111TCC2R2K100TT

全球主要的被动元件供应商（如Murata, TDK, Samsung Electro-Mechanics, Taiyo Yuden, AVX）都提供丰富的超宽带电容产品线。选型时需综合考虑：一是频率范围和要求阻抗，确定需要的容值和SRF；二是介质材料类型（COG vs. X7R），根据对稳定性、容差和温度系数的要求选择；三是直流偏压特性，确保在工作电压下容值满足要求；四是封装尺寸和高度，符合PCB空间限制；五是可靠性等级，是否满足车规、工规或军规要求；六是成本与供货情况。通常需要仔细研读各家的数据手册并进行实际测试验证。与传统电解电容相比，其在高频下的阻抗特性优势明显。111TCC2R2K100TT

单一电容器无法在超宽频带内始终保持低阻抗。因此，在实际电路中，需要构建一个由多个不同容值电容器组成的退耦网络。小容量电容（如0.1μF， 0.01μF， 1000pF， 100pF）拥有较高的自谐振频率，负责滤除中高频噪声；而大容量电容（如10μF， 47μF）或电解电容负责滤除低频纹波和提供电荷储备。这些电容并联后，它们的阻抗曲线相互叠加，从而在从低频到极高频的整个范围内形成一条平坦的低阻抗路径。PCB上的电源分配网络（PDN）设计就是基于此原理，通过精心选择不同容值、不同封装的电容并合理布局，来实现超宽带的低阻抗目标，确保电源完整性。116THC7R5D100TT为FPGA和ASIC芯片内部不同电压域提供高效退耦。

微波电路应用在微波领域，超宽带电容发挥着关键作用。作为耦合电容、旁路电容和调谐电容广泛应用于雷达系统、卫星通信设备和微波收发模块中。在这些应用中，电容器需要处理GHz频率的信号，传统电容由于寄生参数的影响会导致信号失真和效率下降。超宽带电容通过精心的结构设计，采用共面电极和分布式电容结构，比较大限度地减少了寄生效应。例如在微波功率放大器中，超宽带电容用作偏置网络的一部分，能够有效隔离直流同时为射频信号提供低阻抗通路。

超宽带电容的性能会受到环境温度和外加直流电压的影响。Class II类介质（如X7R）的电容值会随温度升高而下降，且施加直流偏压时，其有效容值也会明显减小（介电常数变化导致）。这对于需要精确容值的电路（如定时、振荡）和在高直流偏压下工作的退耦电容（如CPU内核电源退耦）是严重问题。设计师必须参考制造商提供的直流偏压和温度特性曲线来选择合适的电容，否则实际电路可能因容值不足而性能不达标。对于要求极高的应用，必须选择温度性和直流偏压特性极其稳定的Class I类（COG/NPO）电容。选型时需权衡容值、电压、尺寸、频率及成本因素。

自谐振频率（SRF）是衡量电容器有效工作频率上限的重心指标。对于超宽带应用，必须要求电容器的SRF远高于系统的工作频率，否则其电感特性将无法有效抑制高频噪声。提升SRF的策略主要围绕降低ESL和减小电容值。根据fSRF = 1/(2π√(LC))，减小L或C都能提高fSRF。因此，超宽带电容常采用以下方法：一是优化内部结构和端电极设计以小化ESL；二是使用小尺寸封装（如0201比0805的ESL小得多）；三是对于极高频率的退耦，会故意选用较小容值的电容（如100pF， 1nF），因为其SRF更高，专门用于滤除特定高频噪声，与较大容值的电容配合使用以覆盖全频段，形成协同效应。它是实现电源完整性（PI）和信号完整性的基础。111YBB3R3D100TT

失效模式包括机械裂纹、电极迁移和性能退化等。111TCC2R2K100TT

即使选择了ESL极低的超宽带电容，不合理的PCB布局和安装也会引入巨大的安装电感，彻底毁掉其性能。安装电感主要来自电容焊盘到电源/地平面之间的过孔（via）和走线。为了小化安装电感，必须遵循以下原则：一是使用短、宽的走线连接；二是使用多个紧邻的、低电感的过孔（via）将电容的两个端直接连接到近的电源层和地层；三是采用对称的布局设计。对于比较高频的应用，甚至需要采用嵌入式电容技术，将电容介质材料直接制作在PCB的电源-地平面之间，实现近乎理想的平板电容结构，将寄生电感降至几乎为零。111TCC2R2K100TT

深圳市英翰森科技有限公司在同行业领域中，一直处在一个不断锐意进取，不断制造创新的市场高度，多年以来致力于发展富有创新价值理念的产品标准，在广东省等地区的电子元器件中始终保持良好的商业口碑，成绩让我们喜悦，但不会让我们止步，残酷的市场磨炼了我们坚强不屈的意志，和谐温馨的工作环境，富有营养的公司土壤滋养着我们不断开拓创新，勇于进取的无限潜力，深圳市英翰森科技供应携手大家一起走向共同辉煌的未来，回首过去，我们不会因为取得了一点点成绩而沾沾自喜，相反的是面对竞争越来越激烈的市场氛围，我们更要明确自己的不足，做好迎接新挑战的准备，要不畏困难，激流勇进，以一个更崭新的精神面貌迎接大家，共同走向辉煌回来！