安徽键合机高性价比选择

封装技术对微机电系统 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影响巨大，已成为 MEMS技术发展和实用化的关键技术［1］。实现封装的技术手段很多，其中较关键的工艺步骤就是键合工艺。随着 MEMS 技术的发展，越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合，然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合( silicon directly bonding，SDB)  技术［2］。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤，其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求，要进行复杂的抛光处理，这DADA加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率［3］。 EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。安徽键合机高性价比选择

ComBond自动化的高真空晶圆键合系统，高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据，EVGComBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑，可满足市场对更复杂的集成工艺的需求ComBond支持的应用领域包括先进的工程衬底，堆叠的太阳能电池和功率器件到膏端MEMS封装，高性能逻辑和“beyondCMOS” 器件ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台，可以针对研发和高通量，大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制ComBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数（CTE）的异质材料的键合，并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成ComBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合，这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合，都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。安徽键合机可以免税吗EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，可轻松引导操作员完成每个流程步骤。

临时键合系统：临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3DIC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到充分体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。 

在键合过程中，将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间，加热至752-932℃（华氏400-500摄氏度），和几百到千伏的电势被施加，使得负电极，这就是所谓的阴极，是在接触在玻璃中，正极（阳极）与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动，在与硅片的边界附近留下少量的正电荷，然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移，并在到达边界时与硅反应，形成二氧化硅（SiO 2）。产生的化学键将两个组件密封在一起。晶圆级涂层、封装，工程衬底智造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。

目前关于晶片键合的研究很多，工艺日渐成熟，但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少，键合效果很差。本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题，提出一种基于采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺，实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合，解决键合对硅晶圆表面要求极高，环境要求苛刻的问题。在对金层施加一定的压力和温度时，金层发生流动、互融，从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高，即当金层发生氧化时就会影响键合质量。自动晶圆键合机系统EVG®560，拥有多达4个键合室，能满足各种键合操作；可以自动装卸键合室和冷却站。BONDSCALE键合机三维芯片应用

EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩工艺。安徽键合机高性价比选择

Plessey工程副总裁JohnWhiteman解释说：“GEMINI系统的模块化设计非常适合我们的需求。在一个系统中启用预处理，清洁，对齐（对准）和键合，这意味着拥有更高的产量和生产量。EVG提供的有质服务对于快速有效地使系统联机至关重要。”EVG的执行技术总监PaulLindner表示：“我们很荣幸Plessey选择了我们蕞先进的GEMINI系统来支持其雄心勃勃的技术开发路线图和大批量生产计划。”该公告标志着Plessey在生产级设备投资上的另一个重要里程碑，该设备将GaN-on-Si硅基氮化镓单片microLED产品推向市场。 安徽键合机高性价比选择