自销热红外显微镜成像

无损热红外显微镜的非破坏性分析（NDA）技术，为失效分析提供了 “保全样品” 的重要手段。它在不损伤高价值样品的前提下，捕捉隐性热信号以定位内部缺陷，既保障了分析的准确性，又为后续验证、复盘保留了完整样本，让失效分析从 “找到问题” 到 “解决问题” 的闭环更高效、更可靠。

相较于无损热红外显微镜的非侵入式检测，这些有损分析方法虽能获取内部结构信息，但会破坏样品完整性，更适合无需保留样品的分析场景，与无损分析形成互补。 热红外显微镜突破光学衍射极限，以纳米级分辨率呈现样品微观结构与热特性。自销热红外显微镜成像

热红外显微镜（Thermal EMMI) 图像分析是通过探测物体自身发出的红外辐射，将其转化为可视化图像，进而分析物体表面温度分布等信息的技术。其原理是温度高于零度的物体都会向外发射红外光，热红外显微镜通过吸收这些红外光，利用光电转换将其变为温度图像。物体内电荷扰动会产生远场辐射和近场辐射，近场辐射以倏逝波形式存在，强度随远离物体表面急剧衰退，通过扫描探针技术可散射近场倏逝波，从而获取物体近场信息，实现超分辨红外成像。低温热热红外显微镜选购指南分析倒装芯片（Flip Chip）、3D 封装（TSV）的层间热传导异常，排查焊球阵列、TSV 通孔的热界面失效。

在失效分析的有损分析中，打开封装是常见操作，通常有三种方法。全剥离法会将集成电路完全损坏，留下完整的芯片内部电路。但这种方法会破坏内部电路和引线，导致无法进行电动态分析，适用于需观察内部电路静态结构的场景。局部去除法通过特定手段去除部分封装，优点是开封过程不会损坏内部电路和引线，开封后仍可进行电动态分析，能为失效分析提供更丰富的动态数据。自动法则是利用硫酸喷射实现局部去除，自动化操作可提高效率和精度，不过同样属于破坏性处理，会对样品造成一定程度的损伤。

除了热辐射，电子设备在出现故障或异常时，还可能伴随微弱的光发射增强。热红外显微镜搭载高灵敏度的光学探测器，如光电倍增管（PMT）或电荷耦合器件（CCD），能够有效捕捉这些低强度的光信号。这类光发射通常源自电子在半导体材料中发生的能级跃迁、载流子复合或其他物理过程。通过对光发射信号的成像和分析，热红外显微镜不仅能够进一步验证热点区域的存在，还可辅助判断异常的具体机制，为故障定位和性能评估提供更精确的信息。热红外显微镜支持芯片、电路板等多类电子元件热检测。

在微观热信号检测领域，热发射显微镜作为经典失效分析工具，为半导体与材料研究提供了基础支撑。致晟光电的热红外显微镜，并非简单的名称更迭，而是由技术工程师团队在传统热发射显微镜原理上，历经多代技术创新与功能迭代逐步演变进化而来。这一过程中，团队针对传统设备在视野局限、信号灵敏度、分析尺度等方面的痛点，通过光学系统重构、信号处理算法升级、检测维度拓展等创新，重新定义、形成了更适应现代微观热分析需求的技术体系。检测 PCB 焊点、芯片键合线的接触电阻异常，避免虚焊导致的瞬态过热。半导体失效分析热红外显微镜大全

热红外显微镜的高精度热检测，为电子设备可靠性提供保障 。自销热红外显微镜成像

热红外显微镜在半导体IC裸芯片热检测中发挥着关键作用。对于半导体IC裸芯片而言，其内部结构精密且集成度高，微小的热异常都可能影响芯片性能甚至导致失效，因此热检测至关重要。热红外显微镜能够非接触式地对裸芯片进行热分布成像与分析，清晰捕捉芯片工作时的温度变化情况。它可以定位芯片上的热点区域，这些热点往往是由电路设计缺陷、局部电流过大或器件老化等问题引起的。通过对热点的检测和分析，工程师能及时发现芯片潜在的故障风险，为优化芯片设计、改进制造工艺提供重要依据。同时，该显微镜还能测量裸芯片内部关键半导体结点的温度，也就是结温。结温是评估芯片性能和可靠性的重要参数，过高的结温会缩短芯片寿命，影响其稳定性。热红外显微镜凭借高空间分辨率的热成像能力，可实现对结温的测量，帮助研发人员更好地掌握芯片的热特性，从而制定合理的散热方案，提升芯片的整体性能与可靠性。自销热红外显微镜成像

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