实施例1~6:按照表1配方将二甲基亚砜、一乙醇胺、四甲基氢氧化铵、硫脲类缓蚀剂、聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂、n-甲基吡咯烷酮和去离子水混合,得到用于叠层晶圆的光刻胶剥离液。表1:注:含量中不满100wt%的部分由去离子水补足余量。以cna披露的光刻胶剥离液作为对照例,与实施例1~6所得用于叠层晶圆的光刻胶剥离液进行比较试验,对面积均为300cm2的叠层晶圆上的光刻胶进行剥离并分别测定剥离周期、金属镀层的腐蚀率和过片量(剥离的面壁数量)。对比情况见表2:表2:剥离周期/s金属腐蚀率/ppm过片量/片实施例1130~15015376实施例2130~15016583实施例3130~15017279实施例4130~15015675实施例5130~15016372实施例6130~15017681对照例180~20022664由表2可知,本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液通过加入硫脲类缓蚀剂和聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂,使剥离效率有明显的提升,对金属腐蚀率降低20%以上,而且让过片量提高10%以上。以上所述的*是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。什么样的剥离液可以保护底部金属?合肥剥离液什么价格
1.显影液:显影液是一种溶液,用于在PCB板上显示铜线轨道的比例和位置,使其成为可以用于焊接元件的良好的PCB板。2.剥离液:剥离液是一种特殊的溶剂,用于将PCB板上的铜线轨道剥离开,以便重新焊接元件。3.蚀刻液:蚀刻液是一种酸性溶液,用于将PCB板上的铜线轨道腐蚀掉,以便重新焊接元件。4.清洗液:清洗液是一种混合物,用于将PCB板上的尘埃、污垢和其他残留物消除干净,以便进行焊接和装配。1.显影液:是指用于显影制版的液体,一般由溶剂、硫酸铜、有机酸和抗氧化剂等组成。2.剥离液:是指用于把制版上的显影膜剥离出来的液体,一般由硝酸铝、硫酸钠等组成。3.蚀刻液:是指用于蚀刻制版的液体,一般由硝酸铜、硝酸钠、硝酸锌等组成。4.清洗液:是指用于清洗制版的液体,一般由水、硝酸、硫酸、乙醇等组成。绍兴市面上哪家剥离液销售电话剥离液的类别一般有哪些。
光刻胶残留大,残留分布不均匀,并且产生边缘聚集残留。为了能够进一步地表示配方一和配方二之间的光刻胶残留量对比,图2中将多张单张检测图进行叠加,可以更加清楚地看出两者之间的区别,能够明显地看出使用配方一的剥离液,高世代面板边缘光刻胶残留量大。下面列举更多剥离液组分实施例。表三:不同组分的剥离液表四:测试剥离性能时间30s50s70s90s1okokokok2okokokok3okokokok4okokokok5okokokok6okokokok7okokokok8okokokok9okokokok表三为9组不同组分的所制成的剥离液,9组不同组分的剥离液都进行剥离性能测试,在50℃下分别放入切好的玻璃,进行剥离性能测试,测试结果如表四所示,具有良好的剥离效果。通过上述,本实施方式中的剥离液采用酰胺、醇醚、环胺与链胺、缓蚀剂、润湿剂制得,有效地提高了光刻胶的剥离效果,减少了光刻胶的残留。对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例。
所述抽真空气体修饰法包括如下步骤:将将衬底和光刻胶抗粘剂置于密闭空间中,对密闭空间抽真空至光刻胶抗粘层气化,保持1分钟以上,直接取出衬底。进一步的改进,所述衬底为硅、氧化硅、石英、玻璃、氮化硅、碳化硅、铌酸锂、金刚石、蓝宝石或ito制成。进一步的改进,所述步骤(2)对衬底修饰的试剂包括hmds和十三氟正辛基硅烷;对衬底修饰的试剂镀在衬底表面。进一步的改进,所述所述光刻胶包括pmma,zep,瑞红胶,az胶,纳米压印胶和光固化胶。进一步的改进,所述光刻胶厚度为1nm-100mm进一步的改进,所述光刻胶上加工出所需结构的轮廓的方法为电子束曝光,离子束曝光,聚焦离子束曝光,重离子曝光,x射线曝光,等离子体刻蚀,紫外光刻,极紫外光刻,激光直写或纳米压印。进一步的改进,所述黏贴层为pdms,紫外固化胶,热释放胶,高温胶带,普通胶带,pva,纤维素或ab胶。上述选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法制备的微纳结构用于微纳制造,光学领域,电学,生物领域,mems领域,nems领域。本发明的有益效果在于,解决了现有负性光刻胶加工效率低,难于去胶,去胶过程中损伤衬底,对于跨尺度结构的加工过程中加工精度和效率的矛盾等问题。如何挑选一款适合自己公司的剥离液?
本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施,并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是,提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整,并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。如图1所示,本发明提供的光刻胶剥离去除方法主要实施例,用于半导体制造工艺中,可应用于包括但不限于mos、finfet等所有现有技术中涉及光刻胶剥离去除的生产步骤,主要包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积介质层;s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层;s3,执行离子注入:s4,采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀,对光刻胶进行干法剥离;s5,对衬底表面进行清洗。本发明刻胶剥离去除方法主要实施例采用能与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应生成含氨挥发性化合物气体,与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应速率相等的等离子体氮氢混合气体能更高效的剥离去除光刻胶,有效降低光刻胶残留。进而避免由于光刻胶残留造成对后续工艺的影响,提高产品良率。参考图11和图12所示,在生产线上采用本发明的光刻胶剥离去除方法后,监控晶圆产品缺陷由585颗降低到32颗,证明本发明光刻胶剥离去除方法的的改善的产品缺陷,促进了产品良率的提升。剥离液可以用在什么地方;广东什么剥离液生产
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在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的剥离液机台的种结构示意图。图2为本申请实施例提供的剥离液机台的第二种结构示意图。图3为本申请实施例提供的剥离液机台的第三种结构示意图。图4为本申请实施例提供的剥离液机台的第四种结构示意图。图5为本申请实施例提供的剥离液机台的工作方法的流程示意图。具体实施方式目前剥离液机台在工作时,如果过滤剥离光阻时产生的薄膜碎屑的过滤器被阻塞,则需要剥离液机台内的所有工作单元,待被阻塞的过滤器被清理后,才能重新进行剥离制程,使得机台需频繁停线以更换过滤器,极大的降低了生产效率。请参阅图1,图1为本申请实施例提供的过滤液机台100的种结构示意图。本申请实施例提供一种剥离液机台100,包括:依次顺序排列的多级腔室10、每一级所述腔室10对应连接一存储箱20;过滤器30,所述过滤器30的一端设置通过管道40与当前级腔室101对应的存储箱20连接,所述过滤器30的另一端通过第二管道50与下一级腔室102连接;其中,至少在管道40或所述第二管道50上设置有阀门开关60。合肥剥离液什么价格