湖北POLOSBEAM光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

在微流体研究领域，德国 Polos 光刻机系列凭借独特优势脱颖而出。其无掩模激光光刻技术，打破传统光刻的局限，无需掩模就能实现高精度图案制作。这使得科研人员在构建微通道网络时，可根据实验需求自由设计，快速完成从图纸到实体的转化。​以药物传输研究为例，利用 Polos 光刻机，能制造出尺寸precise、结构复杂的微通道，模拟人体环境，让药物在微小空间内可控流动，much提升药物传输效率研究的准确性。同时，在细胞培养实验中，该光刻机制作的微流体芯片，为细胞提供稳定且适宜的生长环境，助力细胞生物学研究取得新突破。小空间大作为的 Polos 光刻机，正推动微流体研究不断向前。Polos-BESM XL：加大加工幅面，满足中尺寸器件一次性成型需求。湖北POLOSBEAM光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

某集成电路实验室利用 Polos 光刻机开发了基于相变材料的存算一体芯片。其激光直写技术在二氧化硅基底上实现了 100nm 间距的电极阵列，器件的读写速度达 10ns，较传统 SRAM 提升 100 倍。通过在电极间集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相变材料，芯片实现了计算与存储的原位融合，能效比达 1TOPS/W，较传统冯・诺依曼架构提升 1000 倍。该技术被用于边缘计算设备，使图像识别延迟从 50ms 缩短至 5ms，相关芯片已进入小批量试产阶段。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。黑龙江BEAM-XL光刻机分辨率1.5微米无掩模技术优势：摒弃传统掩模，图案设计实时调整，研发成本直降 70%。

上海有机化学研究所通过光刻技术制备多组分纳米纤维，实现了功能材料的精确组装。类似地，Polos系列设备可支持此类结构的可控加工，为新能源器件（如柔性电池）和智能材料提供技术基础3。设备的高重复性（0.1 µm）确保了科研成果的可转化性。掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。

细胞培养芯片需根据不同细胞类型设计表面微结构，传统光刻依赖掩模库，难以满足个性化需求。Polos 光刻机支持 STL 模型直接导入，某干细胞研究所在 24 小时内完成了神经干细胞三维培养支架的定制加工。其制造的微柱阵列间距可精确控制在 5-50μm，适配不同分化阶段的细胞黏附需求。实验显示，使用该支架的神经细胞轴突生长速度提升 30%，为神经再生机制研究提供了高效工具，相关技术已授权给生物芯片企业实现量产。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。无掩模技术优势：摒弃传统掩模，图案实时调整，研发成本降低 70%，小批量生产经济性突出。

针对植入式医疗设备的长期安全性问题，某生物电子实验室利用 Polos 光刻机在聚乳酸（）基底上制备可降解电极。其无掩模技术避免了传统掩模污染，使电极的金属残留量低于 0.01μg/mm²，生物相容性测试显示细胞存活率达 99%。通过自定义螺旋状天线图案，开发出的可降解心率监测器，在体内降解周期可控制在 3-12 个月，信号传输稳定性较同类产品提升 50%，相关技术已进入临床前生物相容性评价阶段。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术，用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件，开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成，操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小，非常适合研究实验室，并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域，为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。掩模制备时间归零，科研人员耗时减少 60%，项目交付周期缩短 50%。黑龙江BEAM-XL光刻机分辨率1.5微米

成本效益：单次曝光成本低于传统光刻 1/3，小批量研发更经济。湖北POLOSBEAM光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

德国Polos-BESM系列光刻机采用无掩模激光直写技术，突破传统光刻对物理掩膜的依赖，支持用户通过软件直接输入任意图案进行快速曝光。其亚微米分辨率（most小线宽0.8 µm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圆上实现高精度微纳结构加工18。系统体积紧凑，only占桌面空间，搭配闭环自动对焦（1秒完成）和半自动多层对准功能，大幅提升实验室原型开发效率，适用于微流体芯片设计、电子元件制造等领域。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化，无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下，将该技术带到了桌面上，进一步提升了其优势。湖北POLOSBEAM光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米