无损微光显微镜工作原理

定位短路故障点短路是造成芯片失效的关键诱因之一。

当芯片内部电路发生短路时，短路区域会形成异常电流通路，引发局部温度骤升，并伴随特定波长的光发射现象。EMMI（微光显微镜）凭借其超高灵敏度，能够捕捉这些由短路产生的微弱光信号，再通过对光信号的强度分布、空间位置等特征进行综合分析，可实现对短路故障点的精确定位。

以一款高性能微处理器芯片为例，其在测试中出现不明原因的功耗激增问题，技术人员初步判断为内部电路存在短路隐患。通过EMMI对芯片进行全域扫描检测，在极短时间内便在芯片的某一特定功能模块区域发现了光发射信号。结合该芯片的电路设计图纸和版图信息进行深入分析，终锁定故障点为两条相邻的铝金属布线之间因绝缘层破损而发生的短路。这一定位为后续的故障修复和工艺改进提供了直接依据。 配备的自动对焦系统，能快速锁定检测区域，减少人工操作时间，提高检测效率。无损微光显微镜工作原理

同时，我们诚挚欢迎各位客户莅临苏州实验室进行深入交流。在这里，我们的专业技术团队将为您详细演示微光显微镜、热红外显微镜的全套操作流程，从基础功能到高级应用，一一讲解其中的技术原理与操作技巧。针对您在设备选型、使用场景、技术参数等方面的疑问，我们也会给予细致入微的解答，让您对失效分析领域掌握设备优势与适用范围。

这种面对面的深度沟通，旨在让合作过程更加透明，让您对我们的产品与服务更有信心，合作也更显安心。 微光显微镜原理微光显微镜搭配高分辨率镜头，可将微小缺陷放大至清晰可见，让检测更易观察分析，提升检测的准确度。

企业用户何如去采购适合自己的设备？

功能侧重的差异，让它们在芯片检测中各司其职。微光显微镜的 “专长” 是识别电致发光缺陷，对于逻辑芯片、存储芯片等高密度集成电路中常见的 PN 结漏电、栅氧击穿、互连缺陷等细微电性能问题，它能提供的位置信息，是芯片失效分析中定位 “电故障” 的工具。

例如，在 7nm 以下先进制程芯片的检测中，其高灵敏度可捕捉到单个晶体管异常产生的微弱信号，为工艺优化提供关键依据。

热红外显微镜则更关注 “热失控” 风险，在功率半导体、IGBT 等大功率器件的检测中表现突出。这类芯片工作时功耗较高，散热性能直接影响可靠性，短路、散热通道堵塞等问题会导致局部温度骤升，热红外显微镜能快速生成热分布图谱，直观呈现热点位置与温度梯度，帮助工程师判断散热设计缺陷或电路短路点。在汽车电子等对安全性要求极高的领域，这种对热异常的敏锐捕捉，是预防芯片失效引发安全事故的重要保障。

微光显微镜的原理是探测光子发射。它通过高灵敏度的光学系统捕捉芯片内部因电子 - 空穴对（EHP）复合产生的微弱光子（如 P-N 结漏电、热电子效应等过程中的发光），进而定位失效点。其探测对象是光信号，且多针对可见光至近红外波段的光子。热红外显微镜则基于红外辐射测温原理工作。芯片运行时，失效区域（如短路、漏电点）会因能量损耗异常产生局部升温，其释放的红外辐射强度与温度正相关。设备通过检测不同区域的红外辐射差异，生成温度分布图像，以此定位发热异常点，探测对象是热信号（红外波段辐射）。当二极管处于正向偏置或反向击穿状态时，会有强烈的光子发射，形成明显亮点。

需要失效分析检测样品，我们一般会在提前做好前期的失效背景调查和电性能验证工作，能够为整个失效分析过程找准方向、提供依据，从而更高效、准确地找出芯片失效的原因。

1.失效背景调查收集芯片型号、应用场景、失效模式（如短路、漏电、功能异常等）、失效比例、使用环境（温度、湿度、电压）等。确认失效是否可复现，区分设计缺陷、制程问题或应用不当（如过压、ESD）。

2.电性能验证使用自动测试设备（ATE）或探针台（ProbeStation）复现失效，记录关键参数（如I-V曲线、漏电流、阈值电压偏移）。对比良品与失效芯片的电特性差异，缩小失效区域（如特定功能模块）。 红外成像可以不破坏芯片封装，尝试定位未开封芯片失效点并区分其在封装还是 Die 内部，利于评估芯片质量。无损微光显微镜工作原理

其搭载的图像增强算法，能强化微弱光子信号，减少噪声干扰，使故障点成像更鲜明，便于识别。无损微光显微镜工作原理

致晟光电作为苏州本土的光电检测设备研发制造企业，其本地化服务目前以国内市场为主要覆盖区域 。尤其在华东地区，依托总部苏州的地理优势，对上海、江苏、浙江等周边省市实现高效服务。无论是设备的安装调试，还是售后的故障维修、技术咨询，都能在短时间内响应，例如在苏州本地，接到客户需求后，普遍可在数小时内安排技术人员上门服务。在全国范围内，致晟光电已通过建立销售服务网点、与当地经销商合作等方式，保障本地化服务的覆盖。
无损微光显微镜工作原理