半导体氧化退火炉如何处理 SiC、GaN 等宽禁带半导体？

赛瑞达智能电子装备（无锡）有限公司2025-06-17

SiC 退火需在 1600℃以上惰性气氛中进行，以激其活氮 / 磷掺杂；GaN 退火常用氨气（NH₃）气氛，修复离子注入损伤并钝化表面缺陷，提升电子迁移率。

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简介：赛瑞达成立于2021年，专注于半导体设备的研发、生产与销售。公司位于无锡，致力于提供定制化解决方案。

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