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东莞什么剥离液配方技术

来源: 发布时间:2023年12月29日

    技术领域:本发明涉及一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法,可用于微纳制造,光学领域,电学,生物领域,mems领域,nems领域。技术背景:微纳制造技术是衡量一个国家制造水平的重要标志,对提高人们的生活水平,促进产业发展与经济增长,保障**安全等方法发挥着重要作用,微纳制造技术是微传感器、微执行器、微结构和功能微纳系统制造的基本手段和重要基础。基于半导体制造工艺的光刻技术是**常用的手段之一。对于纳米孔的加工,常用的手段是先利用曝光负性光刻胶并显影后得到微纳尺度的柱状结构,再通过金属的沉积和溶胶实现图形反转从而得到所需要的纳米孔。然而传统的方法由于光刻过程中的散焦及临近效应等会造成曝光后的微纳结构侧壁呈现一定的角度(如正梯形截面),这会造成蒸发过程中的挂壁严重从而使lift-off困难。同时由于我们常用的高分辨的负胶如hsq,在去胶的过程中需要用到危险的氢氟酸,而氢氟酸常常会腐蚀石英,氧化硅等衬底从而影响器件性能,特别的,对于跨尺度高精度纳米结构的制备在加工效率和加工能力方面面临着很大的挑战。 哪家公司的剥离液的有售后?东莞什么剥离液配方技术

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    本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施,并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是,提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整,并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。如图1所示,本发明提供的光刻胶剥离去除方法主要实施例,用于半导体制造工艺中,可应用于包括但不限于mos、finfet等所有现有技术中涉及光刻胶剥离去除的生产步骤,主要包括以下步骤:s1,在半导体衬底上淀积介质层;s2,旋涂光刻胶并曝光显影,形成光刻图形阻挡层;s3,执行离子注入:s4,采用氮氢混合气体执行等离子刻蚀,对光刻胶进行干法剥离;s5,对衬底表面进行清洗。本发明刻胶剥离去除方法主要实施例采用能与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应生成含氨挥发性化合物气体,与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应速率相等的等离子体氮氢混合气体能更高效的剥离去除光刻胶,有效降低光刻胶残留。进而避免由于光刻胶残留造成对后续工艺的影响,提高产品良率。参考图11和图12所示,在生产线上采用本发明的光刻胶剥离去除方法后,监控晶圆产品缺陷由585颗降低到32颗,证明本发明光刻胶剥离去除方法的的改善的产品缺陷,促进了产品良率的提升。芜湖BOE蚀刻液剥离液销售厂家剥离液使用时要注意什么?

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    单片清洗工艺避免了不同硅片之间相互污染,降低了产品缺陷,提高了产品良率。可选择的,清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和过氧化氨混合物溶液。可选的,进一步改进,清洗液采用h2so4:h2o2配比范围为6:1~4:1且温度范围为110℃~140℃的过氧化硫磺混合物溶液;以及,nh4oh:h2o2:h2o配比为1:℃~70℃的过氧化氨混合物溶液。本发明采用等离子体氮氢混合气体能与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应生成含氨挥发性化合物气体,且与主要光刻胶层和第二光刻胶层反应速率相等能更高效的剥离去除光刻胶,能有效减少光刻胶残留。进而避免由于光刻胶残留造成对后续工艺的影响,提高产品良率。附图说明本发明附图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性,对说明书中的描述进行补充。然而,本发明附图是未按比例绘制的示意图,因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点,本发明附图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:图1是本发明的流程示意图。图2是一现有技术光刻胶剥离去除示意图一,其显示衬底上形成介质层并旋图光刻胶。

需要说明的是,本发明剥离液中,推荐*由上述成分构成,但只要不阻碍本发明的效果,可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡剂等其它成分。以上说明的本发明剥离液可以通过将上述成分溶于水中来制备。需要说明的是,本发明剥离液的ph若为碱性则没有特别限定,但通常**将上述成分溶于水就成为碱性,因此没有特别必要调整ph。另外,本发明剥离液可以通过将上述成分分别分开预先溶于水,成为抗蚀剂的剥离液套件,将它们混合来制备。具体来说,可以举出以包含含有钾盐的第1液和含有溶纤剂的第2液为特征的抗蚀剂的剥离液套件、其中还包含含有硅酸盐的第3液的抗蚀剂的剥离液套件、进而在其中使上述其它成分适当含有于各液中的抗蚀剂的剥离液套件等。通过使用本发明剥离液对施加有抗蚀剂的基材进行处理,抗蚀剂被细小地粉碎。友达光电用的哪家的剥离液?

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    本实用新型涉及光刻胶生产设备,具体是一种光刻胶废剥离液回收装置。背景技术:光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,其是由溶剂、感光树脂、光引发剂和添加剂四种成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下,进行光化学反应,经曝光、显影等过程,将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上,然后进行蚀刻等工艺加工,终得到所需图像。其中,溶剂使光刻胶具有流动性,易挥发,对于光刻胶的化学性质几乎没有影响。感光树脂是惰性的聚合物,用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂,给予光刻胶其机械和化学性质。光引发剂是光刻胶中的光敏成分,对光能发生光化学反应。添加剂是控制光刻胶材料特殊方面的化学物质,用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质或响应特性。在光刻工艺中,一般步骤为匀胶—干燥—前烘--曝光—显影—后烘—蚀刻—剥离。在光刻胶剥离工序中会产生剥离废液,光刻胶价格昂贵,如不对废液中的光刻胶成分回收利用,会造成较大的资源浪费,因此企业通常将剥离废液中的光刻胶树脂进行有效回收并应用于再生产中。使用剥离液需要什么条件。无锡什么剥离液产品介绍

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 如遇水,图案则随着背胶的脱落而脱落。这种印刷方法是通过滚筒式胶质印模把沾在胶面上的油墨转印到纸面上。由于胶面是平的,没有凹下的花纹,所以印出的纸面上的图案和花纹也是平的,没有立体感,防伪性较差。胶版印刷所需的油墨较少,模具的制造成本也比凹版低。目前我国汽车尾气直接排入空气中,并未进行回收处理,对空气造成了巨大污染,同时会对人体造成伤害。技术实现思路本**技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种印刷品胶面印刷剥离复合装置。东莞什么剥离液配方技术