北京纳米烧结银膏

聚峰烧结银膏在配方设计中重点强化热稳定性能，通过优化银粉选型与粘结体系，让烧结后的银层在高温、交变温度等严苛工况下，依旧保持结构完整与性能稳定。长期服役过程中，银层不会出现开裂、脱落、氧化等问题，能始终维持稳定的导电与导热状态，保证电子器件的可靠运行。无论是工业电子设备、汽车电子组件还是通信基站模块，聚峰烧结银膏都能凭借优异热稳定性，抵御复杂工况带来的性能挑战，减少器件故障概率，降低设备维护成本，成为高可靠电子封装的优先选择材料。纳米烧结银膏电阻率低、导热系数高，是 AI 芯片、5G 射频模块封装的关键互连材料。北京纳米烧结银膏

聚峰烧结银膏针对 AI 芯片、服务器电源等算力设备的封装需求，完成了专项性能优化。AI 芯片、服务器电源工作时功率密度高、发热量极大，传统焊料无法满足其散热与可靠性需求。聚峰烧结银膏烧结后形成的纯银互连层，热阻极低、散热快，可速度导出芯片热量，将器件工作温度降低 15-20℃，避免高温导致的算力衰减。同时，银层优异的导电性能，可承载大电流传输，满足服务器电源、AI 加速卡的高功率需求。此外，产品抗热疲劳、抗电迁移性能突出，在 7×24 小时不间断运行的服务器场景中，可保护器件 10 年以上的稳定运行，为算力基础设施的可靠运行提供关键材料支撑。江苏基片封装烧结银膏聚峰烧结银膏兼顾烧结活性与印刷适配性，满足汽车电子、服务器电源等高负载场景需求。

性能高可靠银烧结材料，适用于高要求应用场景。能够解决传统焊料热导率不足问题，提升散热效率；降低界面孔隙率，提高器件可靠性与寿命；应对高功率器件高温失效问题；改善长时间印刷过程中的稳定性与一致性问题；满足半导体封装对高导电、高导热双重需求。广泛应用于光伏、新能源车辆、高铁、风力发电、充电桩等应用场景。同时适用于IGBT模块、SiC功率器件等对散热性能和连接可靠性要求极高的封装场景，满足长期高温高负载运行环境下的稳定性需求。

聚峰烧结纳米银膏，是专为第三代半导体封装场景研发的高性能互连材料，聚焦 SiC、GaN 等高功率器件的封装需求。其采用纳米级银粉配方，经 220-280℃低温烧结后，形成致密纯银互连层，导电、导热性能远超传统锡基焊料。该银膏烧结后热导率可达 300W/(m・K) 以上，能较快导出器件工作时产生的高热量，避免局部过热导致的性能衰减。同时，材料具备优异的高温稳定性，在 175℃以上长期工作环境中，无蠕变、无开裂、无失效，完美匹配新能源汽车电控、光伏逆变器、工业电源等高功率、高可靠应用场景，从根本上解决传统封装材料无法适配第三代半导体高温工况的行业痛点。聚峰烧结银膏适配 SiC/GaN 等宽禁带半导体，助力第三代器件高密度互连封装。

烧结银膏的连接强度与热匹配性是保障器件长期可靠性的双重保障。其烧结后的连接层剪切强度可达 20-50MPa，远超传统导电胶与部分软钎料，能承受剧烈的机械振动与冲击。更重要的是，烧结银的热膨胀系数（CTE）与硅芯片、陶瓷基板等主流封装基材高度匹配。在器件经历开机、关机的温度循环时，连接层与基材间因热胀冷缩差异产生的热应力被大幅降低，有效避免了传统焊料因热应力疲劳导致的界面开裂、分层等失效模式。这一特性使得烧结银膏在需要长期稳定运行的工业控制、汽车电子等领域，展现出远超传统材料的寿命与稳定性。烧结纳米银膏无铅无卤素，符合 RoHS 标准，绿色，完美替代传统含铅焊料。有压烧结纳米银膏

纳米烧结银膏耐高温抗老化，高温环境下不易失效，大幅延长半导体器件使用寿命。北京纳米烧结银膏

纳米烧结银膏的微观结构是其高性能的关键后盾。通过配方设计与烧结工艺调控，其烧结后的银层孔隙率可稳定把控在 2%-5% 的极低水平。这种近乎全致密的微观结构，不*为电子和声子的传导提供了连续、顺畅的通道，较大化发挥银材料本征的导电、导热优势，更赋予了连接层优异的气密性与抗腐蚀能力。均匀分布的纳米级银晶粒（50-100nm）使得材料内部应力分布均衡，在长期的温度循环与功率载荷下，不易产生微裂纹与缺陷扩展。这种可控的微观结构，是纳米烧结银膏能够在高可靠场景中保持长期性能稳定的关键所在。北京纳米烧结银膏