您好,欢迎访问

商机详情 -

氮化镓键合机技术原理

来源: 发布时间:2024年10月02日

EVG®850LTSOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 用途:自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合,熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁,等离子活化和对准到预键合和IR检查。因此,经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量,高产量生产工艺。EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。氮化镓键合机技术原理

氮化镓键合机技术原理,键合机

业内主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种黏合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。奥地利的EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有2000多拥有多年晶圆键合经验的员工,同时,GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。根据型号和加热器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发,并且可以通过简单的方法进行大批量生产,因为键合程序可以转移到EVGGEMINI大批量生产系统中。 河南EVG301键合机LowTemp™等离子基活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子基活,用于PAWB(等离子基活的晶圆键合)。

氮化镓键合机技术原理,键合机

根据型号和加热器尺寸,EVG500系列键合机可以用于碎片和50mm至300mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发,并且可以通过简单的方法进行大批量生产,因为键合程序可以转移到EVGGEMINI大批量生产系统中。键合室配有通用键合盖,可快速排空,快速加热和冷却。通过控制温度,压力,时间和气体,允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂,可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独力温度控制补偿了不同的热膨胀系数,从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下,可以在真空下执行SOI/SDB(硅的直接键合)预键合。 

EVG®510键合机特征 独特的压力和温度均匀性 兼容EVG机械和光学对准器 灵活的设计和配置,用于研究和试生产 将单芯片形成晶圆 各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合) 可选的涡轮泵(<1E-5mbar) 可升级用于阳极键合 开室设计,易于转换和维护 生产兼容 高通量,具有快速加热和泵送规格 通过自动楔形补偿实现高产量 开室设计,可快速转换和维护 200mm键合系统的蕞小占地面积:0.8m2 程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容 技术数据 蕞/大接触力 10、20、60kN 加热器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸单芯片100毫米 真空 标准:0.1毫巴 可选:1E-5mbar EVG所有键合机系统都可以通过远程通信。

氮化镓键合机技术原理,键合机

EVG®301特征使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁单面清洁刷(选件)用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程选件带有红外检查的预键合台非SEMI标准基材的工具技术数据晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米清洁系统开室,旋转器和清洁臂腔室:由PP或PFA制成(可选)清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成旋转:蕞高3000rpm(5秒内)超音速喷嘴频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:30-60W去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效清洁区域:Ø 4.0mm材质:聚四氟乙烯EVG下的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。江苏键合机有谁在用

EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。氮化镓键合机技术原理

EVG320技术数据晶圆直径(基板尺寸)200、100-300毫米清洁系统开室,旋转器和清洁臂腔室:由PP或PFA制成(可选)清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成旋转:蕞高3000rpm(5秒内)超音速喷嘴频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:30-60W去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效清洁区域:Ø4.0mm材质:聚四氟乙烯兆声区域传感器可选的频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:蕞大2.5W/cm²有效面积(蕞大输出200W)去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质:不锈钢和蓝宝石刷的参数:材质:PVA可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)可调参数(刷压缩,介质分配)自动化晶圆处理系统扫描区域兼容晶圆处理机器人领域EVG320,使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作,达到蕞高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。可选功能:ISO3mini-environment(根据ISO14644)氮化镓键合机技术原理