显微微光显微镜原理

定位短路故障点短路是造成芯片失效的关键诱因之一。

当芯片内部电路发生短路时，短路区域会形成异常电流通路，引发局部温度骤升，并伴随特定波长的光发射现象。EMMI（微光显微镜）凭借其超高灵敏度，能够捕捉这些由短路产生的微弱光信号，再通过对光信号的强度分布、空间位置等特征进行综合分析，可实现对短路故障点的精确定位。

以一款高性能微处理器芯片为例，其在测试中出现不明原因的功耗激增问题，技术人员初步判断为内部电路存在短路隐患。通过EMMI对芯片进行全域扫描检测，在极短时间内便在芯片的某一特定功能模块区域发现了光发射信号。结合该芯片的电路设计图纸和版图信息进行深入分析，终锁定故障点为两条相邻的铝金属布线之间因绝缘层破损而发生的短路。这一定位为后续的故障修复和工艺改进提供了直接依据。 微光显微镜的自动瑕疵分类系统，可依据发光的强度、形状等特征进行归类，提高检测报告的生成效率。显微微光显微镜原理

OBIRCH与EMMI技术在集成电路失效分析领域中扮演着互补的角色，其主要差异体现在检测原理及应用领域。具体而言，EMMI技术通过光子检测手段来精确定位漏电或发光故障点，而OBIRCH技术则依赖于激光诱导电阻变化来识别短路或阻值异常区域。这两种技术通常被整合于同一检测系统（即PEM系统）中，其中EMMI技术在探测光子发射类缺陷，如漏电流方面表现出色，而OBIRCH技术则对金属层遮蔽下的短路现象具有更高的敏感度。例如，EMMI技术能够有效检测未开封芯片中的失效点，而OBIRCH技术则能有效解决低阻抗（<10 ohm）短路问题。非制冷微光显微镜性价比在航空航天芯片检测中，它可定位因辐射导致的芯片损伤，为航天器电子设备的稳定运行保驾护航。

随着器件尺寸的逐渐变小，MOS器件的沟道长度也逐渐变短。短沟道效应也愈发严重。短沟道效应会使得MOS管的漏结存在一个强电场，该电场会对载流子进行加速，同时赋予载流子一个动能，该载流子会造成中性的Si原子被极化，产生同样带有能量的电子与空穴对，这种电子与空穴被称为热载流子，反映在能带图中就是电位更高的电子和电位更低的空穴。一部分热载流子会在生成后立马复合，产生波长更短的荧光，另一部分在电场的作用下分离。电子进入栅氧层，影响阈值电压，空穴进入衬底，产生衬底电流。归因于短沟道效应能在MOS管的漏端能看到亮点，同样在反偏PN结处也能产生强场，也能观察到亮点。

考虑到部分客户的特殊应用场景，我们还提供Thermal&EMMI的个性化定制服务。无论是设备的功能模块调整、性能参数优化，还是外观结构适配，我们都能根据您的具体需求进行专属设计与研发。凭借高效的研发团队和成熟的生产体系，定制项目通常在 2-3 个月内即可完成交付，在保证定制灵活性的同时，充分兼顾了交付效率，让您的特殊需求得到及时且满意的答案。致晟光电始终致力于为客户提供更可靠、更贴心的服务，期待与您携手共进，共创佳绩。针对接面漏电，我司微光显微镜能侦测其光子定位位置，利于筛选不良品，为改进半导体制造工艺提供数据。

在半导体芯片漏电检测中，微光显微镜为工程师快速锁定问题位置提供了关键支撑。当芯片施加工作偏压时，设备即刻启动检测模式 —— 此时漏电区域因焦耳热效应会释放微弱的红外辐射，即便辐射功率为 1 微瓦，高灵敏度探测器也能捕捉到这一极微弱信号。这种检测方式的在于，通过热成像技术将漏电点的红外辐射转化为可视化热图，再与电路版图进行叠加分析，可实现漏电点的微米级精确定位。相较于传统检测手段，微光设备无需拆解芯片即可完成非接触式检测，既避免了对芯片的二次损伤，又能在不干扰正常电路工作的前提下，捕捉到漏电区域的细微热信号。配备的自动对焦系统，能快速锁定检测区域，减少人工操作时间，提高检测效率。红外光谱微光显微镜规格尺寸

我司微光显微镜探测芯片封装打线及内部线路短路产生的光子，快速定位短路位置，优势独特。显微微光显微镜原理

半导体材料分为直接带隙半导体和间接带隙半导体，而Si是典型的直接带隙半导体，其禁带宽度为1.12eV。所以当电子与空穴复合时，电子会弹射出一个光子，该光子的能量为1.12eV，根据波粒二象性原理，该光子的波长为1100nm，属于红外光区。通俗的讲就是当载流子进行复合的时候就会产生1100nm的红外光。这也就是产生亮点的原因之一：载流子复合。所以正偏二极管的PN结处能看到亮点。如果MOS管产生latch-up现象，（体寄生三极管导通）也会观察到在衬底处产生荧光亮点。显微微光显微镜原理