半导体失效分析热红外显微镜按需定制

致晟光电在推动产学研一体化进程中，积极开展校企合作。公司依托南京理工大学光电技术学院，专注开发基于微弱光电信号分析的产品及应用。双方联合攻克技术难题，不断优化实时瞬态锁相红外热分析系统（RTTLIT），使该系统温度灵敏度可达0.0001℃，功率检测限低至1uW，部分功能及参数优于进口设备。此外，致晟光电还与其他高校建立合作关系，搭建起学业-就业贯通式人才孵化平台。为学生提供涵盖研发设计、生产实践、项目管理全链条的育人平台，输送了大量实践能力强的专业人才，为企业持续创新注入活力。通过建立科研成果产业孵化绿色通道，高校的前沿科研成果得以快速转化为实际生产力，实现了高校科研资源与企业市场转化能力的优势互补。

热红外显微镜在 SiC/GaN 功率器件检测中，量化评估衬底界面热阻分布。半导体失效分析热红外显微镜按需定制

车规级芯片作为汽车电子系统的重心，其可靠性直接关系到汽车的安全运行，失效分析是对提升芯片质量、保障行车安全意义重大。在车规级芯片失效分析中，热红外显微镜发挥着关键作用。芯片失效常伴随异常发热，通过热红外显微镜分析其温度分布，能定位失效相关的热点区域。比如，芯片内部电路短路、元器件老化等故障，会导致局部温度骤升形成明显热点。从而快速定位潜在的故障点，为功率模块的失效分析提供了强有力的工具。可以更好的帮助车企优化芯片良率与安全性。自销热红外显微镜牌子热红外显微镜采用先进的探测器，实现对微小热量变化的快速响应 。

热红外显微镜(Thermal EMMI)的突出优势二：

与传统接触式检测方法相比，热红外显微镜的非接触式检测优势更胜——无需与被测设备直接物理接触，从根本上规避了传统检测中因探针压力、静电放电等因素对设备造成的损伤风险，这对精密电子元件与高精度设备的检测尤为关键。在接触式检测场景中，探针接触产生的机械应力可能导致芯片焊点形变或线路微损伤，而静电放电（ESD）更可能直接击穿敏感半导体器件。

相比之下，热红外显微镜通过捕捉设备运行时的热辐射信号实现非侵入式检测，不仅能在设备正常工作状态下获取实时数据，更避免了因接触干扰导致的检测误差，大幅提升了检测过程的安全性与结果可靠性。这种非接触式技术突破，为电子设备的故障诊断与性能评估提供了更优解。

热红外显微镜（Thermal EMMI）技术，作为半导体失效分析领域的关键手段，通过捕捉器件内部产生的热辐射，实现失效点的精细定位。它凭借对微观热信号的高灵敏度探测，成为解析半导体故障的 “火眼金睛”。然而，随着半导体技术不断升级，器件正朝着超精细图案制程与低供电电压方向快速演进：线宽进入纳米级，供电电压降至 1V 以下。这使得失效点（如微小短路、漏电流区域）产生的热量急剧减少，其辐射的红外线信号强度降至传统检测阈值边缘，叠加芯片复杂结构的背景辐射干扰，信号提取难度呈指数级上升。
监测微流控芯片、生物传感器的局部热反应，研究生物分子相互作用的热效应。

热红外显微镜是一种融合红外热成像与显微技术的精密检测工具，通过捕捉物体表面及内部的热辐射信号，实现微观尺度下的温度分布可视化分析。其**原理基于黑体辐射定律——任何温度高于***零度的物体都会发射红外电磁波，且温度与辐射强度呈正相关，而显微镜系统则赋予其微米级的空间分辨率，可精细定位电子器件、材料界面等微观结构中的异常热点。

在电子工业中，热红外显微镜常用于半导体芯片的失效定位 —— 例如透过封装材料检测内部金属层微短路、晶体管热斑；在功率器件领域，可分析 IGBT 模块的热阻分布、SiC 器件的高温可靠性；在 PCB 板级检测中，能识别高密度线路的功耗异常区，辅助散热设计优化。此外，材料科学领域也可用其研究纳米材料的热传导特性，生物医学中则可用于细胞层级的热响应分析。 热红外显微镜通过测量热辐射强度，量化评估电子元件的功耗 。自销热红外显微镜牌子

热红外显微镜凭借高灵敏度探测器，实现芯片微米级红外热分布观察，锁定异常热点 。半导体失效分析热红外显微镜按需定制

热红外是红外光谱中波长介于 3–18 微米的谱段，其能量主要来自物体自身的热辐射，而非对外界光源的反射。该波段可细分为中红外（3–8 μm）、长波红外（8–15 μm）和超远红外（15–18 μm），其热感应本质源于分子热振动产生的电磁波辐射，辐射强度与物体温度正相关。在应用上，热红外利用大气窗口（3–5 μm、8–14 μm）实现高精度的地表遥感监测，并广泛应用于热成像、气体探测等领域。现代设备如 TIRS-2 和 O-PTIR 等，已将热红外技术的空间分辨率提升至纳米级水平。

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