的情况下进行检测。致晟光电凭借灵活的系统定制能力，可根据不同企业需求调整探测波段、成像速度与台面尺寸，为国内外客户提供定制化解决方案，助力提高产品可靠性与市场竞争力。实时成像微光显微镜设备