高分辨率热红外显微镜工作原理

致晟光电在推动产学研一体化进程中，积极开展校企合作。公司依托南京理工大学光电技术学院，专注开发基于微弱光电信号分析的产品及应用。双方联合攻克技术难题，不断优化实时瞬态锁相红外热分析系统（RTTLIT），使该系统温度灵敏度可达0.0001℃，功率检测限低至1uW，部分功能及参数优于进口设备。此外，致晟光电还与其他高校建立合作关系，搭建起学业-就业贯通式人才孵化平台。为学生提供涵盖研发设计、生产实践、项目管理全链条的育人平台，输送了大量实践能力强的专业人才，为企业持续创新注入活力。通过建立科研成果产业孵化绿色通道，高校的前沿科研成果得以快速转化为实际生产力，实现了高校科研资源与企业市场转化能力的优势互补。

热红外显微镜在 SiC/GaN 功率器件检测中，量化评估衬底界面热阻分布。高分辨率热红外显微镜工作原理

热红外显微镜(Thermal EMMI)的突出优势一：

热红外显微镜（Thermal emmi ）能够检测到极其微弱的热辐射和光发射信号，其灵敏度通常可以达到微瓦甚至纳瓦级别。同时，它还具有高分辨率的特点，能够分辨出微小的热点区域，分辨率可以达到微米甚至纳米级别。具备极高的探测灵敏度，能够捕捉微瓦级甚至纳瓦级的热辐射与光发射信号，适用于识别早期故障及微小异常。同时，该技术具有优异的空间分辨能力，能够准确定位尺寸微小的热点区域，其分辨率可达微米级，部分系统也已经可实现纳米级识别。通过结合热图像与光发射信号分析，热红外显微镜为工程师提供了精细、直观的诊断工具，大幅提升了故障排查与性能评估的效率和准确性。 东莞热红外显微镜量化 SiC、GaN 等宽禁带半导体的衬底热阻、结温分布，优化散热设计。

从传统热发射显微镜到热红外显微镜的演变，是其技术团队对微观热分析需求的深度洞察与持续创新的结果。它既延续了通过红外热辐射解析热行为的原理，又通过全尺度观测、高灵敏度检测、场景化分析等创新，突破了传统技术的边界。如今，这款设备已成为半导体失效分析、新材料热特性研究、精密器件研发等领域的专业工具，为行业在微观热管控、缺陷排查、性能优化等方面提供了更高效的技术支撑，推动微观热分析从 “可见” 向 “可知”“可控” 迈进。

近年来，非制冷热红外显微镜价格呈下行趋势。在技术进步层面，国内红外焦平面阵列芯片技术不断突破，像元间距缩小、阵列规模扩大，从早期的 17μm、384×288 发展到如今主流的 12μm 像元，1280 ×1 024、1920 × 1080 阵列规模实现量产，如大立科技等企业推动技术升级，提升生产效率，降低单台设备成本。同时，国产化进程加速，多家本土厂商崛起，如我司推出非制冷型锁相红外显微镜，打破进口垄断格局，市场竞争加剧，促使产品价格更加亲民。热红外显微镜通过热辐射相位差算法，三维定位 3D 封装中 Z 轴方向的失效层。

相较于宏观热像仪（空间分辨率约50-100μm），热红外显微镜通过显微光学系统将分辨率提升至1-10μm，且支持动态电激励与锁相分析，能深入揭示微观尺度的热-电耦合失效机理。例如，传统热像仪能检测PCB表面的整体热分布，而热红外显微镜可定位某一焊点内部的微裂纹导致的局部过热。技术发展趋势当前，热红外显微镜正朝着更高灵敏度（如量子点探测器提升光子捕捉能力）、多模态融合（集成EMMI光子探测、OBIRCH电阻分析）及智能化方向发展，部分设备已内置AI算法自动标记异常热点，为半导体良率提升、新能源汽车电驱系统热管理等应用提供更高效的解决方案。在高低温循环（-40℃~125℃）中监测车载功率模块、传感器的热疲劳退化。实时成像热红外显微镜牌子

热红外显微技术可透过硅片或封装材料，实现非接触式热斑定位。高分辨率热红外显微镜工作原理

热红外显微镜（Thermal EMMI）技术，作为半导体失效分析领域的关键手段，通过捕捉器件内部产生的热辐射，实现失效点的精细定位。它凭借对微观热信号的高灵敏度探测，成为解析半导体故障的 “火眼金睛”。然而，随着半导体技术不断升级，器件正朝着超精细图案制程与低供电电压方向快速演进：线宽进入纳米级，供电电压降至 1V 以下。这使得失效点（如微小短路、漏电流区域）产生的热量急剧减少，其辐射的红外线信号强度降至传统检测阈值边缘，叠加芯片复杂结构的背景辐射干扰，信号提取难度呈指数级上升。
高分辨率热红外显微镜工作原理