实时成像微光显微镜按需定制

EMMI的全称是Electro-OpticalEmissionMicroscopy，也叫做光电发射显微镜。这是一种在半导体器件失效分析中常用的技术，通过检测半导体器件中因漏电、击穿等缺陷产生的微弱光辐射（如载流子复合发光），实现对微小缺陷的定位和分析，广泛应用于集成电路、半导体芯片等的质量检测与故障排查。

致晟光电该系列——RTTLITE20微光显微分析系统（EMMI）是专为半导体器件漏电缺陷检测而设计的高精度检测系统。其中，实时瞬态锁相热分析系统采用锁相热成像(Lock-in Thermography)技术，通过调制电信号损升特征分辨率与灵敏度，结合软件算法优化信噪比，以实现显微成像下的高灵敏度热信号测量。 我司自主研发的桌面级设备其紧凑的机身设计，可节省实验室空间，适合在小型研发机构或生产线上灵活部署。实时成像微光显微镜按需定制

Thermal（热分析/热成像）指的是通过红外热成像（如ThermalEMMI或热红外显微镜）等方式，检测芯片发热异常的位置。通常利用的是芯片在工作时因电流泄漏或短路而产生的局部温升。常用于分析如：漏电、短路、功耗异常等问题。EMMI（光发射显微成像EmissionMicroscopy）是利用芯片在失效时（如PN结击穿、漏电）会产生微弱的光发射现象（多为近红外光），通过光电探测器捕捉这类自发光信号来确定失效点。更敏感于电性失效，如ESD击穿、闩锁等。工业检测微光显微镜内容在航空航天芯片检测中，它可定位因辐射导致的芯片损伤，为航天器电子设备的稳定运行保驾护航。

与传统的半导体失效检测技术，如 X 射线成像和电子显微镜相比，EMMI 展现出独特优势。X 射线成像虽能洞察芯片内部结构，但对因电学异常引发的微小缺陷敏感度不足；电子显微镜虽可提供超高分辨率微观图像，却需在高真空环境下工作，且对样品制备要求苛刻。EMMI 则无需复杂样品处理，能在芯片正常工作状态下实时检测，凭借对微弱光信号的探测，有效弥补了传统技术在检测因电学性能变化导致缺陷时的短板，在半导体质量控制流程中占据重要地位。

EMMI（Emission Microscopy，微光显微镜）是一种基于微弱光发射成像原理的“微光显微镜”，广泛应用于集成电路失效分析。其本质在于：通过高灵敏度的InGaAs探测器，捕捉芯片在加电或工作状态下因缺陷、漏电或击穿等现象而产生的极其微弱的自发光信号。这些光信号通常位于近红外波段，功率极低，肉眼无法察觉，必须借助专门设备放大成像。相比传统的结构检测方法，EMMI无需破坏样品，也无需额外激发源，具备非接触、无损伤、定位等优势。其空间分辨率可达微米级，可用于闩锁效应、栅氧击穿、短路、漏电等问题的初步诊断，是构建失效分析闭环的重要手段之一。
我司自研含微光显微镜等设备，获多所高校、科研院所及企业认可使用，性能佳，广受赞誉。

与市场上同类产品相比，致晟光电的EMMI微光显微镜在灵敏度、稳定性和性价比方面具备优势。得益于公司自主研发的实时图像处理算法与暗噪声抑制技术，设备在捕捉低功耗器件缺陷时依然能保持高清成像。同时，系统采用模块化设计，方便与红外热成像、OBIRCH等其他分析手段集成，构建多模态失效分析平台。这种技术组合不仅缩短了分析周期，也提升了检测准确率。加之完善的售后与本地化服务，致晟光电在国内EMMI设备市场中已形成稳固的品牌影响力，为半导体企业提供从设备交付到技术支持的全链条服务。当金属层遮挡导致 OBIRCH 等无法侦测故障时，微光显微镜可进行补充检测。半导体微光显微镜市场价

当二极管处于正向偏置或反向击穿状态时，会有强烈的光子发射，形成明显亮点。实时成像微光显微镜按需定制

侦测不到亮点之情况不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面反型层；5.硅导电通路等。

亮点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，这种情况可采用Backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。

测试范围：故障点定位、寻找近红外波段发光点测试内容：1.P-N接面漏电；P-N接面崩溃2.饱和区晶体管的热电子3.氧化层漏电流产生的光子激发4.Latchup、GateOxideDefect、JunctionLeakage、HotCarriersEffect、ESD等问题 实时成像微光显微镜按需定制