致晟光电在 Thermal EMMI 技术的基础上,融合了自主研发的 实时瞬态锁相红外热分析技术(RTTLIT),提升了弱信号检测能力。传统 Thermal EMMI 在处理极低功耗芯片或瞬态缺陷时,容易受到环境热噪声干扰,而锁相技术可以在特定频率下同步提取信号,将信噪比提升数倍,从而捕捉到更细微的发热变化。这种技术组合不仅保留了 Thermal EMMI 的非接触、无损检测优势,还大幅拓宽了其应用场景——从传统的短路、漏电缺陷分析,延伸到纳瓦级功耗的功耗芯片、电源管理芯片以及新型传感器的可靠性验证。通过这一技术,致晟光电能够为客户提供更好、更快速的失效定位方案,减少剖片次数,降低分析成本,并提高产品开发迭代效率。热红外显微镜范围:探测波长通常覆盖 2-25μm 的中长波红外区域,适配多数固体、液体样品的热辐射特性。制冷热红外显微镜图像分析
在半导体产业加速国产化的浪潮中,致晟光电始终锚定半导体失效分析这一**领域,以技术创新突破进口设备垄断,为国内半导体企业提供高性价比、高适配性的检测解决方案。不同于通用型检测设备,致晟光电的产品研发完全围绕半导体器件的特性展开 —— 针对半导体芯片尺寸微小、缺陷信号微弱、检测环境严苛的特点,其光发射显微镜整合了高性能 InGaAs 近红外探测器、精密显微光学系统与先进信号处理算法,可在芯片通电运行状态下,精细捕捉异常电流产生的微弱热辐射,高效定位从裸芯片到封装器件的各类电学缺陷。低温热热红外显微镜范围热红外显微镜原理遵循黑体辐射规律,通过对比样品与标准黑体的辐射强度,计算样品实际温度。
RTTLITP20热红外显微镜通过多元化的光学物镜配置,构建起从宏观到纳米级的全尺度热分析能力,灵活适配多样化的检测需求。Micro广角镜头可快速覆盖整块电路板、大型模组等大尺寸样品,直观呈现整体热分布与散热趋势,助力高效完成初步筛查;0.13~0.3X变焦镜头支持连续倍率调节,适用于芯片封装体、传感器阵列等中尺度器件,兼顾整体热场和局部细节;0.65X~0.75X变焦镜头进一步提升分辨率,清晰解析芯片内部功能单元的热交互过程,精细定位封装中的散热瓶颈;3X~4X变焦镜头可深入微米级结构,解析晶体管阵列、引线键合点等细节部位的热行为;8X~13X变焦镜头则聚焦纳米尺度,捕捉短路点、漏电流区域等极其微弱的热信号,满足先进制程下的高精度失效定位需求。
从技术演进来看,热红外显微镜thermal emmi正加速向三大方向突破:一是灵敏度持续跃升,如量子点探测器的应用可大幅增强光子捕捉能力,让微弱热信号的识别更精确;二是多模态融合,通过集成 EMMI 光子探测、OBIRCH 电阻分析等功能,实现 “热 - 光 - 电” 多维度协同检测;三是智能化升级,部分设备已内置 AI 算法,能自动标记异常热点并生成分析报告。这些进步为半导体良率提升、新能源汽车电驱系统热管理等场景,提供了更高效、更好的解决方案。 Thermal Emission microscopy system, Thermal EMMI是一种利用红外热辐射来检测和分析材料表面温度分布的技术。
热红外显微镜在半导体IC裸芯片的热检测中具有不可替代的作用。裸芯片内部结构高度精密、集成度极高,即便是微小的热异常,也可能影响性能甚至引发失效,因此精确的热检测至关重要。
依托非接触式成像原理,热红外显微镜能够清晰呈现芯片工作过程中的热分布与温度变化,快速定位热点区域。这些热点往往源于电路设计缺陷、局部电流过大或器件老化等问题。通过对热点检测与分析,工程师能够及时发现潜在故障风险,为优化芯片设计和改进制造工艺提供有力依据。
此外,热红外显微镜还能精确测量裸芯片内部关键半导体结点的温度(结温)。结温是评估芯片性能与可靠性的重要指标,过高的结温不仅会缩短器件寿命,还可能影响其长期稳定性。凭借高空间分辨率的成像能力,该技术能够为研发人员提供详尽的热特性数据,帮助制定高效的散热方案,从而提升芯片的整体性能与可靠性。 热红外显微镜工作原理:通过红外焦平面阵列(FPA)将样品热辐射转化为像素化电信号,经处理后形成热图像。半导体失效分析热红外显微镜用户体验
热红外显微镜应用:在新能源领域用于锂电池热失控分析,监测电池内部热演化,优化电池安全设计。制冷热红外显微镜图像分析
在失效分析中,Thermal EMMI 并不是孤立使用的工具,而是与电性测试、扫描声学显微镜(CSAM)、X-ray、FIB 等技术形成互补。通常,工程师会先通过电性测试确认失效模式,再用 Thermal EMMI 在通电条件下定位热点区域。锁定区域后,可使用 FIB 进行局部开窗或切片,进一步验证缺陷形貌。这种“先定位、再剖片”的策略,不仅提高了分析效率,也降低了因盲剖带来的风险。Thermal EMMI 在这一配合体系中的价值,正是用**快速、比较低损的方法缩小分析范围,让后续的精细分析事半功倍。制冷热红外显微镜图像分析