普陀区加热盘厂家

针对等离子体刻蚀环境的特殊性，国瑞热控配套加热盘采用蓝宝石覆层与氮化铝基底的复合结构，表面硬度达莫氏 9 级，可耐受等离子体长期轰击而无材料脱落。加热盘内部嵌入钼制加热丝，经后嵌工艺固定，避免高温下电极氧化影响加热性能，工作温度范围覆盖室温至 500℃，控温精度 ±1℃。底部设计环形冷却通道，与加热元件形成热平衡调节系统，快速响应刻蚀过程中的温度波动。设备采用全密封结构，电气强度达 2000V/1min，在氟基、氯基刻蚀气体环境中绝缘性能稳定，适配中微半导体刻蚀机等主流设备，为图形转移工艺提供可靠温控。加热盘及配套一站式，省时省心，长期可信赖供应商。普陀区加热盘厂家

面向半导体新材料研发场景，国瑞热控高温加热盘以宽温域与高稳定性成为科研工具。采用石墨与碳化硅复合基材，工作温度范围覆盖 500℃-2000℃，可通过程序设定实现阶梯式升温，升温速率调节范围 0.1-10℃/ 分钟。加热面配备 24 组测温点，实时监测温度分布，数据采样频率达 10Hz，支持与实验室数据系统对接。设备体积紧凑（直径 30cm），重量* 5kg，配备小型真空腔体与惰性气体接口，适配薄膜沉积、晶体生长等多种实验需求，已服务于中科院半导体所等科研机构。黄浦区晶圆级陶瓷加热盘非标定制热响应速度快，快速达温稳定，减少等待时间提升效率。

国瑞热控光刻胶烘烤加热盘以微米级温控精度支撑光刻工艺，采用铝合金基体与陶瓷覆层复合结构，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，减少光刻胶涂布缺陷。加热面划分 6 个**温控区域，通过仿真优化的加热元件布局，使温度均匀性达 ±0.5℃，避免烘烤过程中因温度差异导致的光刻胶膜厚不均。温度调节范围覆盖 60℃至 150℃，升温速率 10℃/ 分钟，搭配无接触红外测温系统，实时监测晶圆表面温度并动态调节。设备兼容 6 英寸至 12 英寸光刻机配套需求，与 ASML、尼康等设备的制程参数匹配，为光刻胶的软烘、坚膜等关键步骤提供稳定温控环境。

国瑞热控清洗槽**加热盘以全密封结构设计适配高洁净需求，采用 316L 不锈钢经电解抛光处理，表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm，无颗粒脱落风险。加热元件采用氟塑料密封封装，与清洗液完全隔离，耐受酸碱浓度达 90% 的腐蚀环境，电气强度达 2000V/1min。通过底部波浪形加热面设计，使槽内溶液形成自然对流，温度均匀性达 ±0.8℃，温度调节范围 25℃-120℃。配备防干烧与泄漏检测系统，与盛美上海等清洗设备厂商适配，符合半导体制造 Class 1 洁净标准，为晶圆清洗后的表面质量提供保障。多种规格形状灵活定制，满足特殊需求，无锡国瑞是您可靠合作伙伴。

国瑞热控推出加热盘节能改造方案，针对存量设备能耗高问题提供系统升级。采用石墨烯导热涂层技术提升热传导效率，配合智能温控算法优化加热功率输出，使单台设备能耗降低 20% 以上。改造内容包括加热元件更换、隔热层升级与控制系统迭代，保留原有设备主体结构，改造成本*为新设备的 40%。升级后的加热盘温度响应速度提升 30%，温度波动控制在 ±1℃以内，符合半导体行业节能标准。已为华虹半导体等企业完成 200 余台设备改造，年节约电费超百万元，助力半导体工厂实现绿色生产转型。结构紧凑安装便捷，集成多重安全保护机制，使用放心无后顾之忧。浙江高精度均温加热盘非标定制

节能环保设计理念，热损失小效率高，助力绿色生产制造。普陀区加热盘厂家

国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求，开发**加热盘适配 “固 - 液 - 固” 相变生长工艺。采用高纯不锈钢基体加工密封腔体，内置铟原子蒸发温控模块，可精细控制铟蒸汽分压，确保硒与铟原子比稳定在 1:1。加热面温度均匀性控制在 ±0.5℃，升温速率可低至 0.5℃/ 分钟，为非晶薄膜向高质量晶体转化提供稳定热环境。设备支持 5 厘米直径晶圆级制备，配合惰性气体保护系统，避免材料氧化，与北京大学等科研团队合作验证，助力高性能晶体管阵列构建，其电学性能指标可达 3 纳米硅基芯片的 3 倍。普陀区加热盘厂家

无锡市国瑞热控科技有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准，在江苏省等地区的电工电气中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志，和谐温馨的工作环境，富有营养的公司土壤滋养着我们不断开拓创新，勇于进取的无限潜力，无锡市国瑞热控科技供应携手大家一起走向共同辉煌的未来，回首过去，我们不会因为取得了一点点成绩而沾沾自喜，相反的是面对竞争越来越激烈的市场氛围，我们更要明确自己的不足，做好迎接新挑战的准备，要不畏困难，激流勇进，以一个更崭新的精神面貌迎接大家，共同走向辉煌回来！