SOI键合机售后服务

半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（N）型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片，因为硅是当***行的半导体，这是由于其在地球上的大量供应。半导体晶圆是从锭上切片或切割薄盘的结果，它是根据需要被掺杂为P型或N型的棒状晶体。然后对它们进行刻划，以用于切割或切割单个裸片或方形子组件，这些单个裸片或正方形子组件可能*包含一种半导体材料或多达整个电路，例如集成电路计算机处理器。EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩工艺。SOI键合机售后服务

EVG®810LT技术数据

晶圆直径（基板尺寸）

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）

通用质量流量控制器：自校准（高达20.000sccm）

真空系统：9x10-2mbar

腔室的打开/关闭：自动化

腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）

可选功能：

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3mbar基本压力

符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si：Si/Si，Si/Si（热氧化，Si（热氧化）/

Si（热氧化）

TEOS/TEOS（热氧化）

绝缘体锗（GeOI）的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半导体：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，环烯烃聚合物

用户可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）

天津EVG320键合机针对高级封装，MEMS，3D集成等不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个键合模块。

针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究，以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象，提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺，以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量，以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度，使用恒温炉进行低温退火，解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高，环境要求苛刻的问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时，具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。

EVG®520IS晶圆键合系统■拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能■200mm的单个或者双腔自动化系统■自动晶圆键合流程和晶圆替代转移■集成冷却站，实现高产量EVG®540自动键合系统■300mm单腔键合室■自动处理多达4个键合卡盘■模块化键合室■自动底侧冷却EVG®560自动晶圆键合系统■多达4个键合室，满足各种键合操作■自动装卸键合室和冷却站■远程在线诊断■自动化机器人处理系统，用于机械对准的自动盒式磁带晶圆键合■工作站式布局，适用于所有键合工艺的设备配置EVG®GEMINI®自动化生产晶圆键合系统在蕞小的占地面积上，同时利用比较/高精度的EVGSmaiewNT技术，前/列的GEMINI大批量生产系统，并结合了自动光学对准和键合操作。有关更多详/细信息，请参/阅我们的GEMINI手册。烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。

在键合过程中，将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间，加热至752-932℃（华氏400-500摄氏度），和几百到千伏的电势被施加，使得负电极，这就是所谓的阴极，是在接触在玻璃中，正极（阳极）与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动，在与硅片的边界附近留下少量的正电荷，然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移，并在到达边界时与硅反应，形成二氧化硅（SiO 2）。产生的化学键将两个组件密封在一起。在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。新疆键合机值得买

晶圆键合机（系统）EVG®510 ，拥有150、200mm晶圆单腔系统 ；拥有EVG®501 键合机所有功能。SOI键合机售后服务

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种熔融/分子晶圆键合应用

生产系统可在高通量，高产量环境中运行

盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断

技术数据

晶圆直径（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型：平面到平面或凹口到凹口

对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°

结合力：蕞高5N

键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活

真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件） SOI键合机售后服务