等离子去胶机如何去除碳化硅上的光刻胶？

深圳市方瑞科技有限公司2026-04-08

等离子去胶机去除碳化硅上的光刻胶时，需要特别注意选择性，避免损伤SiC表面。SiC对氧等离子体耐受性较好，但长时间高功率处理可能导致表面氧化或石墨化。方瑞科技的PD-200 RIE等离子体去胶机采用温和工艺：1. 使用O₂/N₂混合气体，N₂可降低刻蚀速率，提高对SiC的选择性；2. 低功率、低偏压模式，减少物理轰击；3. 精确控制刻蚀时间，去胶完成后自动停止；4. 可选配终点检测，实时监控去胶进程。去胶后SiC表面无损伤，电学性能保持。方瑞科技提供工艺开发服务，针对不同SiC晶型和光刻胶类型优化参数，确保选择性大于10:1。

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