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南京半导体晶圆加热盘定制

来源: 发布时间:2025年11月15日

无锡国瑞热控 PVD 工艺**加热盘,专为物***相沉积环节的严苛温控需求设计。作为晶圆加工的**载体与射频回路下电极,其采用陶瓷与高纯金属复合基材,经精密研磨确保加热面平面度误差小于 0.02mm,为薄膜均匀生长提供稳定基底。内部螺旋状加热元件与均温层协同作用,使晶圆表面温度均匀性控制在 ±1℃以内,适配 6 英寸至 12 英寸不同规格晶圆。设备整体采用无挥发洁净工艺处理,在高真空环境下无杂质释放,搭配快速升温技术(升温速率达 30℃/ 分钟),完美契合 PVD 工艺中对温度稳定性与生产效率的双重要求,为半导体薄膜制备提供可靠温控支撑。个性化定制服务,根据工艺需求特殊设计,完美匹配应用。南京半导体晶圆加热盘定制

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针对等离子体刻蚀环境的特殊性,国瑞热控配套加热盘采用蓝宝石覆层与氮化铝基底的复合结构,表面硬度达莫氏 9 级,可耐受等离子体长期轰击而无材料脱落。加热盘内部嵌入钼制加热丝,经后嵌工艺固定,避免高温下电极氧化影响加热性能,工作温度范围覆盖室温至 500℃,控温精度 ±1℃。底部设计环形冷却通道,与加热元件形成热平衡调节系统,快速响应刻蚀过程中的温度波动。设备采用全密封结构,电气强度达 2000V/1min,在氟基、氯基刻蚀气体环境中绝缘性能稳定,适配中微半导体刻蚀机等主流设备,为图形转移工艺提供可靠温控。重庆半导体晶圆加热盘非标定制模块化设计便于维护更换,减少停机时间,提升产能。

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国瑞热控开发加热盘智能诊断系统,通过多维度数据监测实现故障预判。系统集成温度波动分析、绝缘性能检测、功率曲线对比三大模块,可识别加热元件老化、密封失效等 12 类常见故障,提**0 天发出预警。采用边缘计算芯片实时处理数据,延迟小于 100ms,通过以太网上传至云平台,支持手机端远程查看设备状态。配备故障诊断数据库,已积累 1000 + 设备运行案例,诊断准确率达 95% 以上。适配国瑞全系列加热盘,与半导体工厂 MES 系统兼容,使设备维护从 “事后修理” 转为 “事前预判”,减少非计划停机时间。

针对半导体退火工艺中对温度稳定性的高要求,国瑞热控退火**加热盘采用红外加热与电阻加热协同技术,实现均匀且快速的温度传递。加热盘主体选用低热惯性的氮化硅陶瓷材质,热导率达 30W/mK,可在 30 秒内将晶圆温度提升至 900℃,且降温过程平稳可控,避免因温度骤变导致的晶圆晶格损伤。表面喷涂耐高温抗氧化涂层,在长期高温退火环境下无物质挥发,符合半导体洁净生产标准。配备多组温度监测点,实时反馈晶圆不同区域温度数据,通过 PID 闭环控制系统动态调整加热功率,确保温度波动小于 ±1℃。适配离子注入后的退火、金属硅化物形成等工艺环节,与应用材料、东京电子等主流退火设备兼容,为半导体器件性能优化提供关键温控保障。特殊尺寸功率定制,快速响应需求,量身打造方案。

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国瑞热控金属加热盘突破海外技术壁垒,实现复杂结构产品量产能力。采用不锈钢精密加工一体化成型,通过五轴联动机床制造螺纹斜孔等复杂结构,加热面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。内置螺旋状不锈钢加热元件,经真空焊接工艺与基体紧密结合,热效率达 90%,升温速率 25℃/ 分钟,工作温度范围室温至 500℃。设备具备 1000 小时无故障运行能力,通过国内主流客户认证,可直接替换进口同类产品,在匀气盘集成等场景中表现优异,助力半导体设备精密零部件国产化。高效电热转换效率,降低运营成本,实现绿色生产目标。杨浦区晶圆级陶瓷加热盘供应商

多重安全保护设计,漏电过载超温防护,构建安全工作环境。南京半导体晶圆加热盘定制

国瑞热控光刻胶烘烤加热盘以微米级温控精度支撑光刻工艺,采用铝合金基体与陶瓷覆层复合结构,表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm,减少光刻胶涂布缺陷。加热面划分 6 个**温控区域,通过仿真优化的加热元件布局,使温度均匀性达 ±0.5℃,避免烘烤过程中因温度差异导致的光刻胶膜厚不均。温度调节范围覆盖 60℃至 150℃,升温速率 10℃/ 分钟,搭配无接触红外测温系统,实时监测晶圆表面温度并动态调节。设备兼容 6 英寸至 12 英寸光刻机配套需求,与 ASML、尼康等设备的制程参数匹配,为光刻胶的软烘、坚膜等关键步骤提供稳定温控环境。南京半导体晶圆加热盘定制

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