RTTLITP20 热红外显微镜凭借多元光学物镜配置,构建从宏观到纳米级的全尺度热分析能力,灵活适配多样检测需求。Micro广角镜头可快速覆盖大尺寸样品整体热分布,如整块电路板、大型模组的散热趋势,高效完成初步筛查;0.13~0.3x变焦镜头通过连续倍率调节,适配芯片封装体、传感器阵列等中等尺度器件热分析,兼顾整体热场与局部细节;0.65X~0.75X变焦镜头提升分辨率,解析芯片内部功能单元热交互,助力定位封装散热瓶颈;3x~4x变焦镜头深入微米级结构,呈现晶体管阵列、引线键合点等细微部位热分布;8X~13X变焦镜头聚焦纳米尺度,捕捉微小短路点、漏电流区域等纳米级热点的微弱热信号,满足先进制程半导体高精度分析需求。
多段变焦与固定倍率结合的设计,实现宏观到微观热分析平滑切换,无需频繁更换配件,大幅提升半导体失效分析、新材料热特性研究等领域的检测效率与精细度。 热红外显微镜帮助工程师分析电子设备过热的根本原因 。热红外显微镜功能
EMMI 技术基于半导体器件在工作时因电子 - 空穴复合产生的光子辐射现象,通过高灵敏度光学探测器捕捉微弱光子信号,能够以皮安级电流精度定位漏电、短路等微观缺陷。这种技术尤其适用于检测芯片内部的栅极氧化层缺陷、金属导线短路等肉眼难以察觉的故障,为工程师提供精确的失效位置与成因分析。
热红外显微镜(Thermal EMMI)则聚焦于器件发热与功能异常的关联,利用红外热成像技术实时呈现半导体器件的热分布。在高集成度芯片中,局部过热可能引发性能下降甚至损坏,热红外显微镜通过捕捉0.1℃级别的温度差异,可快速锁定因功率损耗、散热不良或设计缺陷导致的热失效隐患。两者结合,实现了从电学故障到热学异常的全维度失效诊断,极大提升了分析效率与准确性。 低温热热红外显微镜选购指南半导体芯片内部缺陷定位是工艺优化与失效分析的关键技术基础。
致晟光电自主研发的热红外显微镜 Thermal EMMI P系列,是电子工业中不可或缺的精密检测工具,在半导体芯片、先进封装技术、功率电子器件以及印刷电路板(PCB)等领域的失效分析中发挥着举足轻重的作用。
该设备搭载——实时瞬态锁相红外热分析(RTTLIT)系统,并集成高灵敏度红外相机、多倍率可选显微镜镜头、精确高低压源表等技术组件,赋予其三大特性:超凡灵敏度与亚微米级检测精度,可捕捉微弱热信号与光子发射;高精度温度测量能力(锁相灵敏度达0.001℃),支持动态功耗分析;无损故障定位特性,无需破坏器件即可锁定短路、开路等缺陷。凭借技术集成优势,ThermaEMMIP系列不仅能快速定位故障点,更能通过失效分析优化产品质量与可靠性,为半导体制造、先进封装及电子器件研发提供关键技术支撑。
热红外显微镜(Thermal EMMI)的突出优势二:
与传统接触式检测方法相比,热红外显微镜的非接触式检测优势更胜——无需与被测设备直接物理接触,从根本上规避了传统检测中因探针压力、静电放电等因素对设备造成的损伤风险,这对精密电子元件与高精度设备的检测尤为关键。在接触式检测场景中,探针接触产生的机械应力可能导致芯片焊点形变或线路微损伤,而静电放电(ESD)更可能直接击穿敏感半导体器件。
相比之下,热红外显微镜通过捕捉设备运行时的热辐射信号实现非侵入式检测,不仅能在设备正常工作状态下获取实时数据,更避免了因接触干扰导致的检测误差,大幅提升了检测过程的安全性与结果可靠性。这种非接触式技术突破,为电子设备的故障诊断与性能评估提供了更优解。 分析倒装芯片(Flip Chip)、3D 封装(TSV)的层间热传导异常,排查焊球阵列、TSV 通孔的热界面失效。
通过大量海量热图像数据,催生出更智能的数据分析手段。借助深度学习算法,构建热图像识别模型,可快速准确地从复杂热分布中识别出特定热异常模式。如在集成电路失效分析中,模型能自动比对正常与异常芯片的热图像,定位短路、断路等故障点,有效缩短分析时间。在数据处理软件中集成热传导数值模拟功能,结合实验测得的热数据,反演材料内部热导率、比热容等参数,从热传导理论层面深入解析热现象,为材料热性能研究与器件热设计提供量化指导。热红外显微镜支持芯片、电路板等多类电子元件热检测。热红外显微镜功能
定位芯片内部微短路、漏电、焊点虚接等导致的热异常点。热红外显微镜功能
ThermalEMMI(热红外显微镜)是一种先进的非破坏性检测技术,主要用于精细定位电子设备中的热点区域,这些区域通常与潜在的故障、缺陷或性能问题密切相关。该技术可在不破坏被测对象的前提下,捕捉电子元件在工作状态下释放的热辐射与光信号,为工程师提供关键的故障诊断线索和性能分析依据。在诸如复杂集成电路、高性能半导体器件以及精密印制电路板(PCB)等电子组件中,ThermalEMMI能够快速识别出异常发热或发光的区域,帮助工程师迅速定位问题根源,从而及时采取有效的维修或优化措施。热红外显微镜功能
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