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高导热银胶导热率在 10W - 80W/mK，满足一般电子设备散热需求，其导电性和可靠性也能满足常规电子元件的电气连接和稳定工作要求 。半烧结银胶导热率处于 80W - 200W/mK 之间，在具备较高导热性能的同时，对 EBO 进行了优化，如 TS - 9853G 半烧结银胶符合欧盟 PFAS 要求，为其在环保要求较高的市场应用提供了优势 。烧结银胶导热率可达 200W/mK 以上，具有高可靠性和在高温下的稳定性，像 TS - 985A - G6DG 高导热烧结银胶在航空航天等极端环境应用中表现优异 。银胶导热率高，芯片温度速降。解决空洞问题半烧结银胶进口

不同应用领域对高导热银胶的需求特点存在一定差异。在电子封装领域，除了要求高导热银胶具有良好的导热性和导电性外，还对其粘接强度、固化特性、耐老化性能等有较高的要求，以确保封装结构的稳定性和可靠性。功率器件应用中，由于功率器件工作时温度变化较大，因此对高导热银胶的热稳定性、抗热疲劳性能要求较高，能够在频繁的温度循环下保持良好的性能。在 LED 照明领域，除了关注导热性能外，还对高导热银胶的光学性能有一定要求，例如要求其具有低的光吸收率和高的透光率，以避免对 LED 发光效果产生负面影响。解决空洞问题半烧结银胶进口TS - 1855 银胶，高导热性能出众。

TS - 1855 作为目前市面上导热率比较高的导电银胶，其导热率高达 80W/mK，在众多银胶产品中脱颖而出。这一有效的导热性能使得它能够在电子封装中迅速将热量传递出去，有效降低电子元件的温度，从而提高电子设备的性能和稳定性 。在汽车功率半导体模块中，TS - 1855 能够快速将芯片产生的高热量传导至散热片，确保功率半导体在高负载运行时的温度始终处于安全范围内，避免因过热导致的性能下降和故障。除了高导热率，TS - 1855 还具有出色的附着力。它对各种模具尺寸的金属化表面都能保持良好的粘附能力，在 260℃、14MPa 的条件下，其 DSS（Die Shear Strength，芯片剪切强度）表现优异。

TS - 9853G 半烧结银胶的一大有效特性是符合欧盟 PFAS 要求。PFAS（全氟和多氟烷基物质）由于其持久性和生物累积性，对环境和人体健康存在潜在风险。随着环保法规的日益严格，电子材料符合 PFAS 要求变得至关重要。TS - 9853G 满足这一要求，使其在欧洲市场以及对环保要求较高的应用场景中具有明显优势 。在电子设备出口到欧盟地区时，使用 TS - 9853G 半烧结银胶能够确保产品顺利通过环保检测，避免因环保问题导致的贸易壁垒和市场准入障碍。TS - 9853G 还对 EBO（Early Bond Open，早期键合开路）进行了优化。在电子封装过程中，EBO 问题可能会导致电子元件之间的连接失效，影响产品的可靠性。半烧结银胶，兼顾性能与工艺。

烧结银胶的烧结原理是基于固态扩散机制和液态烧结辅助机制。在固态扩散机制中，当烧结温度升高到一定程度时，银原子获得足够的能量开始活跃，银粉颗粒之间通过原子的扩散作用逐渐形成连接。在烧结初期，银粉颗粒之间先是通过点接触开始形成烧结颈，随着原子不断扩散，颗粒间距离缩小，表面自由能降低，颈部逐渐长大变粗并形成晶界，晶界滑移带动晶粒生长 ，坯体中的颗粒重排，接触处产生键合，空隙变形、缩小。在烧结中期，颗粒和颗粒开始形成致密化连接，扩散机制包括表面扩散、表面晶格扩散、晶界扩散和晶界晶格扩散等，颗粒间的颈部继续长大，晶粒逐步长大并且颗粒之间的晶界逐渐形成连续网络，气孔相互孤立，并逐渐形成球形，位于晶粒界面处或晶粒结合点处。LED 照明，TS - 1855 解决散热难题。零助焊剂半烧结银胶类型

微米级银粉高导热银胶，成本亲民。解决空洞问题半烧结银胶进口

对于不同型号的银胶，其导热率对电子设备散热的影响也各不相同。以高导热银胶、半烧结银胶和烧结银胶为例，高导热银胶的导热率一般在 10W - 80W/mK 之间，适用于一般的电子设备散热需求，如普通的集成电路封装。半烧结银胶的导热率通常在 80W - 200W/mK 之间，在一些对散热要求较高，但又需要兼顾工艺和成本的应用中表现出色，如汽车电子的功率模块。烧结银胶的导热率则可达到 200W/mK 以上，主要应用于对散热性能要求极高的品牌电子设备，如航空航天领域的电子器件。解决空洞问题半烧结银胶进口