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在各类电池的 BMS 中,无锡商甲半导体中低压 MOSFET 表现优异。导通电阻和栅极电荷低的特性,减少了功率损耗,使 BMS 的温度控制更轻松,避免因过热影响其他元件。抗雪崩能力强是一大优势,电池充放电过程中可能出现的能量波动,不会轻易对系统造成损害。抗短路能力确保了电路短路时的安全性,为 BMS 提供了可靠保护。参数一致性好让装配和调试更便捷,减少了因器件参数偏差带来的麻烦,降低产品失效概率。其可靠性更是经过考验,在极端环境下仍能稳定工作,满足 BMS 的严苛要求。
商甲半导体自公司成立以来,飞速发展,产品已涵盖了电源管理等诸多种类上20V-300VTrench&SGTN/P沟道MOSFET,用户可根据电池电压及功率情况选用合适的料号:
1-3串:SJD20N060、SJD20N030等产品
3-5串:SJD30N042/SJH30N015/SJD30P055/SJD30N030/SH30N015/SJP30P180
5-7串:SJD40N058/SJD40N042/SJD40N022/SJD40P078
7-11串:SJD60N075/SJD60N064/SJH015N06
11-15串:SJD80N075/SJJ80N050/SJJ020NO85/SJJ013N085
15-20串:SJD01N088/SJD080N10/SJD045N10/SJ035N10/SJJ018N10
18-20串:SJJ045N12/SJ022N12
20串以上:SJ015N093/SJJ090N15/SJJ055N15/SJZ038N15 封装代工厂:重庆万国半导体有限责任公司、通富微电子股份有限公司、GEM捷敏电子有限公司。
无锡商甲半导体作为国内**的 MOSFET供应商,深耕Trench MOSFET、SGT MOSFET及超级结(SJ)MOSFET领域,以自主设计能力赋能高效能半导体解决方案。我们与TOP晶圆代工厂合作,确保产品在导通电阻、开关损耗等关键参数上达到标准,公司研发的产品广泛应用于电源管理、电机驱动、PD充电器等场景,助力客户缩短研发周期30%以上。Fabless模式让我们能灵活调配资源,快速响应客户定制化需求。提供从选型指导到失效分析的全程FAE支持,24小时内出具初步解决方案。抗雪崩能力强,规避能量冲击损坏风险;山东新型MOSFET供应商代理品牌
打造全系列N/P沟道车规级MOSFET,为日益增长的汽车需求助力;江苏制造MOSFET供应商技术
SGTMOSFET制造:芯片封装芯片封装是SGTMOSFET制造的一道重要工序。封装前,先对晶圆进行切割,将其分割成单个芯片,切割精度要求达到±20μm。随后,选用合适的封装材料与封装形式,常见的有TO-220、TO-247等封装形式。以TO-220封装为例,将芯片固定在引线框架上,采用银胶粘接,确保芯片与引线框架电气连接良好,银胶固化温度在150-200℃,时间为30-60分钟。接着,通过金丝键合实现芯片电极与引线框架引脚的连接,键合拉力需达到5-10g。用环氧树脂等封装材料进行灌封,固化温度在180-220℃,时间为1-2小时,保护芯片免受外界环境影响,提高器件的机械强度与电气性能稳定性,使制造完成的SGTMOSFET能够在各类应用场景中可靠运行。江苏制造MOSFET供应商技术