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低温热微光显微镜内容

来源: 发布时间:2025年07月17日

EMMI 微光显微镜作为集成电路失效分析的重要设备,其漏电定位功能对于失效分析工程师而言是不可或缺的工具。在集成电路领域,对芯片的可靠性有着极高的要求。在芯片运行过程中,微小漏电现象较为常见,且在特定条件下,这些微弱的漏电可能会被放大,导致芯片乃至整个控制系统的失效。因此,芯片微漏电现象在集成电路失效分析中占据着至关重要的地位。此外,考虑到大多数集成电路的工作电压范围在3.3V至20V之间,工作电流即便是微安或毫安级别的漏电流也足以表明芯片已经出现失效。因此,准确判断漏流位置对于确定芯片失效的根本原因至关重要。 微光显微镜支持宽光谱探测模式,探测范围从紫外延伸至近红外,能满足不同材料的光子检测,适用范围更广。低温热微光显微镜内容

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选择国产 EMMI 微光显微镜,既是拥抱技术自主,更是抢占效率与成本的双重优势!致晟光电全本土化研发实力,与南京理工大学光电技术学院深度携手,致力于光电技术研究和产业化应用,充分发挥其科研优势,构建起产学研深度融合的技术研发体系。

凭借这一坚实后盾,我们的 EMMI 微光显微镜在性能上实现更佳突破:-80℃制冷型探测器搭配高分辨率物镜,轻松捕捉极微弱漏电流光子信号,漏电缺陷定位精度与国际设备同步,让每一个细微失效点无所遁形。 检测用微光显微镜技术参数静电放电破坏半导体器件时,微光显微镜侦测其光子可定位故障点,助分析原因程度。

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OBIRCH与EMMI技术在集成电路失效分析领域中扮演着互补的角色,其主要差异体现在检测原理及应用领域。具体而言,EMMI技术通过光子检测手段来精确定位漏电或发光故障点,而OBIRCH技术则依赖于激光诱导电阻变化来识别短路或阻值异常区域。这两种技术通常被整合于同一检测系统(即PEM系统)中,其中EMMI技术在探测光子发射类缺陷,如漏电流方面表现出色,而OBIRCH技术则对金属层遮蔽下的短路现象具有更高的敏感度。例如,EMMI技术能够有效检测未开封芯片中的失效点,而OBIRCH技术则能有效解决低阻抗(<10 ohm)短路问题。

漏电是芯片另一种常见的失效模式,其诱因复杂多样,既可能源于晶体管长期工作后的老化衰减,也可能由氧化层存在裂纹等缺陷引发。

与短路类似,芯片内部发生漏电时,漏电路径中会伴随微弱的光发射现象——这种光信号的强度往往远低于短路产生的光辐射,对检测设备的灵敏度提出了极高要求。EMMI凭借其的微光探测能力,能够捕捉到漏电产生的极微弱光信号。通过对芯片进行全域扫描,可将漏电区域以可视化图像的形式清晰呈现,使工程师能直观识别漏电位置与分布特征。


半导体失效分析中,微光显微镜可侦测失效器件光子,定位如 P-N 接面漏电等故障点,助力改进工艺、提升质量。

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考虑到部分客户的特殊应用场景,我们还提供Thermal&EMMI的个性化定制服务。无论是设备的功能模块调整、性能参数优化,还是外观结构适配,我们都能根据您的具体需求进行专属设计与研发。凭借高效的研发团队和成熟的生产体系,定制项目通常在 2-3 个月内即可完成交付,在保证定制灵活性的同时,充分兼顾了交付效率,让您的特殊需求得到及时且满意的答案。致晟光电始终致力于为客户提供更可靠、更贴心的服务,期待与您携手共进,共创佳绩。配备的自动对焦系统,能快速锁定检测区域,减少人工操作时间,提高检测效率。IC微光显微镜校准方法

国外微光显微镜价格高昂,常达上千万元,我司国产设备工艺完备,技术成熟,平替性价比高。低温热微光显微镜内容

微光显微镜下可以产生亮点的缺陷,

如:1.漏电结(JunctionLeakage);2.接触毛刺(Contactspiking);3.热电子效应(Hotelectrons);4.闩锁效应(Latch-Up);5.氧化层漏电(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶须(Poly-siliconfilaments);7.衬底损伤(Substratedamage);8.物理损伤(Mechanicaldamage)等。

当然,部分情况下也会出现样品本身的亮点,

如:1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse;

出现亮点时应注意区分是否为这些情况下产生的亮点另外也会出现侦测不到亮点的情况,

如:1.欧姆接触;2.金属互联短路;3.表面反型层;4.硅导电通路等。

一些亮点被遮蔽的情况,即为BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal,这种情况可以尝试采用backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及抛光处理。 低温热微光显微镜内容

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