随着半导体制程持续向 2nm、1nm 更先进节点演进，芯片关键尺寸将进一步缩小至 5μm 以下，对影像仪精度、分辨率的要求将持续提升，更高精度将成为影像仪在半导体行业的发展趋势，支撑先进制程半导体检测...

在长期运维成本方面，非接触式测厚仪相比接触式设备更加经济实惠。接触式测厚设备的探针、垫片、传动结构属于易损耗配件，长期频繁接触工件会产生磨损、形变、氧化等问题，需要定期更换耗材和维修配件，持续产生物料...

非接触式测厚仪相较于接触式设备，对高温工件检测场景适配性更强。半导体回流焊、高温沉积、退火等工序后的工件表层留存高温余热，接触式设备的金属探头接触高温工件后，容易出现热胀冷缩形变，加速配件老化损耗，同...

在晶圆背面研磨后的粗糙度检测中，非接触式 LED 散射光方案较接触式探针仪实现效率与精度的双重提升。接触式探针仪采用逐点扫描方式，全片（12 英寸）测量需耗时＞10 分钟，且背面研磨痕迹的方向性易导致...

半导体临时保护膜用于晶圆转运防护，贴膜与揭膜作业会影响晶圆表面，水滴角用来检查揭膜后的表面状态。保护膜可以阻挡灰尘、刮伤晶圆，但胶层残留物会附着在硅片表面，改变润湿特性。揭除保护膜后，工作人员时间检测...

随着第三代半导体产业的快速发展，碳化硅、氮化镓等新型半导体材料的应用日益，而晶圆搬送机针对这些材料的特性，实现了多项应用突破。第三代半导体材料通常具有硬度高、脆性大、耐高温等特点，传统搬送设备容易导致...

半导体刻蚀工艺分为干法刻蚀与湿法刻蚀两类，两类工序产生的残留物不同，对应的水滴角变化也存在区别，可区分排查问题。干法刻蚀多产生固态颗粒物，湿法刻蚀残留化学药液成分，两类杂质都会改变晶圆表面润湿特性。工...

设备环境适配性较强，可适应半导体车间的常规生产环境。半导体生产车间多为恒温恒湿的洁净空间，但作业过程中难免存在轻微气流波动、微光环境变化等情况，部分精密检测设备易受环境干扰出现数据偏差。非接触式测厚仪...

X 射线荧光探头利用 X 射线激发晶圆背面金属化层（如铝、铜、金）产生特征荧光，通过分析荧光光谱的强度与波长，确定金属层的厚度与成分，实现非接触式无损检测。该配置的厚度测量范围为 1nm-10μm，误...

在光刻胶涂层粗糙度检测中，非接触式暗场成像方案较接触式探针仪解决了污染与损伤难题。接触式探针仪的探针会粘黏液态或未固化的光刻胶，导致涂层污染，且接触压力会破坏光刻胶的微观结构，影响后续曝光效果；而非接...

晶圆搬送机配备了先进的远程监控与运维系统，通过数字化手段提升设备管理效率，降低维护成本。管理人员可通过电脑、手机等终端设备，实时查看设备的运行状态、搬送数据、能耗指标等信息，无论身处何地都能掌握生产动...

非接触式晶圆检测机搭载光谱共焦探头时，成为硅片厚度测量的设备，其原理基于 “颜色编码距离” 的创新逻辑：宽光谱白光经色散镜头后，不同波长光聚焦于光轴不同位置，晶圆表面精细聚焦的波长会以比较度反射回光谱...