芯片出问题不用慌!致晟光电专门搞定各类失效难题~不管是静电放电击穿的芯片、过压过流烧断的导线,还是过热导致的晶体管损伤、热循环磨断的焊点,哪怕是材料老化引发的漏电、物理磕碰造成的裂纹,我们都有办法定位。致晟的检测设备能捕捉到细微的失效信号,从电气应力到热力学问题,从机械损伤到材料缺陷,一步步帮你揪出“病根”,还会给出详细的分析报告。不管是研发时的小故障,还是量产中的质量问题,交给致晟,让你的芯片难题迎刃而解~有失效分析需求?随时来找我们呀!😉微光显微镜可在极低照度下实现高灵敏成像,适用于半导体失效分析。自销微光显微镜平台

微光显微镜(EmissionMicroscope,EMMI)是一种常用的芯片失效分析手段,可以用于确认芯片的失效位置。其原理是对样品施加适当电压,失效点会因加速载流子散射或电子-空穴对的复合而释放特定波长的光子,这时光子就能被检测到,从而检测到漏电位置。Obirch利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描,激光束部分能量转化为热能,如果金属互联线存在缺陷,缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开,这将导致缺陷处温度累计升高,并进一步引起金属线电阻以及电流变化,通过变化区域与激光束扫描位置的对应,定位缺陷位置。自销微光显微镜平台微光显微镜显微在检测栅极漏电、PN 结微短路等微弱发光失效时可以做到精细可靠。

致晟光电微光显微镜emmi应用领域对于失效分析而言,微光显微镜是一种相当有用,且效率极高的分析工具,主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination会放出光子,例如:在PN Junction加偏压,此时N的电子很容易扩散到P, 而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴做EHP Recombination。 侦测到亮点之情况 会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应;5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。
与市场上同类产品相比,致晟光电的EMMI微光显微镜在灵敏度、稳定性和性价比方面具备优势。得益于公司自主研发的实时图像处理算法与暗噪声抑制技术,设备在捕捉低功耗器件缺陷时依然能保持高清成像。同时,系统采用模块化设计,方便与红外热成像、OBIRCH等其他分析手段集成,构建多模态失效分析平台。这种技术组合不仅缩短了分析周期,也提升了检测准确率。加之完善的售后与本地化服务,致晟光电在国内EMMI设备市场中已形成稳固的品牌影响力,为半导体企业提供从设备交付到技术支持的全链条服务。故障类型与位置被快速识别。

尽管名称相似,微光显微镜 EMMI 与 Thermal EMMI 在探测机理和适用范围上各有侧重。Thermal EMMI 捕捉的是器件发热产生的红外辐射信号,而 EMMI 关注的是缺陷处的光子发射,这些光信号可能在温升尚未***之前就已经出现。因此,在一些早期击穿或亚稳态缺陷分析中,EMMI 能够提供比 Thermal EMMI 更早、更直接的失效指示。实际应用中,工程师常将两者结合使用:先用 EMMI 进行光发射定位,再用 Thermal EMMI 检测其对应的热分布,以交叉验证缺陷性质。这种“光+热”双重验证的方法,不仅提高了分析的准确性,也大幅缩短了故障定位的时间。技术员依靠图像快速判断。自销微光显微镜平台
光发射显微的非破坏性特点,确保检测过程不损伤器件,满足研发与量产阶段的质量管控需求。自销微光显微镜平台
Thermal(热分析/热成像)指的是通过红外热成像(如ThermalEMMI或热红外显微镜)等方式,检测芯片发热异常的位置。通常利用的是芯片在工作时因电流泄漏或短路而产生的局部温升。常用于分析如:漏电、短路、功耗异常等问题。EMMI(光发射显微成像EmissionMicroscopy)是利用芯片在失效时(如PN结击穿、漏电)会产生微弱的光发射现象(多为近红外光),通过光电探测器捕捉这类自发光信号来确定失效点。更敏感于电性失效,如ESD击穿、闩锁等。自销微光显微镜平台