中波热红外显微镜

在失效分析的有损分析中，打开封装是常见操作，通常有三种方法。全剥离法会将集成电路完全损坏，留下完整的芯片内部电路。但这种方法会破坏内部电路和引线，导致无法进行电动态分析，适用于需观察内部电路静态结构的场景。局部去除法通过特定手段去除部分封装，优点是开封过程不会损坏内部电路和引线，开封后仍可进行电动态分析，能为失效分析提供更丰富的动态数据。自动法则是利用硫酸喷射实现局部去除，自动化操作可提高效率和精度，不过同样属于破坏性处理，会对样品造成一定程度的损伤。

热红外显微镜对集成电路进行热检测，排查内部隐藏故障 。中波热红外显微镜

热红外显微镜在半导体IC裸芯片热检测中发挥着关键作用。对于半导体IC裸芯片而言，其内部结构精密且集成度高，微小的热异常都可能影响芯片性能甚至导致失效，因此热检测至关重要。热红外显微镜能够非接触式地对裸芯片进行热分布成像与分析，清晰捕捉芯片工作时的温度变化情况。它可以定位芯片上的热点区域，这些热点往往是由电路设计缺陷、局部电流过大或器件老化等问题引起的。通过对热点的检测和分析，工程师能及时发现芯片潜在的故障风险，为优化芯片设计、改进制造工艺提供重要依据。同时，该显微镜还能测量裸芯片内部关键半导体结点的温度，也就是结温。结温是评估芯片性能和可靠性的重要参数，过高的结温会缩短芯片寿命，影响其稳定性。热红外显微镜凭借高空间分辨率的热成像能力，可实现对结温的测量，帮助研发人员更好地掌握芯片的热特性，从而制定合理的散热方案，提升芯片的整体性能与可靠性。国产热红外显微镜规格尺寸在半导体制造中，通过逐点热扫描筛选热特性不一致的晶圆，提升良率。

热红外是红外光谱中波长介于 3–18 微米的谱段，其能量主要来自物体自身的热辐射，而非对外界光源的反射。该波段可细分为中红外（3–8 μm）、长波红外（8–15 μm）和超远红外（15–18 μm），其热感应本质源于分子热振动产生的电磁波辐射，辐射强度与物体温度正相关。在应用上，热红外利用大气窗口（3–5 μm、8–14 μm）实现高精度的地表遥感监测，并广泛应用于热成像、气体探测等领域。现代设备如 TIRS-2 和 O-PTIR 等，已将热红外技术的空间分辨率提升至纳米级水平。

RTTLIT P10 热红外显微镜在光学配置上的灵活性，可通过多种可选物镜得以充分体现，为不同尺度、不同场景的热分析需求提供精细适配。

Micro 广角镜头擅长捕捉大视野范围的整体热分布，适合快速定位样品宏观热异常区域，如整片晶圆的整体散热趋势观测；0.2X 镜头在保持一定视野的同时提升细节捕捉能力，可用于中等尺寸器件（如传感器模组）的热行为分析，平衡效率与精度；0.4X 镜头进一步聚焦局部，能清晰呈现芯片封装级的热分布特征，助力排查封装缺陷导致的散热不均问题；1X 与 3X 镜头则聚焦微观尺度，1X 镜头可解析芯片内部功能模块的热交互，3X 镜头更是能深入到微米级结构（如晶体管阵列、引线键合点），捕捉纳米级热点的细微温度波动。

热红外显微镜可实时监测电子设备运行中的热变化，预防过热故障 。

热红外显微镜（Thermal EMMI）技术，作为半导体失效分析领域的关键手段，通过捕捉器件内部产生的热辐射，实现失效点的精细定位。它凭借对微观热信号的高灵敏度探测，成为解析半导体故障的 “火眼金睛”。然而，随着半导体技术不断升级，器件正朝着超精细图案制程与低供电电压方向快速演进：线宽进入纳米级，供电电压降至 1V 以下。这使得失效点（如微小短路、漏电流区域）产生的热量急剧减少，其辐射的红外线信号强度降至传统检测阈值边缘，叠加芯片复杂结构的背景辐射干扰，信号提取难度呈指数级上升。
评估 PCB 走线布局、过孔设计对热分布的影响，指导散热片、导热胶的选型与 placement。IC热红外显微镜品牌

分析倒装芯片（Flip Chip）、3D 封装（TSV）的层间热传导异常，排查焊球阵列、TSV 通孔的热界面失效。中波热红外显微镜

近年来，非制冷热红外显微镜价格呈下行趋势。在技术进步层面，国内红外焦平面阵列芯片技术不断突破，像元间距缩小、阵列规模扩大，从早期的 17μm、384×288 发展到如今主流的 12μm 像元，1280 ×1 024、1920 × 1080 阵列规模实现量产，如大立科技等企业推动技术升级，提升生产效率，降低单台设备成本。同时，国产化进程加速，多家本土厂商崛起，如我司推出非制冷型锁相红外显微镜，打破进口垄断格局，市场竞争加剧，促使产品价格更加亲民。中波热红外显微镜