半导体制程逐步迈入3纳米及更先进阶段,芯片内部结构愈发复杂密集,供电电压不断降低,微观热行为对器件性能的影响日益明显。在这一背景下,致晟光电热红外显微镜应运而生,并在传统热发射显微技术基础上实现了深度优化与迭代。该设备专为应对先进制程中的热管理挑战而设计,能够在芯片设计验证、失效排查及性能优化等关键环节中提供精密、可靠的热成像支持。通过对微观热信号的高灵敏度捕捉,致晟光电热红外显微镜为研发人员呈现出清晰的热分布图谱,有助于深入理解芯片内部的热演化过程,从而更有效地推动相关技术研究与产品迭代。热红外显微镜能捕捉微观物体热辐射信号,为材料热特性研究提供高分辨率观测手段。国产热红外显微镜内容
芯片出问题不用慌!致晟光电专门搞定各类失效难题~不管是静电放电击穿的芯片、过压过流烧断的导线,还是过热导致的晶体管损伤、热循环磨断的焊点,哪怕是材料老化引发的漏电、物理磕碰造成的裂纹,我们都有办法定位。致晟的检测设备能捕捉到细微的失效信号,从电气应力到热力学问题,从机械损伤到材料缺陷,一步步帮你揪出“病根”,还会给出详细的分析报告。不管是研发时的小故障,还是量产中的质量问题,交给致晟,让你的芯片难题迎刃而解~有失效分析需求?随时来找我们呀!😉半导体失效分析热红外显微镜与光学显微镜对比热红外显微镜成像:可叠加光学显微图像,实现 “热 - 光” 关联分析,明确样品热异常对应的微观结构。
在半导体产业加速国产化的浪潮中,致晟光电始终锚定半导体失效分析这一**领域,以技术创新突破进口设备垄断,为国内半导体企业提供高性价比、高适配性的检测解决方案。不同于通用型检测设备,致晟光电的产品研发完全围绕半导体器件的特性展开 —— 针对半导体芯片尺寸微小、缺陷信号微弱、检测环境严苛的特点,其光发射显微镜整合了高性能 InGaAs 近红外探测器、精密显微光学系统与先进信号处理算法,可在芯片通电运行状态下,精细捕捉异常电流产生的微弱热辐射,高效定位从裸芯片到封装器件的各类电学缺陷。
作为国内半导体失效分析设备领域的原厂,苏州致晟光电科技有限公司(简称“致晟光电”)专注于ThermalEMMI系统的研发与制造。与传统热红外显微镜相比,ThermalEMMI的主要差异在于其功能定位:它并非对温度分布进行基础测量,而是通过精确捕捉芯片工作时因电流异常产生的微弱红外辐射,直接实现对漏电、短路、静电击穿等电学缺陷的定位。该设备的重要技术优势体现在超高灵敏度与微米级分辨率上:不仅能识别纳瓦级功耗所产生的局部热热点,还能确保缺陷定位的精细度,为半导体芯片的研发优化与量产阶段的品质控制,提供了可靠的技术依据与数据支撑。在芯片短路故障分析中,Thermal EMMI 可快速定位电流集中引发的高温失效点。
热红外显微镜在材料科学研究中有着广泛应用。对于新型复合材料,其内部不同组分的导热性能存在差异,在外界温度变化或通电工作时,表面温度分布会呈现不均匀性。热红外显微镜能以超高的空间分辨率捕捉这种温度差异,清晰展示材料内部的热传导路径和热点分布。研究人员通过分析这些图像,可深入了解材料的热物理特性,为优化材料配方、改进制备工艺提供依据。比如在研发高导热散热材料时,借助热红外显微镜能直观观察不同添加成分对材料散热性能的影响,加速高性能材料的研发进程。热红外显微镜原理主要是通过光学系统聚焦红外辐射,再经探测器将光信号转化为可分析的温度数据。显微热红外显微镜功能
热红外显微镜工作原理:利用红外光学透镜组收集样品热辐射,经分光系统分光后,由探测器接收并输出热信息。国产热红外显微镜内容
在失效分析中,零成本简单且常用的三个方法基于“观察-验证-定位”的基本逻辑,无需复杂设备即可快速缩小失效原因范围:1.外观检查法(VisualInspection)2.功能复现与对比法(FunctionReproduction&Comparison)3.导通/通路检查法(ContinuityCheck)但当失效分析需要进阶到微观热行为、隐性感官缺陷或材料/结构内部异常的层面时,热红外显微镜(ThermalEMMI)能成为关键工具,与基础方法结合形成更深度的分析逻辑。在进阶失效分析中,热红外显微镜可捕捉微观热分布,锁定电子元件微区过热(如虚焊、短路)、材料内部缺陷(如裂纹、气泡)引发的隐性热异常,结合动态热演化记录,与基础方法协同,从“不可见”热信号中定位失效根因。国产热红外显微镜内容