与传统散热材料相比,高导热银胶的优势明显。传统的散热材料如普通硅胶,其导热率较低,一般在 1 - 3W/mK 之间,无法满足现代电子设备对高效散热的需求。而高导热银胶的导热率可达到 10W - 80W/mK,是普通硅胶的数倍甚至数十倍,能够在短时间内将大量热量传导出去,很大提高了散热效率 。在一些对散热要求极高的应用场景中,高导热银胶的高导热性能优势更加突出。在数据中心的服务器中,大量的芯片同时工作会产生巨大的热量,如果不能及时散热,服务器的性能将受到严重影响。高导热银胶能够将芯片热量快速传导至散热系统,确保服务器在长时间高负载运行下的稳定性,提高数据处理效率 。微米银胶成本低,消费电子适用广。半导体烧结银胶以客为尊
除了高导热率,TS - 985A - G6DG 还具有高可靠性。它在烧结后形成的银连接层具有良好的稳定性和机械强度,能够承受高温、高湿度、强振动等恶劣环境的考验。在长期使用过程中,其性能衰退缓慢,能够始终保持良好的导热和导电性能 。在医疗设备中的品牌影像设备中,电子元件需要长期稳定运行,TS - 985A - G6DG 的高可靠性确保了设备在频繁使用过程中不会因连接问题导致故障,保证了影像诊断的准确性和可靠性。TS - 985A - G6DG 在高温下的稳定性尤为突出。即使在超过 200℃的高温环境中,它依然能够保持其物理和化学性能的稳定,不会发生分解、氧化等现象,从而保证了电子设备在高温环境下的可靠运行 。焊接烧结银胶需求功率器件散热,TS - 9853G 得力。
功率器件如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属 - 氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等在电力电子、新能源汽车、工业自动化等领域有着广泛的应用。这些功率器件在工作时会消耗大量的电能,并产生大量的热量,因此对散热性能要求极高。高导热银胶能够满足功率器件的散热需求,将器件产生的热量快速传递出去,保证其在高功率、高频率的工作条件下稳定运行。在新能源汽车的逆变器中,IGBT 模块是重要部件之一,高导热银胶用于 IGBT 芯片与基板之间的连接,能够有效提高逆变器的效率和可靠性,降低能耗,延长使用寿命。
在特定领域的应用中,TS - 985A - G6DG 在汽车电子的功率模块封装中发挥着关键作用。随着新能源汽车的快速发展,汽车电子系统的功率密度不断提高,对散热材料的要求也越来越苛刻。在新能源汽车的逆变器功率模块中,TS - 985A - G6DG 用于芯片与基板之间的连接,其高导热性能能够迅速将芯片产生的大量热量导出,保证逆变器在高功率运行下的稳定性和可靠性。其出色的耐腐蚀性,能够抵御汽车发动机舱内复杂的化学环境和高温、高湿等恶劣条件,确保功率模块在汽车的整个使用寿命周期内都能正常工作。在航空航天领域,对于电子设备的可靠性和性能要求极高,TS - 985A - G6DG 凭借其优异的性能,也被应用于一些关键的电子部件封装中,为航空航天设备的稳定运行提供了可靠的保障 。TS - 9853G 优化 EBO,连接更可靠。
在功率器件封装中,即使经过多次热循环和机械振动,TS-9853G依然能够保持良好的连接性能,减少因EBO问题导致的产品失效,为功率器件的稳定运行提供了有力保障。在导热性能方面,TS-9853G的导热率达到130W/mK,处于半烧结银胶的较高水平。这使得它在需要高效散热的应用中能够发挥出色的作用,能够快速将电子元件产生的热量传导出去,降低芯片温度,提高电子设备的性能和稳定性。它在固化过程中能够形成更加均匀和稳定的连接结构,增强了银胶与电子元件之间的结合力,从而提高了产品的长期可靠性。TS - 9853G 银胶,符合欧盟 PFAS 要求。焊接烧结银胶需求
半烧结银胶,汽车应用优势凸显。半导体烧结银胶以客为尊
烧结银胶的烧结原理是基于固态扩散机制和液态烧结辅助机制。在固态扩散机制中,当烧结温度升高到一定程度时,银原子获得足够的能量开始活跃,银粉颗粒之间通过原子的扩散作用逐渐形成连接。在烧结初期,银粉颗粒之间先是通过点接触开始形成烧结颈,随着原子不断扩散,颗粒间距离缩小,表面自由能降低,颈部逐渐长大变粗并形成晶界,晶界滑移带动晶粒生长 ,坯体中的颗粒重排,接触处产生键合,空隙变形、缩小。在烧结中期,颗粒和颗粒开始形成致密化连接,扩散机制包括表面扩散、表面晶格扩散、晶界扩散和晶界晶格扩散等,颗粒间的颈部继续长大,晶粒逐步长大并且颗粒之间的晶界逐渐形成连续网络,气孔相互孤立,并逐渐形成球形,位于晶粒界面处或晶粒结合点处。半导体烧结银胶以客为尊