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滁州中芯国际用剥离液批量定制

来源: 发布时间:2025年10月15日

本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种用于包括但不限于半导体生产工艺中光刻胶去除步骤的光刻胶剥离去除方法。背景技术:光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的也称为光致抗蚀剂、光阻等,其作用是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶广泛应用于集成电路(ic)、封装(packaging)、微机电系统(mems)、光电子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板显示其(led、lcd、oled)和太阳能光伏(solarpv)等领域。在半导体制造领域,离子注入层光刻胶(参考图2)在经过高剂量或大分子量的源种注入后(参考图3),会在光刻胶的外层形成一层硬壳(参考图4)本发明命名为主要光刻胶层。现有的离子注入层光刻胶在经过氧气灰化干法剥离时,由于等离子氧与光刻胶反应速率很高,会有一部分等离子氧先穿透主要光刻胶层到达第二光刻胶层,在与第二光刻胶层反应后在内部产生大量气体,第二层光刻胶膨胀(参考图5),主要光刻胶层终因承受不住内层巨大的气压而爆裂,爆裂的光刻胶有一定的概率掉落在临近的光刻胶上(参考图6),导致此交叠的光刻胶不能法剥离干净。在经过后续批作业的湿法剥离后会产生残余物。性价比高的剥离液哪里有;滁州中芯国际用剥离液批量定制

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使用当前级腔室相应的过滤器过滤来自当前级腔室的剥离液并将过滤后的剥离液传输至下一级腔室;若所述过滤器被所述薄膜碎屑阻塞,则关闭连接被阻塞的所述过滤器的管道上的阀门开关;取出被阻塞的所述过滤器。在一些实施例中,所述若所述过滤器被所述薄膜碎屑阻塞,则关闭连接被阻塞的所述过滤器的管道上的阀门开关包括:若所述过滤器包括多个并列排布的子过滤器,则关闭连接被阻塞的所述子过滤器的管道上的阀门开关。本申请实施例还提供一种剥离液机台,包括:依次顺序排列的多级腔室、每一级所述腔室对应连接一存储箱;过滤器,所述过滤器的一端设置通过管道与当前级腔室对应的存储箱连接,所述过滤器的另一端通过第二管道与下一级腔室连接;其中,至少在所述管道或所述第二管道上设置有阀门开关开关。通过阀门开关控制连接每一级腔室的过滤器相互独立,从而在过滤器被阻塞时通过阀门开关将被堵塞的过滤器取下并不影响整体的剥离进程,提高生产效率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图**是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲。安徽格林达剥离液销售电话剥离液分为溶剂型和水系两种类别;

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用显微镜观察也难以看出的程度)3:有少量残渣4:基本能剥离,但一部分残渣多5:一半以上能剥离,但一部分残渣多6:基本不能剥离,但一部分剥离7:不能剥离【表2】由该结果可知,在含有溶纤剂的抗蚀剂的剥离液中使用氢氧化钾代替氢氧化钠的本发明组成,与使用氢氧化钠的比较组成相比,即使l/s狭窄,也能除去抗蚀剂。(3)剥离性能的评价方法将液温设为50℃的各剥离液使用喷涂装置向上述试验片实施剥离处理,将试验片的粘性部分的dfr以目视全部面积的90%以上被剥离的时刻作为剥离时间。另外,剥离片尺寸(长边)是采集喷涂停止后附着于设置于试验基板固定用的台上的排渣用网眼的剥离片以目视实施的。此时的喷涂装置的条件设为全锥喷嘴且流量5l/min、压力。将其结果示于表3。(4)金属的浸蚀性的评价方法利用上述评价方法实施将喷涂运行时间固定在10分钟的处理。其后,将基板的镀铜部位通过电子显微镜(日立高新技术制:s-3400n)按照以下的评价基准评价表面形状。其结果也示于表3。<金属浸蚀性的评价基准>(分数)(内容)1:没有变化2:极略微有变化(用显微镜观察也难以看出的程度)3:略有变化4:发生***变色【表3】剥离时间(sec)剥离片尺寸。

本申请实施例还提供一种剥离液机台的工作方法,请参阅图5,图5为本申请实施例提供的剥离液机台的工作方法的流程示意图,该方法包括:步骤110、将多级腔室顺序排列,按照处于剥离制程的剥离基板的传送方向逐级向剥离基板提供剥离液;步骤120、将来自于当前级腔室经历剥离制程的剥离液收集和存储于当前级腔室相应的存储箱中,所述剥离液中夹杂有薄膜碎屑;步骤130、使用当前级腔室相应的过滤器过滤来自当前级腔室的剥离液并将过滤后的剥离液传输至下一级腔室;步骤140、若所述过滤器被所述薄膜碎屑阻塞,则关闭连接被阻塞的所述过滤器的管道上的阀门开关;步骤150、取出被阻塞的所述过滤器。若过滤器包括多个并列排布的子过滤器,则可以关闭被阻塞的子过滤器的阀门,因此,步骤140还可以包括:若所述过滤器包括多个并列排布的子过滤器,则关闭连接被阻塞的所述子过滤器的管道上的阀门开关。在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。铜剥离液的配方是什么?

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IC去除剥离液MSDS1.产品属性产品形式:混合溶液产品名称:ANS-908产品功能描述:用于COG重工,使IC与玻璃无损伤分离2.组成成份化学名称CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危险识别可燃性液体和蒸汽警示标识外观:透明或微黄气味:类氨对人类和环境的危害:对眼睛和皮肤有刺激性吸入:会引起呼吸道受刺激,肝脏、肾受伤害,对系统有影响摄取:会引起呼吸道和消化道刺激长期接触:会引起皮肤伤害4.紧急处理吸入:移至空气新鲜处,呼吸困难时输氧、看医生摄取:迅速呕吐或者看医生皮肤接触:用大量水冲洗15分钟以上,更换衣服、鞋,或者看医生眼睛接触:用大量水冲洗15分钟以上,严重时看医生5.防火措施合适的灭火装置:水枪、泡沫灭火器、干粉灭火器、CO2灭火器特别防护措施:穿戴防护面罩闪点:>110℃自燃温度:>340℃6.意外泄漏注意事项人员:避免吸入,避免皮肤、眼睛、衣物的接触,雾状时戴防护面罩环境:迅速移除火源,避免吸入和接触清洁方法:大量泄漏应截流并泵入容器,用吸附材料吸掉残余物;少量泄漏用水冲洗7.存储和搬运搬运:远离火源、烟雾;不要吸入蒸汽。哪家公司的剥离液是比较划算的?南通BOE蚀刻液剥离液配方技术

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本发明采用一种选择性剥离制备微纳结构的新方法,可制备出任意负性光刻胶所能制备的任意图形且加工效率比传统的加工方法提高了上万倍(以直径为105nm的结构为例),特别是为跨尺度结构的加工,为光学领域,电学领域,声学领域,生物领域,mem制造,nems制造,集成电路等领域提供了一种新的解决方案。本发明的技术方案如下:一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,包括以下步骤:步骤一、提供衬底,并清洗;步骤二、对衬底进行修饰降低光刻胶与衬底的粘附力;步骤三、衬底上旋涂光刻胶得到薄膜;步骤四、在光刻胶上加工出所需结构的轮廓;所述所需结构包括若干**单元,**单元外周形成有闭合的缝隙;步骤五、在光刻胶上覆盖一层黏贴层;步骤六、自所需结构以外的光刻胶的边沿处揭开黏贴层,黏贴层将所需结构以外的光刻胶粘走,留下所需结构即衬底上留下的微纳结构;黏贴层与光刻胶的粘附力a大于光刻胶与衬底的粘附力b。进一步的改进,在供体衬底表面修饰光刻胶抗粘层为高温气体修饰法或抽真空气体修饰法;高温气体修饰法包括如下步骤:将衬底和光刻胶抗粘剂置于密闭空间中,其中,密闭空间的温度控制在60℃-800℃之间,保温1分钟以上,直接取出衬底。滁州中芯国际用剥离液批量定制