EV Group键合机微流控应用

临时键合系统：临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3DIC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到充分体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。 在不需重新配置硬件的情况下，EVG键合机可以在真空下执行SOI / SDB（硅的直接键合）预键合。EV Group键合机微流控应用

阳极键合是晶片键合的一种方法，广FAN用于微电子工业中，利用热量和静电场的结合将两个表面密封在一起。这种键合技术ZUI常用于将玻璃层密封到硅晶圆上。也称为场辅助键合或静电密封，它类似于直接键合，与大多数其他键合技术不同，它通常不需要中间层，但不同之处在于，它依赖于当离子运动时表面之间的静电吸引对组件施加高电压。可以使用阳极键合将金属键合到玻璃上，并使用玻璃的薄中间层将硅键合到硅上。但是，它特别适用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的碱金属（例如钠），以提供可移动的正离子。通常使用一种特定类型的玻璃，其中包含约3.5％的氧化钠（Na2O）。 西藏绝缘体上硅键合机EVG键合机可配置为黏合剂、阳极、直接/熔融、玻璃料、焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散、热压缩工艺。

EVG®850LT特征利用EVG的 LowTemp™ 等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°结合力：蕞高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）

一旦将晶片粘合在一起，就必须测试粘合表面，看该工艺是否成功。通常，将批处理过程中产生的一部分产量留给破坏性和非破坏性测试方法使用。破坏性测试方法用于测试成品的整体剪切强度。非破坏性方法用于评估粘合过程中是否出现了裂纹或异常，从而有助于确保成品没有缺陷。EVGroup（EVG）是制造半导体，微机电系统（MEMS），化合物半导体，功率器件和纳米技术器件的设备和工艺解决方案的lingxian供应商。主要产品包括晶圆键合，薄晶圆加工，光刻/纳米压印光刻（NIL）和计量设备，以及光刻胶涂布机，清洁剂和检查系统。成立于1980年的EVGroup服务于复杂的全球客户和合作伙伴网络，并为其提供支持。有关EVG的更多信息，请访问"键合机"。 EVG键合机晶圆键合类型如下：阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。

EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统，SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。EVG所有键合机系统都可以通过远程通信的。低温键合机推荐型号

EVG键合机键合工艺可在真空或受控气体条件下进行。EV Group键合机微流控应用

真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件） 清洁站 清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选） 腔室：由PP或PFA制成（可选） 清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％浓度（可选） 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：ZUI高3000rpm（5s） 清洁臂：蕞多5条介质线（1个超音速系统使用2条线） 可选功能 ISO3mini-environment（根据ISO14644） LowTemp™等离子活化室 红外检查站 以上资料由岱美仪器提供并做技术支持EV Group键合机微流控应用