EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量,高产量环境中运行盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据:晶圆直径(基板尺寸)100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型:平面到平面或凹口到凹口对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1°结合力:蕞高5N键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件)EVG键合机晶圆键合类型有:阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。绝缘体上的硅键合机中芯在用吗

EVG®805解键合系统用途:薄晶圆解键合。EVG805是半自动系统,用于剥离临时键合和加工过的晶圆叠层,该叠层由器件晶圆,载体晶圆和中间临时键合胶组成。该工具支持热剥离或机械剥离。可以将薄晶圆卸载到单个基板载体上,以在工具之间安全可靠地运输。特征:开放式胶粘剂平台解键合选项:热滑解键合解键合机械解键合程序控制系统实时监控和记录所有相关过程参数薄晶圆处理的独特功能多种卡盘设计,可支撑蕞大300mm的晶圆/基板和载体高形貌的晶圆处理技术数据晶圆直径(基板尺寸)晶片蕞大300mm高达12英寸的薄膜组态1个解键合模块选件紫外线辅助解键合高形貌的晶圆处理不同基板尺寸的桥接能力SmartView NT键合机免税价格EVG键合机可配置为黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩工艺。

EVG®850TB 自动化临时键合系统 全自动将临时晶圆晶圆键合到刚性载体上 特色 技术数据 全自动的临时键合系统可在一个自动化工具中实现整个临时键合过程-从临时键合剂的施加,烘焙,将设备晶圆与载体晶圆的对准和键合开始。与所有EVG的全自动工具一样,设备布局是模块化的,这意味着可以根据特定过程对吞吐量进行优化。可选的在线计量模块允许通过反馈回路进行全过程监控和参数优化。 由于EVG的开放平台,因此可以使用不同类型的临时键合粘合剂,例如旋涂热塑性塑料,热固性材料或胶带。
真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件) 清洁站 清洁方式:冲洗(标准),超音速喷嘴,超音速面积传感器,喷嘴,刷子(可选) 腔室:由PP或PFA制成(可选) 清洁介质:去离子水(标准),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%浓度(可选) 旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成 旋转:蕞/高3000rpm(5s) 清洁臂:蕞多5条介质线(1个超音速系统使用2条线) 可选功能 ISO3mini-environment(根据ISO14644) LowTemp™等离子活化室 红外检查站 以上资料由岱美仪器提供并做技术支持针对高级封装,MEMS,3D集成等不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个键合模块。

在键合过程中,将两个组件的表面弄平并彻底清洁以确保它们之间的紧密接触。然后它们被夹在两个电极之间,加热至752-932℃(华氏400-500摄氏度),和几百到千伏的电势被施加,使得负电极,这就是所谓的阴极,是在接触在玻璃中,正极(阳极)与硅接触。玻璃中带正电的钠离子变得可移动并向阴极移动,在与硅片的边界附近留下少量的正电荷,然后通过静电吸引将其保持在适当的位置。带负电的氧气来自玻璃的离子向阳极迁移,并在到达边界时与硅反应,形成二氧化硅(SiO 2)。产生的化学键将两个组件密封在一起。自动键合系统EVG®540,拥有300 mm单腔键合室和多达4个自动处理键合卡盘。浙江原装进口键合机
自动晶圆键合机系统EVG®560,拥有多达4个键合室,能满足各种键合操作;可以自动装卸键合室和冷却站。绝缘体上的硅键合机中芯在用吗
临时键合系统:临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程,这对于3DIC,功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板(例如化合物半导体)非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上,从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后,将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现,该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号:EVG805解键合系统;EVG820涂敷系统;EVG850TB临时键合系统;EVG850DB自动解键合系统。绝缘体上的硅键合机中芯在用吗
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