西藏键合机研发生产

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据：晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°结合力：ZUI高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合设备。西藏键合机研发生产

EVG®301单晶圆清洗系统，属于研发型单晶圆清洗系统。 技术数据 EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的研发型系统，适用于灵活的清洁程序和300mm的能力。EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。西藏键合机研发生产旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。

GEMINI自动化生产晶圆键合系统集成的模块化大批量生产系统，用于对准晶圆键合特色技术数据GEMINI自动化生产晶圆键合系统可实现ZUI高水平的自动化和过程集成。批量生产的晶圆对晶圆对准和ZUI大200毫米（300毫米）的晶圆键合工艺都在一个全自动平台上执行。器件制造商受益于产量的增加，高集成度以及多种键合工艺方法的选择，例如阳极，硅熔合，热压和共晶键合。特征全自动集成平台，用于晶圆对晶圆对准和晶圆键合底部，IR或Smaiew对准的配置选项多个键合室晶圆处理系统与键盘处理系统分开带交换模块的模块化设计结合了EVG的精密对准EVG所有优点和®500个系列系统与duli系统相比，占用空间ZUI小可选的过程模块：LowTemp™等离子活化晶圆清洗涂敷模块紫外线键合模块烘烤/冷却模块对准验证模块技术数据蕞大加热器尺寸150、200、300毫米装载室5轴机器人ZUI高键合模块4个ZUI高预处理模块200毫米：4个300毫米：6个。

EVG®850LTSOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 用途：自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。EVG服务：高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。

焊使用工具将导线施加到微芯片上时对其产生压力。将导线牢固地固定到位后，将超声波能量施加到表面上，并在多个区域中建立牢固的结合。楔形键合所需的时间几乎是类似球形键合所需时间的两倍，但它也被认为是更稳定的连接，并且可以用铝或其他几种合金和金属来完成。不建议业余爱好者在未获得适当指导的情况下尝试进行球焊或楔焊，因为焊线的敏感性和损坏电路的风险。已开发的技术使这两个过程都可以完全自动化，并且几乎不再需要手工完成引线键合。蕞终结果是实现了更加精确的连接，这种连接往往比传统的手工引线键合方法产生的连接要持久。业内主流键合机使用工艺：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。西藏键合机研发生产

键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层，晶圆级封装，工程衬底智造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等应用实用的技术。西藏键合机研发生产

一旦认为模具有缺陷，墨水标记就会渗出模具，以便于视觉隔离。典型的目标是在100万个管芯中，少于6个管芯将是有缺陷的。还需要考虑其他因素，因此可以优化芯片恢复率。质量体系确保模具的回收率很高。晶圆边缘上的裸片经常会部分丢失。芯片上电路的实际生产需要时间和资源。为了稍微简化这种高度复杂的生产方法，不对边缘上的大多数模具进行进一步处理以节省时间和资源的总成本。半导体晶圆的光刻和键合技术以及应用设备，可以关注这里：EVG光刻机和键合机。西藏键合机研发生产

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