在致晟光电的微光显微镜系统中,光发射显微技术凭借优化设计的光学系统与制冷型 InGaAs 探测器,能够捕捉低至皮瓦(pW)级别的微弱光子信号。这一能力使其在检测栅极漏电、PN 结微短路等低强度发光失效问题时,展现出灵敏度与可靠性。同时,微光显微镜具备非破坏性的检测特性,确保器件在分析过程中不受损伤,既适用于研发阶段的失效分析,也满足量产阶段对质量管控的严苛要求。其亚微米级的空间分辨率,更让微小缺陷无所遁形,为高精度芯片分析提供了有力保障。
EMMI是借助高灵敏探测器,捕捉芯片运行时自然产生的“极其微弱光发射”。实时成像微光显微镜规格尺寸

在微光显微镜(EMMI)检测中,部分缺陷会以亮点形式呈现,
例如:漏电结(JunctionLeakage)接触毛刺(ContactSpiking)热电子效应(HotElectrons)闩锁效应(Latch-Up)氧化层漏电(GateOxideDefects/Leakage,F-N电流)多晶硅晶须(Poly-SiliconFilaments)衬底损伤(SubstrateDamage)物理损伤(MechanicalDamage)等。
同时,在某些情况下,样品本身的正常工作也可能产生亮点,例如:饱和/工作中的双极型晶体管(Saturated/ActiveBipolarTransistors)饱和的MOS或动态CMOS(SaturatedMOS/DynamicCMOS)正向偏置二极管(ForwardBiasedDiodes)反向偏置二极管击穿(Reverse-BiasedDiodesBreakdown)等。
因此,观察到亮点时,需要结合电气测试与结构分析,区分其是缺陷发光还是正常工作发光。此外,部分缺陷不会产生亮点,如:欧姆接触金属互联短路表面反型层硅导电通路等。
若亮点被金属层或其他结构遮蔽(如BuriedJunctions、LeakageSitesUnderMetal),可尝试采用背面(Backside)成像模式。但此模式只能探测近红外波段的发光,并需要对样品进行减薄及抛光处理。 厂家微光显微镜品牌排行技术员依靠图像快速判断。

Obirch(光束诱导电阻变化)与EMMI微光显微镜是同一设备的不同工作模式。当金属覆盖区域存在热点时,Obirch(光束诱导电阻变化)同样能够实现有效检测。两种模式均支持正面与背面的失效定位,可在大范围内快速且精确地锁定集成电路中的微小缺陷点。结合后续的去层处理、扫描电镜(SEM)分析及光学显微镜观察,可对缺陷进行明确界定,进一步揭示失效机理并开展根因分析。因此,这两种模式在器件及集成电路的失效分析领域得到了深入的应用。
在电子器件和半导体元件的检测环节中,如何在不损坏样品的情况下获得可靠信息,是保证研发效率和产品质量的关键。传统分析手段,如剖片、电镜扫描等,虽然能够提供一定的内部信息,但往往具有破坏性,导致样品无法重复使用。微光显微镜在这一方面展现出明显优势,它通过非接触的光学检测方式实现缺陷定位与信号捕捉,不会对样品结构造成物理损伤。这一特性不仅能够减少宝贵样品的损耗,还使得测试过程更具可重复性,工程师可以在不同实验条件下多次观察同一器件的表现,从而获得更的数据。尤其是在研发阶段,样品数量有限且成本高昂,微光显微镜的非破坏性检测特性大幅提升了实验经济性和数据完整性。因此,微光显微镜在半导体、光电子和新材料等行业,正逐渐成为标准化的检测工具,其价值不仅体现在成像性能上,更在于对研发与生产效率的整体优化。依托高灵敏度红外探测模块,Thermal EMMI 可捕捉器件异常发热区域释放的微弱光子信号。

在半导体集成电路(IC)的失效分析场景里,EMMI 发挥着无可替代的作用。随着芯片集成度不断攀升,数十亿个晶体管密集布局在方寸之间,任何一处细微故障都可能导致整个芯片功能瘫痪。当 IC 出现功能异常,工程师借助 EMMI 对芯片表面进行逐点扫描,一旦检测到异常的光发射区域,便如同找到了通往故障的 “线索”。通过对光信号强度、分布特征的深入剖析,能够判断出是晶体管漏电、金属布线短路,亦或是其他复杂的电路缺陷,为后续的修复与改进提供关键依据,保障电子产品的稳定运行。微光显微镜凭借高信噪比,能清晰捕捉微弱光信号。半导体失效分析微光显微镜批量定制
晶体管漏电点清晰呈现。实时成像微光显微镜规格尺寸
EMMI 技术自诞生以来,经历了漫长且关键的发展历程。早期的 EMMI 受限于探测器灵敏度与光学系统分辨率,只能检测较为明显的半导体缺陷,应用范围相对狭窄。随着科技的飞速进步,新型深制冷型探测器问世,极大降低了噪声干扰,拓宽了光信号探测范围;同时,高分辨率显微物镜的应用,使 EMMI 能够捕捉到更微弱、更细微的光信号,实现对纳米级缺陷的精细定位。如今,它已广泛应用于半导体产业各个环节,从芯片设计验证到大规模生产质量管控,成为推动行业发展的重要力量。实时成像微光显微镜规格尺寸