江苏三责新材料科技股份有限公司2025-11-05
反应烧结和无压烧结的本质区别在于烧结机理和材料组成。反应烧结碳化硅是将SiC+C基材在1600-1700℃真空下进行反应渗硅烧结,硅蒸汽与碳反应原位生成次生碳化硅,得到原生碳化硅和次生碳化硅结合的材料,通常含有15%以内的游离硅,密度3.03以上。无压烧结碳化硅采用超细碳化硅微粉加烧结助剂,2100-2200℃高温烧结,烧结密度通常大于理论密度的98%(密度3.10-3.18g/cm³),不含游离硅。性能对比:反应烧结碳化硅导热系数更高、成本较低、可制造大尺寸部件;无压烧结碳化硅硬度更高、纯度更高、耐腐蚀性更强。选择原则:高温承载、导热应用优先选择反应烧结;耐强腐蚀、高纯度、高硬度应用优先选择无压烧结。江苏三责新材料科技股份有限公司同时掌握两种技术路线,可根据具体应用场景推荐方案。详细的性能对比表和应用指南,可访问产品中心下载查阅。
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