锁相微光显微镜校准方法

在微光显微镜（EMMI) 操作过程中，当对样品施加合适的电压时，其失效点会由于载流子加速散射或电子-空穴对复合效应而发射特定波长的光子。这些光子经过采集和图像处理后，可以形成一张信号图。随后，取消施加在样品上的电压，在未供电的状态下采集一张背景图。再通过将信号图与背景图进行叠加处理，就可以精确地定位发光点的位置，实现对失效点的精确定位。进一步地，为了提升定位的准确性，可采用多种图像处理技术进行优化。例如，通过滤波算法去除背景噪声，增强信号图的信噪比；利用边缘检测技术，突出显示发光点的边缘特征，从而提高定位精度。针对光器件，能定位光波导中因损耗产生的发光点，为优化光子器件的传输性能、降低损耗提供关键数据。锁相微光显微镜校准方法

EMMI的本质只是一台光谱范围广，光子灵敏度高的显微镜。

但是为什么EMMI能够应用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成电路在通电后会出现三种情况：1.载流子复合；2.热载流子；3.绝缘层漏电。当这三种情况发生时集成电路上就会产生微弱的荧光，这时EMMI就能捕获这些微弱荧光，这就给了EMMI一个应用的机会而在IC的失效分析中，我们给予失效点一个偏压产生荧光，然后EMMI捕获电流中产生的微弱荧光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要满足其机理在EMMI下都能观测到荧光 直销微光显微镜设备红外成像可以不破坏芯片封装，尝试定位未开封芯片失效点并区分其在封装还是 Die 内部，利于评估芯片质量。

对半导体研发工程师而言，排查的过程层层受阻。在逐一排除外围电路异常、生产工艺制程损伤等潜在因素后，若仍未找到症结，往往需要芯片原厂介入，通过剖片分析深入探究内核。

然而，受限于专业分析设备的缺乏，再加上芯片内部设计涉及机密，工程师难以深入了解其底层构造，这就导致他们在面对原厂出具的分析报告时，常常陷入 “被动接受” 的局面 —— 既无法完全验证报告的细节，也难以基于自身判断提出更具针对性的疑问或补充分析方向。

致晟光电作为专注于微光显微镜与热红外显微镜应用的技术团队，设备在微小目标定位、热分布成像等场景中具备高分辨率优势，可广泛应用于芯片、PCB板、显示屏等消费电子元器件的检测环节，为您提供客观的物理位置或热分布定位数据。

为让您更直观了解设备的定位精度与适用性，我们诚挚邀请贵单位参与样品测试合作：若您有需要进行微光定位（如细微结构位置标记、表面瑕疵定位）或热红外定位（如元器件发热点分布、温度梯度成像）的样品，可邮寄至我方实验室。我们将提供专业检测服务，输出包含图像、坐标、数值等在内的定位数据报告（注：报告呈现客观检测结果，不做定性或定量结论判断）。测试过程中，我们会根据您的需求调整检测参数，确保定位数据贴合实际应用场景。若您对设备的定位效果认可，可进一步洽谈设备采购或长期检测服务合作。 针对接面漏电，我司微光显微镜能侦测其光子定位位置，利于筛选不良品，为改进半导体制造工艺提供数据。

光束诱导电阻变化（OBIRCH）功能与微光显微镜（EMMI）技术常被集成于同一检测系统，合称为光发射显微镜（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。

二者在原理与应用上形成巧妙互补，能够协同应对集成电路中绝大多数失效模式，大幅提升失效分析的全面性与效率。OBIRCH技术的独特优势在于，即便失效点被金属层覆盖形成“热点”，其仍能通过光束照射引发的电阻变化特性实现精细检测——这恰好弥补了EMMI在金属遮挡区域光信号捕捉受限的不足。

针对氮化镓等宽禁带半导体，它能适应其宽波长探测需求，助力宽禁带器件的研发与应用。国内微光显微镜设备厂家

我司微光显微镜探测芯片封装打线及内部线路短路产生的光子，快速定位短路位置，优势独特。锁相微光显微镜校准方法

OBIRCH与EMMI技术在集成电路失效分析领域中扮演着互补的角色，其主要差异体现在检测原理及应用领域。具体而言，EMMI技术通过光子检测手段来精确定位漏电或发光故障点，而OBIRCH技术则依赖于激光诱导电阻变化来识别短路或阻值异常区域。这两种技术通常被整合于同一检测系统（即PEM系统）中，其中EMMI技术在探测光子发射类缺陷，如漏电流方面表现出色，而OBIRCH技术则对金属层遮蔽下的短路现象具有更高的敏感度。例如，EMMI技术能够有效检测未开封芯片中的失效点，而OBIRCH技术则能有效解决低阻抗（<10 ohm）短路问题。锁相微光显微镜校准方法

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