国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求,开发**加热盘适配 “固 - 液 - 固” 相变生长工艺。采用高纯不锈钢基体加工密封腔体,内置铟原子蒸发温控模块,可精细控制铟蒸汽分压,确保硒与铟原子比稳定...
国瑞热控清洗槽**加热盘以全密封结构设计适配高洁净需求,采用 316L 不锈钢经电解抛光处理,表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm,无颗粒脱落风险。加热元件采用氟塑料密封封装,与清洗液完全隔离,耐受酸...
国瑞热控针对半导体量子点制备需求,开发**加热盘适配胶体化学合成工艺。采用聚四氟乙烯密封腔体与不锈钢加热基体复合结构,耐有机溶剂腐蚀,且无金属离子溶出污染量子点溶液。内置高精度温度传感器,测温精度达 ...
针对半导体制造中的高真空工艺需求,国瑞热控开发**真空密封组件,确保加热盘在真空环境下稳定运行。组件采用氟橡胶与金属骨架复合结构,耐温范围覆盖 - 50℃至 200℃,可长期在 10⁻⁵Pa 真空环境...
国瑞热控 8 英寸半导体加热盘聚焦成熟制程需求,以高性价比与稳定性能成为中低端芯片制造的推荐。采用铝合金基体经阳极氧化处理,表面平整度误差小于 0.03mm,加热面温度均匀性控制在 ±2℃以内,满足 ...
国瑞热控推出半导体加热盘专项维修服务,针对加热元件老化、温度均匀性下降等常见问题提供系统解决方案。服务流程涵盖外观检测、绝缘性能测试、温度场扫描等 12 项检测项目,精细定位故障点。采用原厂匹配的氮化...
国瑞热控推出加热盘节能改造方案,针对存量设备能耗高问题提供系统升级。采用石墨烯导热涂层技术提升热传导效率,配合智能温控算法优化加热功率输出,使单台设备能耗降低 20% 以上。改造内容包括加热元件更换、...
电控晶圆加热盘:半导体工艺的准确温控重点。无锡国瑞热控的电控晶圆加热盘,以创新结构设计解释半导体制造的温控难题。其底盘内置螺旋状发热电缆与均温膜,通过热量传导路径优化,使加热面均温性达到行业高标准,确...
针对半导体湿法工艺中溶液温度控制需求,国瑞热控湿法**加热盘采用耐腐蚀不锈钢材质,经电解抛光与钝化处理,可耐受酸碱溶液长期浸泡无腐蚀。加热盘内置密封式加热元件,与溶液完全隔离,避免漏电风险,同时具备 ...
针对半导体载板制造中的温控需求,国瑞热控**加热盘以高稳定性适配载板钻孔、电镀等工艺。采用不锈钢基材经硬化处理,表面硬度达 HRC50 以上,耐受载板加工过程中的机械冲击无变形。加热元件采用蛇形分布设...
国瑞热控半导体测试用加热盘,专为芯片性能测试环节的温度环境模拟设计,可精细复现芯片工作时的温度条件。设备温度调节范围覆盖 - 40℃至 150℃,支持快速升温和降温,速率分别达 25℃/ 分钟和 20...
国瑞热控清洗槽**加热盘以全密封结构设计适配高洁净需求,采用 316L 不锈钢经电解抛光处理,表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm,无颗粒脱落风险。加热元件采用氟塑料密封封装,与清洗液完全隔离,耐受酸...
借鉴空间站 “双波长激光加热” 原理,国瑞热控开发半导体激光加热盘,适配极端高温材料制备。采用氮化铝陶瓷基体嵌入激光吸收层,表面可承受 3000℃以上局部高温,配合半导体激光与二氧化碳激光协同加热,实...
国瑞热控氮化铝陶瓷加热盘以 99.5% 高纯氮化铝为基材,通过干压成型与 1800℃高温烧结工艺制成,完美适配半导体高温工艺需求。其热导率可达 220W/mK,热膨胀系数* 4.03×10⁻⁶/℃,与...
面向柔性半导体基板(如聚酰亚胺基板)加工需求,国瑞热控**加热盘以柔性贴合设计适配弯曲基板。采用薄型不锈钢加热片(厚度 0.2mm)与硅胶导热层复合结构,可随柔性基板弯曲(弯曲半径**小 5mm)而无...
国瑞热控封装测试**加热盘聚焦半导体后道工艺需求,采用轻量化铝合金材质,通过精密加工确保加热面平整度误差小于 0.05mm,适配不同尺寸封装器件的测试需求。加热元件采用片状分布设计,热响应速度快,可在...
针对晶圆清洗后的烘干环节,国瑞热控**加热盘以洁净高效的特性适配严苛需求。产品采用高纯不锈钢基材,表面经电解抛光与钝化处理,粗糙度 Ra 小于 0.2μm,减少水分子附着与杂质残留。加热面采用蜂窝状导...