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半导体微纳加工器件

来源: 发布时间:2022年09月03日

    光刻是半导体制造中常用的技术之一,是现代光电子器件制造的基础。实际应用中存在两个主要挑战:一是与FIB和EBL相比,分辨率还不够高;二是由于直接的激光写入器逐点生成图案,因此吞吐量是一个很大的挑战。对于上述两个挑战:分辨率方面,一是可以通过原子力显微镜(AFM)或扫描近场显微镜(SNOM)等近场技术来提高,二是可以通过使用短波长光源来提高,三是可以通过非线性吸收实现超分辨率成像或制造;制造速度方面,除了工程学方法外,随着激光技术的发展,主要是提出了包括自组装微球激光加工、激光干涉光刻、多焦阵列激光直写等并行激光加工方法来提高制造速度。并行激光加工技术可以将二维加工技术扩展到三维加工,为未来微纳加工技术的发展提供新的方向;同时可以地广泛应用于传感、太阳能电池和超材料领域的表面处理和功能器件制造,对生物医学器件制造、光通信、传感、以及光谱学等领域得发展研究具有重要意义。 微纳加工平台,主要是两个方面:微纳加工、微纳检测。半导体微纳加工器件

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    随着电子束光刻技术和电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术的出现,平面微纳加工工艺正在推动以单电子器件与自旋电子器件为代标的新一代纳米电子学的发展.当微纳加工技术应用到光电子领域,就形成了新兴的纳米光电子技术,主要研究纳米结构中光与电子相互作用及其能量互换的技术.纳米光电子技术在过去的十多年里,一方面,以低维结构材料生长和能带工程为基础的纳米制造技术有了长足的发展,包括分子束外延(MBE)、金属有机化学气相淀积(MOCVD)和化学束外延(CBE),使得在晶片表面外延生长方向(直方向)的外延层精度控制到单个原子层,从而获得了具有量子尺寸效应的半导体材料;另一方面,平面纳米加工工艺实现了纳米尺度的光刻和横向刻蚀,使得人工横向量子限制的量子线与量子点的制作成为可能.同时,光子晶体概念的出现,使得纳米平面加工工艺广的地应用到光介质材料折射率周期性的改变中。 激光微纳加工价目机械微加工是微纳制造中较方便,也较接近传统材料加工方式的微成型技术!

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    微纳加工大致可以分为“自上而下”和“自下而上”两类。“自上而下”是从宏观对象出发,以光刻工艺为基础,对材料或原料进行加工,小结果尺寸和精度通常由光刻或刻蚀环节的分辨力决定。“自下而上”技术则是从微观世界出发,通过控制原子、分子和其他纳米对象的相互作用力将各种单元构建在一起,形成微纳结构与器件。广东省科学院半导体研究所微纳加工平台,面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域,致力于打造的公益性、开放性、支撑性枢纽中心。平台拥有半导体制备工艺所需的整套仪器设备,建立了一条实验室研发线和一条中试线,加工尺寸覆盖2-6英寸(部分8英寸),同时形成了一支与硬件有机结合的专业人才队伍。平台当前紧抓技术创新和公共服务,面向国内外高校、科研院所以及企业提供开放共享,为技术咨询、创新研发、技术验证以及产品中试提供技术支持。

    高精度的微细结构可以通过电子束直写或激光直写制作,这类光刻技术,像“写字”一样,通过控制聚焦电子束(光束)移动书写图案进行曝光,具有很高的曝光精度,但这两种方法制作效率极低,尤其在大面积制作方面捉襟见肘,目前直写光刻技术适用于小面积的微纳结构制作。近年来,三维浮雕微纳结构的需求越来越大,如闪耀光栅、菲涅尔透镜、多台阶微光学元件等。据悉,苹果公司新上市的手机产品中人脸识别模块就采用了多台阶微光学元件,以及当下如火如荼的无人驾驶技术中激光雷达光学系统也用到了复杂的微光学元件。这类精密的微纳结构光学元件需采用灰度光刻技术进行制作。直写技术,通过在光束移动过程中进行相应的曝光能量调节,可以实现良好的灰度光刻能力。 我造技术的研究从其诞生之初就一直牢据行国的微纳制造技术的研究与世界先进水平业的杰出位置。

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基于掩模板图形传递的光刻工艺可制作宏观尺寸的微细结构,受光学衍射的极限,适用于微米以上尺度的微细结构制作,部分优化的光刻工艺可能具有亚微米的加工能力。例如,接触式光刻的分辨率可能到达0.5μm,采用深紫外曝光光源可能实现0.1μm。但利用这种光刻技术实现宏观面积的纳米/亚微米图形结构的制作是可欲而不可求的。近年来,国内外很多学者相继提出了超衍射极限光刻技术、周期减小光刻技术等,力求通过曝光光刻技术实现大面积的亚微米结构制作,但这类新型的光刻技术尚处于实验室研究阶段。未来几年微纳制造系统和平台的发展前景包括的方面:智能的、可升级的和适应性强的微纳制造系统!沈阳微纳加工器件封装

微纳加工中,材料湿法腐蚀是一个常用的工艺方法。半导体微纳加工器件

    MEMS(微机电系统),是指以微型化、系统化的理论为指导,通过半导体制造等微纳加工手段,形成特征尺度为微纳米量级的系统装置。相对于先进的集成电路(IC)制造工艺(遵循摩尔定律),MEMS制造工艺不单纯追求线宽而注重功能特色化,即利用微纳结构或/和敏感材料实现多种传感和执行功能,工艺节点通常从500nm到110nm,衬底材料也不局限硅,还包括玻璃、聚合物、金属等。由MEMS技术构建的产品往往具有体积小、重量轻、功耗低、成本低等优点,已广泛应用于汽车、手机、工业、医疗、**、航空航天等领域。广东省科学院半导体研究所微纳加工平台,面向半导体光电子器件、功率电子器件、MEMS、生物芯片等前沿领域,致力于打造的公益性、开放性、支撑性枢纽中心。平台拥有半导体制备工艺所需的整套仪器设备,建立了一条实验室研发线和一条中试线,加工尺寸覆盖2-6英寸(部分8英寸),同时形成了一支与硬件有机结合的专业人才队伍。平台当前紧抓技术创新和公共服务,面向国内外高校、科研院所以及企业提供开放共享,为技术咨询、创新研发、技术验证以及产品中试提供技术支持。 半导体微纳加工器件

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